器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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INL-3ANPD80 |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Inolux; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:80 deg; 下降时间:45 uS; 上升时间:45 uS; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:5 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Though Hole; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Inolux; |
光电二极管 Through Hole / Standard 3mm T1 / Black Lens |
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INL-5APT30 |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Phototransistors; 商标:Inolux; 波长:940 nm; 类型:5 mm Phototransistor; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 uS; 上升时间:15 uS; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 安装风格:Throgh Hole; 产品:Phototransistors; 制造商:Inolux; |
光电晶体管 Through Hole / Standard 5mm T1 3/4 |
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INL-5ANPD80 |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Inolux; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:80 deg; 下降时间:45 uS; 上升时间:45 uS; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:5 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:Photodiodes; 制造商:Inolux; |
光电二极管 Through Hole / Standard 5mm T1 3/4 / Black Lens |
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IN-S63DTLS |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 响应率:Photo Sensitivity; 产品类型:Ambient Light Sensors; 商标:Inolux; 类型:SMD Ambient Light Sensor; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 峰值波长:630 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); 产品:Ambient Light Sensors; 制造商:Inolux; |
环境光传感器 Top View / 0603 / 1.6x0.8x0.88 |
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IN-S32GTLS |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 响应率:Photo Sensitivity; 产品类型:Ambient Light Sensors; 商标:Inolux; 类型:SMD Ambient Light Sensor; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 峰值波长:630 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3.2 mm x 2.7 mm; 产品:Ambient Light Sensors; 制造商:Inolux; |
环境光传感器 Top View / 3527 / 3.2x2.7x1.1 |
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INL-3ANPT30 |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Inolux; 波长:940 nm; 类型:3 mm Phototransistor; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 uS; 上升时间:15 uS; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 安装风格:Through Hole; 产品:Phototransistors; 制造商:Inolux; |
光电晶体管 Through Hole / Standard 3mm T1 / Black Lens |
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IN-S63DTPT |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Inolux; 波长:940 nm; 类型:PCB Type Phototransistor; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:15 uS; 上升时间:15 uS; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 开启状态集电极最大电流:2.42 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); 产品:Phototransistors; 制造商:Inolux; |
光电晶体管 Top View / 0603 / 1.6x0.8x0.88 |
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IN-S32GTNPD |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Inolux; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:10 uS; 上升时间:10 uS; Vr - 反向电压 :35 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3.2 mm x 2.7 mm; 产品:Photodiodes; 制造商:Inolux; |
光电二极管 Top View / 3527 / 3.2x2.7x1.1 |
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IN-S126BTNPD |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:0.87 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Inolux; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1206 (3216 metric); 产品:Photodiodes; 制造商:Inolux; |
光电二极管 Top View / 1206 / 3.2x1.6x1.1 |
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INL-3APD80 |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Inolux; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:80 deg; 下降时间:45 uS; 上升时间:45 uS; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:5 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:Photodiodes; 制造商:Inolux; |
光电二极管 Through Hole / Standard 3mm T1 |
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IN-S32HSNPD |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Inolux; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:6 uS; 上升时间:6 uS; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3 mm x 2 mm; 产品:Photodiodes; 制造商:Inolux; |
光电二极管 Side View / 1208 / 3.0x2.0x1.0 / Round |
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IN-S85BTPT |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Inolux; 波长:940 nm; 类型:PCB Type Phototransistor; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:15 uS; 上升时间:15 uS; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 开启状态集电极最大电流:2 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805 (2012 metric); 产品:Phototransistors; 制造商:Inolux; |
光电晶体管 Top View / 0805 / 2.0x1.3x0.8 |
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INL-5APD80 |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Inolux; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:80 deg; 下降时间:45 uS; 上升时间:45 uS; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:5 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Though Hole; 产品:Photodiodes; 制造商:Inolux; |
光电二极管 Through Hole / Standard 5mm T1 3/4 |
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INL-3APT30 |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Inolux; 波长:940 nm; 类型:3 mm Phototransistor; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 uS; 上升时间:15 uS; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 安装风格:Through Hole; 产品:Phototransistors; 制造商:Inolux; |
光电晶体管 Through Hole / Standard 3mm T1 |
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INL-5ANPT30 |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Phototransistors; 商标:Inolux; 波长:940 nm; 类型:5 mm Phototransistor; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 uS; 上升时间:15 uS; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 安装风格:Through Hole; 产品:Phototransistors; 制造商:Inolux; |
光电晶体管 Through Hole / Standard 5mm T1 3/4 / Black Lens |
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IN-S126BTNPT |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Inolux; 波长:940 nm; 类型:PCB Type Phototransistor; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:15 uS; 上升时间:15 uS; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 开启状态集电极最大电流:0.8 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1206 (3216 metric); 产品:Phototransistors; 制造商:Inolux; |
光电晶体管 Top View / 1206 / 3.2x1.6x1.1 |
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IN-S126FSNPT |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Inolux; 波长:940 nm; 类型:PCB Type Phototransistor; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 下降时间:15 uS; 上升时间:15 uS; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 开启状态集电极最大电流:4.4 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1206 (3216 metric); 产品:Phototransistors; 制造商:Inolux; |
光电晶体管 Side View / 1209 / 3.0x2.35x1.6 / Dome |