| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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PD15-22B/TR8 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.5 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Everlight; 宽度:2.8 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.3 mm; 高度:1.1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:10 ns; 上升时间:10 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Infrared Photodiode |
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PT19-21C/L41/TR8 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Everlight; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.6 mA; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 Phototransistor 940nm, 75mW |
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EAALST05RDMA0 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 上升时间:0.11 ms; 产品类型:Ambient Light Sensors; 半强度角度:143 deg; 下降时间:0.22 ms; 商标:Everlight; 类型:Ambient Light Sensor; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:630 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4 (5 mm); 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor Thru-Hole (ALS) |
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PT1302B/C2 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 宽度:4.6 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4.6 mm; 高度:8.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 峰值波长:980 nm; 封装 / 箱体:T-1 3/4; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 Phototransistor |
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EAALSTIC1708A0 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 上升时间:0.11 ms; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:0.12 ms; 商标:Everlight; 类型:Analog; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:630 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0703 (1708 metric); 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
环境光传感器 Analog Sensor - SMD 630nm |
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PD333-3B/H0/L2 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:35 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Everlight; 宽度:5 mm; 长度:5 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:80 deg; 下降时间:45 ns; 上升时间:45 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:5 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Infrared Photodiode |
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PT928-6C-F |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 宽度:2.5 mm; 波长:940 nm; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:4.6 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3.41 mA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 IR Phototransistor |
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PD95-21B/TR7 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:15 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:20 mA; 商标:Everlight; 宽度:2 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 长度:2.1 mm; 高度:2.8 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:T-3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Photodiode |
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ALS-PDIC243-3B |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Ambient Light Sensors; 商标:Everlight; 类型:Ambient Light Sensor; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor |
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PD204-6C |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:3.5 uA; Pd-功率耗散:250 mW; 商标:Everlight; 宽度:3 mm; 封装:Bulk; 长度:3 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Infrared Photodiode |
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PD438C |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:18 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Everlight; 宽度:3.8 mm; 封装:Bulk; 长度:4.8 mm; 高度:6.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:5 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Photodiode |
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EAPST1608A0 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Everlight; 波长:940 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.9 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 1608 SMD IR Detector 940nm |
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EAPSV3026A0 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Everlight; 波长:940 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:10 mA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3026; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 3026 SMD IR Detector 940nm |
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PT5529B/L2-F |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 宽度:2.5 mm; 波长:940 nm; 类型:Side Face Silicon Phototransistor; 长度:4.8 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side View; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 IR Phototransistor |
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EL-PD204-6C/L3 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:10 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Everlight; 宽度:3 mm; 封装:Bulk; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 下降时间:10 ns; 上升时间:10 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 PIN Photodiode |
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EL-PT928-6C |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 波长:860 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Water Clear; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.52 mA; 工作电源电压:400 mV; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 Phototransistor |
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EL-PT908-7B |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 波长:860 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.78 mA; 工作电源电压:400 mV; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 Dual Phototransistor |
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EAPST3215A1 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 3215 SMD IR Detector 940nm |
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EAPST3215A0 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Everlight; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 3215 SMD IR Detector 940nm |
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EAPDSV3020A2 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 商标:Everlight; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 3020 SMD IR Detector 940nm |
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EL-PT908-7C |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 波长:860 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Water Clear; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.78 mA; 工作电源电压:400 mV; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 Phototransistor |
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EL-PD438B/L1 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:4 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Everlight; 宽度:3.8 mm; 封装:Bulk; 长度:4.8 mm; 高度:6.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:10 ns; 上升时间:10 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电二极管 Photodiode |
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PT334-6C |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 宽度:6 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:6 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 峰值波长:860 nm; 封装 / 箱体:T-1 3/4; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 Phototransistor |
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PT908-7C-F |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 IR Phototransistor |
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PT26-61B/TR8 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 产品类型:Phototransistors; 商标:Everlight; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 |
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EL-PT67-21C/L41 |
Everlight |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Everlight; 波长:940 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Reel; 透镜颜色/类型:Water Clear; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:1 mA; 工作电源电压:400 mV; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Everlight; |
光电晶体管 SMD Phototransistor |
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