| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SFH 2401 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 Si PIN Photodiode |
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BPW 34 S E9601 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMT |
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SFH 3605-3/4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:20 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.35 mm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.3 mm; 高度:1.7 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:130 mW; 下降时间:45 us, 75 us; 上升时间:45 us, 75 us; 暗电流:50 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:990 nm; 封装 / 箱体:MIDLED; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 310 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:25 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:890 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:4.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 FA-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 300 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:880 nm; 类型:Chip; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:-; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 2701 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 响应率:0.5 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.4 uA; 噪声等效功率 - NEP:0.63E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.65 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.35 mm; 高度:1.25 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:2 ns; 上升时间:2 ns; Vr - 反向电压 :15 V; 暗电流:0.05 nA; 峰值波长:820 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3216; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE ChiPLED |
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SFH 2505 FA-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:70 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.6 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:5.7 mm; 高度:7.4 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:SMR-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMR |
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SFH 3310 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:460 uA; 半强度角度:75 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:570 nm; 类型:Ambient light sensor with V-lambda characteristics; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:3.1 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:-; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:3 nA; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 集电极—射极击穿电压:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:570 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 5711-2/3-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 上升时间:30 us; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:100 us; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.35 mm; 类型:High Accuracy Ambient Light Sensors; 长度:2.95 mm; 高度:1.25 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:555 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:2.95 mm x 2.35 mm; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
环境光传感器 PHOTO IC (ALS) SMT |
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SFH 309-5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:5 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Bulk; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 320 FA-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 2400 FAR |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.2 uA; Pd-功率耗散:120 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.8E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.6 mm; 高度:1.1 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-3; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 314 FA-2/3 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:40 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:6.9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:12 us; 上升时间:12 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 3211 FA-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.8 mm; 波长:950 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.2 mm; 高度:1.9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLLC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 3400-2/3-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.7 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.1 mm; 高度:1.05 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:120 mW; 下降时间:24 us, 34 us; 上升时间:24 us, 34 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:170 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 320 FA-3/4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 ua; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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BPX 86 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:320 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:7.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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BPX 85 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:125; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:320 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:7.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 320 FA-4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 325-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.2 mm; 波长:980 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.2 mm; 高度:3.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 300 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:-; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 3600-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:500 uA; 半强度角度:20 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.35 mm; 波长:990 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.3 mm; 高度:1.7 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:130 mW; 下降时间:45 us; 上升时间:45 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:990 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:MIDLED; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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BPW 34 FASR-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:50 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.02 us; 上升时间:0.02 us; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMT RG |
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BPY 62 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:8 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 类型:Chip; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 暗电流:50 nA; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 峰值波长:830 nm; 封装 / 箱体:TO-18; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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SFH 310 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:25 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:880 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:4.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:5000 uA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 FA-5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 FA-4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2000 uA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309-4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 203 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:80 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:80 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5 mm; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 2504 AN23 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:2.7 uA; Pd-功率耗散:30 mW; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Bulk; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.01 us; 上升时间:0.01 us; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:0.05 nA; 峰值波长:1100 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 325 FA-3/4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 320-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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BP 104 SR-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.6E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMT |
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SFH 3201-2/3-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.2 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:120 mW; 下降时间:24 us, 34 us; 上升时间:24 us, 34 us; 暗电流:200 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 封装 / 箱体:SMT; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 313 FA-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:6.3 mA; 半强度角度:10 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:14 us; 上升时间:14 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 FA-4/5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 3015 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:320 uA; 半强度角度:13 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.6 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.2 mm; 高度:2.51 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:-; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:-; 集电极—射极饱和电压:170 mV; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 Phototransistor |
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BPW 34 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:50 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 长度:4.5 mm; 高度:2.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:DIL-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE T/H |
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BPW 34 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:80 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:4.1E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 长度:4.5 mm; 高度:2.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:DIL-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE T/H |
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SFH 2505-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:100 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.6 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 长度:5.7 mm; 高度:7.4 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:SMR-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMR |
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SFH 309-5/6 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us, 9 us; 上升时间:8 us, 9 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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BP 103-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:55 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.5 mm; 类型:Chip; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:5.5 mm; 高度:3.6 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:7 us, 9 us; 上升时间:7 us, 9 us; 暗电流:50 nA; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 峰值波长:850 nm; 封装 / 箱体:TO-18; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BPX 89 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:320 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:7.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 325-3/4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.2 mm; 波长:980 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.2 mm; 高度:3.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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BPX 81-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:320 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:2.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:6 us, 8 us; 上升时间:6 us, 8 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 3710-2/3-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.35 mm; 类型:Ambient Light Photo Sensor with Phototransistor Output; 长度:2.1 mm; 高度:0.9 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 暗电流:50 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 峰值波长:570 nm; 封装 / 箱体:SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 3211 FA-3/4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:80 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.8 mm; 波长:950 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.2 mm; 高度:1.9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLLC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
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