器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AP2012P3C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.4 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 2x1.2mm PHOTOTRANS SMD LED |
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WP7113PD1C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:0.4 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Kingbright; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 5mm PHOTODIODE |
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APT2012PD1C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:8 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:160 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805 (2012 metric); 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 2x1.2mm PHOTODIODE |
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WP3DPD1BT/BD |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Kingbright; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:50 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 3mm PHOTODIODE |
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APTR3216P3BT |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:1.6 mm; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.2 mm; 高度:1.05 mm; 系列:HELI-R; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.3 mA; 工作电源电压:-; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1206 (3216 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 3.2x1.6mm PHOTOTRANSISTOR |
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AM2520P3BT03 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.8 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1008 (2520 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 2.5x2mm SMD PHOTOTRANSISTOR |
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AM2520PD1BT09 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.5 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1008 (2520 metric); 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 2.5x2mm SMD PHOTODIODE |
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AM2520P3BT09 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.8 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1008 (2520 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 2.5x2mm SMD PHOTOTRANSISTOR |
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AM2520PD1BT03 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.5 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1008 (2520 metric); 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 2.5x2mm SMD PHOTODIODE |
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WP3DPD1C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:0.16 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Kingbright; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:50 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 3mm PHOTODIODE |
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W53P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:5 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:3 us; 上升时间:3 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.5 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototransistor 3/3 us Water Clr |
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APA3010P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:2 mm; 波长:940 nm; 类型:Right Angle Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.3 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3 mm x 2 mm x 1 mm; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototransistor Right Angle 0.3 Ma |
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APTD3216P3C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:1 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 3.2x1.6mm PHOTOTRANS SMD LED |
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APT2012P3BT |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:1.25 mm; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2 mm; 高度:0.75 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:1 mA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.2 mA; 工作电源电压:5 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototransistor Blue Trans 1 mA |
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APA3010P3BT-GX |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:2 mm; 波长:940 nm; 类型:Right Angle Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.3 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3 mm x 2 mm x 1 mm; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 30/5V VBR 15us IR 3x1x2mm |
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WP3DP3BT |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:Photo Transistor; 封装:Bulk; 高度:5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.2 mA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototrnstr 30/5V Blue Transprnt Lens |
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AP1608P1C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.3 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 1.6x0.8mm PHOTOTRANS SMD LED |
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WP7113P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 宽度:5.9 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.9 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR WATER CLEAR |
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WP7113PD1BT/BD-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:2 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Kingbright; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 5mm PHOTODIODE |
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WP3DP3BT/BD-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.2 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 3mm PHOTOTRANSISTOR |
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AM2520P3C03-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:1.5 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 2.5x2mm PHOTOTRANS SMD LED |
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AA4040P3C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.6 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 4x4mm PHOTOTRANS RA SMD LED |
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APS3227SP1C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:120 deg; 商标:Kingbright; 类型:NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:580 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-4; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
环境光传感器 3.2x2.7mm AMBIENT LIGHT PHOTO SENSOR |
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APS5130PD7C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.33 A/W, 0.25 A/W, 0.18 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:0.039 uA, 0.042 uA, 0.022 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:120 deg; Vr - 反向电压 :5 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:620 nm, 550 nm, 470 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-4; 产品:Triple Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 3.2x1.6mm RGB COLOR SENSOR |
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L53P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 波长:625 nm; 安装风格:Through Hole; RoHS:N; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR WATER CLEAR |
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L32P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 宽度:4 mm; 类型:Chip; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:4 mm; 高度:5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:3 us; 上升时间:3 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 封装 / 箱体:T-1; RoHS:N; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR WATER CLEAR |
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L51P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 安装风格:Through Hole; RoHS:N; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 T1-3/4 PHOTO XISTOR |
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AA3528P3S |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:2.8 mm; 波长:940 nm; 类型:Photo Transistor; 封装:Reel; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:3.5 mm; 高度:1.9 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.4 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3.5 mm x 2.8 mm x 1.9 mm; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototrans 30/5V Water Clear 0.2mA |
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AA3528P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:2.8 mm; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:3.5 mm; 高度:1.9 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.2 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3.5 mm x 2.8 mm x 1.9 mm; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototrans 940nm Water Clear 0.2 mA |