| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:300; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/4 in; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tray; 封装 / 箱体:ODCSP-69; 像素大小 - 宽x高:3 um x 3 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:1 Megapixels; 颜色读出:RGB; 图象大小:1280 H x 800 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1MP 1/4 CIS SO |
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ISL29030AIROZ-T7 |
Renesas Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / Intersil; 系列:ISL29030; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-8; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
光学数位转换器 ISL29030AIROZFREE AUTONOMOUS LW PWR |
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ZFV-SC50 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 ZFVFOV 1050mm IP65 |
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1541021ECA170 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:2 uA; Pd-功率耗散:140 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:WL-SDCB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vr - 反向电压 :33 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电二极管 WL-SDSB SMT Photodiode Sideview Black |
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1541021NCA170 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:WL-STSB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-STSB SMT Phototransistor Sideview Black |
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FSM-IMX415C-01S-V1A |
FRAMOS |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:28; 产品类型:Image Sensors; 商标:FRAMOS; 系列:FRAMOS; 工作电源电压:1.1 V/1.8 V/2.9 V; 每秒帧数:90 FPS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; RoHS:Y; 制造商:FRAMOS; |
图像传感器 FSM-IMX415C-01S-V1A |
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FSM-IMX296M-01S-V1A |
FRAMOS |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:28; 产品类型:Image Sensors; 商标:FRAMOS; 系列:FRAMOS; 工作电源电压:1.2 V/1.8 V/3.3 V; 每秒帧数:60 FPS; 最大工作温度:+ 75 C; 最小工作温度:- 30 C; RoHS:Y; 制造商:FRAMOS; |
图像传感器 FSM-IMX296M-01S-V1A |
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FSM-IMX296C-01S-V1A |
FRAMOS |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:28; 产品类型:Image Sensors; 商标:FRAMOS; 系列:FRAMOS; 工作电源电压:1.2 V/1.8 V/3.3 V; 每秒帧数:60 FPS; 最大工作温度:+ 75 C; 最小工作温度:- 30 C; RoHS:Y; 制造商:FRAMOS; |
图像传感器 FSM-IMX296C-01S-V1A |
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FSM-IMX577C-01S-V1A |
FRAMOS |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:28; 产品类型:Image Sensors; 商标:FRAMOS; 系列:FRAMOS; 工作电源电压:1.05 V/1.8 V/2.8 V; 每秒帧数:60 FPS; 最大工作温度:+ 75 C; 最小工作温度:- 20 C; RoHS:Y; 制造商:FRAMOS; |
图像传感器 FSM-IMX577C-01S-V1A |
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FSM-IMX334C-01S-V1A |
FRAMOS |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:28; 产品类型:Image Sensors; 商标:FRAMOS; 系列:FRAMOS; 工作电源电压:1.2 V/1.8 V/2.9 V; 每秒帧数:60 FPS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; RoHS:Y; 制造商:FRAMOS; |
图像传感器 FSM-IMX334C-01S-V1A |
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FSM-IMX335C-01S-V1A |
FRAMOS |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:28; 产品类型:Image Sensors; 商标:FRAMOS; 系列:FRAMOS; 工作电源电压:1.2 V/1.8 V/2.9 V; 每秒帧数:60 FPS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; RoHS:Y; 制造商:FRAMOS; |
图像传感器 FSM-IMX335C-01S-V1A |
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FSM-IMX283C-04G-V2A |
FRAMOS |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:28; 产品类型:Image Sensors; 商标:FRAMOS; 系列:FRAMOS; 工作电源电压:1.2 V/1.8 V/2.9 V; 每秒帧数:25 FPS; 最大工作温度:+ 75 C; 最小工作温度:- 10 C; RoHS:Y; 制造商:FRAMOS; |
图像传感器 FSM-IMX283C-04G-V2A |
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QSD2030F |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Photodiodes; 光电流:25 uA; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:80 mA; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:6.1 mm; 封装:Bulk; 长度:6.1 mm; 高度:8.77 mm; 系列:QSD2030F; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电二极管 PIN PHOTODIODE |
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VEMD2523SLX01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:35 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 350-1120nm +/-35 deg |
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VBPW34S |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Gullwing 430-1100nm +/-65 deg |
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LTR-4206E |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Lite-On; 宽度:4 mm; 类型:IR Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.25 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:940 nm; 封装 / 箱体:T-1; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电晶体管 Phototrans Filtered |
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X100-7-SMD |
First Sensor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Photodiodes; 光电流:10 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:First Sensor; 宽度:14.5 mm; 长度:16.5 mm; 高度:1.38 mm; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 上升时间:500 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:5 nA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LCC-10; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 100mm squared PIN dectector Photodiode |
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ISL76671AROZ-T7A |
Renesas Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / Intersil; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ISL76671; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:ODFN-6; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
环境光传感器 AUTO SMALL LW PWR VAGE-OUTPUT AMBIENT |
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E3Z-T61A |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 感应距离:100 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN PREWIRED |
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PC50CNP06RP |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO PR PL 6M NO/NC SPDT CAB |
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PMT20RIM |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO TR PL MUTE 20M SPDT |
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E3Z-LR81 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Retro 15M Prewire 2M LaserType |
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AD230-12-TO52S1.1 |
First Sensor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2; 响应率:50 A/W; 产品类型:Photodiodes; 商标:First Sensor; 宽度:5.4 mm; 长度:5.4 mm; 高度:3.6 mm; 系列:APD Series 12; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:0.18 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:0.2 nA; 峰值波长:660 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-52-S1; 产品:Avalanche Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 APD with 0.04mm squared active area |
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QSE259 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:100 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:1.71 mm; 波长:880 nm; 长度:4.62 mm; 高度:5.85 mm; 封装:Bulk; 系列:QSE259; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:6 us; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:5 mA; 工作电源电压:4 V to 16 V; 输出类型:Open Collector, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光IC传感器 Photosensor |
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MICROFC-10010-SMT-TR1 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
商标名:SensL; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Cut Tape; 系列:C-SERIES SIPM; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:0.3 ns; 暗电流:1 nA; 峰值波长:420 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Photodiode Arrays; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电二极管 C-SERIES 1MM 10U MLP |
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PD30CNP50PAPS |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO PRR 5M PNP NO+NC POINT S |
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PC50CNR10RP |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO RR PL 10M NO/NC SPDT CAB |
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PA18CAD10NAM1SA |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO AX DR PL M18 NPN NO+NC P |
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PD30CNR06PPMU |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO RRI 6M PNP NO/NC MU CAB |
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PD30CNR06NPMU |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO RRI 6M NPN NO/NC MU CAB |
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PC50CNT20RP |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO TR PL 20M NO/NC SPDT CAB |
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PMP12RIM |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO PR PL 12M SPST |
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ER1830PPAS-1 |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 I.R.RETRO REFLECTIVE.M18.PLUG. |
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S142BRNN115 |
Carlo Gavazzi |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Carlo Gavazzi; 制造商:Carlo Gavazzi; |
光电传感器 PHOTO AMP 1CH 2NPN SPDT TIMER |
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XU2S18PP340DR |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XU2; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 2V 100MA |
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XUB2BKSNL2T |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Telemecanique; 宽度:18 mm; 系列:XUB; 长度:46 mm; 主体类型:Cylindrical; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 连接方法:Cable; 感应方式:Through Beam; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 Photoelectric Sensor 18mm Emitter XUB |
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1540051NC2590 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Wurth Elektronik; 波长:940 nm; 系列:WL-TTRB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:10 mA; 安装风格:Through Hole; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-TTRB THT Phototransistor Round Black |
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E3T-SL13M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 515mm TBEAM L/O N PNP M3 MTG |
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OP604TXV |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:7 mA; 半强度角度:18 deg; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:1.57 mm; 类型:High Reliability Silicon Transistor; 封装:Bulk; 长度:2.34 mm; 高度:2.92 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:50 mW; 下降时间:20 us; 上升时间:20 us; 暗电流:25 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 安装风格:Panel Mount; 封装 / 箱体:Pill; 产品:Phototransistors; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 NPN PHOTOTRANSISTOR |
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3001032 |
First Sensor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 商标:First Sensor; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 20 C; 上升时间:4000 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:80 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:CERsmd; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 DL100-7 THD (CERpinG) |
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1540601NEA200 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:WL-STCB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:30 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V; 开启状态集电极最大电流:1 mA; 安装风格:Through Hole; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-STCB SMT Phototransistor Chip Black |
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1540052NA3090 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Wurth Elektronik; 波长:850 nm; 系列:WL-TTRW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 暗电流:300 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 安装风格:Through Hole; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-TTRW THT Phototransistor Round Waterclear |
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1540801NBA300 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:WL-STCW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:35 V; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-STCW SMT Phototransistor Chip Waterclear |
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1540032NA3090 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Wurth Elektronik; 波长:850 nm; 系列:WL-TTRW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 暗电流:300 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-TTRW THT Phototransistor Round Waterclear |
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SFH 203 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.59 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:50 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:80 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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BPW 34 S-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:80 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:4.1E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMT |
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ISL29035IROZ-T7 |
Renesas Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C; 商标:Renesas / Intersil; 系列:ISL29035; 分辨率:16 bit; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:ODFN-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 工作电源电流:57 uA; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
光学数位转换器 Integrated Digital Light Sensor |
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ZTP-135SR |
Amphenol |
光学探测器和传感器 |
商标名:THERMOMETRICS; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:IR Detectors; 光敏感性:62 V/W; 噪声等效功率 - NEP:0.51 nW/sqrt Hz; 元件大小:1.8 mm x 1.8 mm; 商标:Amphenol Advanced Sensors; 响应时间:25 ms; 工作温度范围:- 20 C to + 100 C; 封装:Tray; 系列:ZTP-135; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 20 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-46; 类型:Thermopile; 产品:Thermal Infrared Detectors; RoHS:Y; 制造商:Amphenol; |
红外探测器 TO-46, 1.3mV Thermopile IR Sensor |
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BPW 21 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.2 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:40; 响应率:0.34 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:-; Pd-功率耗散:250 mW; 噪声等效功率 - NEP:7.2E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:9.5 mm; 类型:Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range; 长度:9.5 mm; 高度:3.7 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:55 deg; 下降时间:1.5 us; 上升时间:1.5 us; Vr - 反向电压 :10 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:550 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-5; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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ZTP-115M |
Amphenol |
光学探测器和传感器 |
商标名:THERMOMETRICS; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:5 V; 商标:Amphenol Advanced Sensors; 响应时间:0.6 s; 工作温度范围:- 20 C to + 100 C; 系列:ZTP-115; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 20 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Module; 类型:Thermopile; 产品:Thermal Infrared Detectors; RoHS:Y; 制造商:Amphenol; |
红外探测器 Sensor 5V 2.7mA Anlg Thermopile IR Module |
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