| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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E3T-SR24-M1TJ 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 0.2M RET D/ON PNP |
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E3Z-T61A 5M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Thru-Beam NPN PRE-WI RED 5M |
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E3T-ST31 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 2M T-BEAM L/ON NPN |
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E3T-SR23R 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 20cmRetro L/On PNP 2 MRob Cbl |
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E3T-ST12 5M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 1M T-BEAM D/ON NPN 5M |
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E3Z-T62 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 30M T/B NPN Prewired |
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E3S-AT16-D |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S-A; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Receiver only for E3 S-AT16 |
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E3S-AT36-L |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S-A; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Connector; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:7 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Photoelectric |
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E3T-SL21 5M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 10-30MM CONV.BEAM L/ ON NPN 5M |
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E3T-CT24S |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 500mmTBm CYL DON PNP |
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Y92E-G30S-T |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Fast Mount Tube for M30 Shrt |
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E3T-SL13-M5J 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Photo CONV L/ON PNP P-T |
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3Z4S-LE SV-EXR |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Extention tube Set |
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E3T-ST14 5M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PHOTO MINI S/V THRU PNP DO |
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E3T-FT14 5M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 PHOTO MINI FLAT THRU PNP DO |
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E3T-FD11-M1TJ 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 0.1M DIF L/ON NPN |
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E3T-FD13-M1TJ 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 0.1M DIF L/ON PNP |
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E3Z-T87 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 30M T/B PNP 4 pin M8 Conn |
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E3Z-T67 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3Z; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 30M T/B NPN 4 pin M8 conn. |
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Y92E-GS08SS |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Spring Mount for M8 Shielded S |
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E3Z-L61-M1J-1 0.3M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Narrow Beam M12 conn connector |
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Y92E-SWNPT30-T |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Sen Well NPT Thread Teflon M30 |
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E3ZM-CR61 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Retro NPN Pre-wired |
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KAI-01150-QBA-JD-BA |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Image Sensors; 商标:ON Semiconductor; 系列:KAI-01150; 封装:Bulk; 颜色读出:Sparse CFA; 类型:CCD Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 INTERLINE CCD IMG |
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CMV2000-3E5M1CA |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:60; 产品类型:Image Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ams; 系列:CMV2000; 封装:Tray; 工作电源电压:3 V; 封装 / 箱体:LCC-92; 像素大小 - 宽x高:5.5 um x 5.5 um; 每秒帧数:340 fps; 分辨率:2 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:2048 H x 1088 V; 类型:Area Scan Sensor; RoHS:Y; 制造商:ams; |
图像传感器 Area Scan Sensor 2MP; Mono |
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OPL562-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Open Collector; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
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OP508FA |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm/ 935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Endlooker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
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OP515B |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
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ISL29021IROZ-T7 |
Renesas Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / Intersil; 系列:ISL29021; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-8; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
光学数位转换器 ISL29021IROZFREE DIGITL PROX SNSR |
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SFH 3605-3/4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:20 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.35 mm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.3 mm; 高度:1.7 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:130 mW; 下降时间:45 us, 75 us; 上升时间:45 us, 75 us; 暗电流:50 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:990 nm; 封装 / 箱体:MIDLED; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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ISL29027IROZ-T7 |
Renesas Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / Intersil; 系列:ISL29027; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:DFN-8; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
光学数位转换器 ISL29027IROZFREE PROX SNSR W/INTERPT |
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SLDN3002CL |
Bulgin |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Cable; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Dark on op PNP Out 30mm dist w Cbl term |
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SLLP3002CL |
Bulgin |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Light on op NPN Out 30mm dist w Cbl term |
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SLLN3002CL |
Bulgin |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Cable; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Light on op PNP Out 30mm dist w Cbl term |
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SLDP3002CL |
Bulgin |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Dark on op NPN Out 30mm dist w Cbl term |
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SLDN3002M5 |
Bulgin |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M5 Connector; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Dark on op PNP Out 30mm dist w/ M5 term |
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SLLP3002M5 |
Bulgin |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M5 Connector; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Light on op NPN Out 30mm dist w/ M5 term |
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SLLN3002M5 |
Bulgin |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M5 Connector; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Light on op PNP Out 30mm dist w/ M5 term |
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SLDP3002M5 |
Bulgin |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M5 Connector; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 30 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Dark on op NPN Out 30mm dist w/ M5 term |
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VEMD11940FX01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.7 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.8 uA; Pd-功率耗散:104 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 类型:PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:0.6 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:150 deg; 下降时间:1000 ns; 上升时间:1000 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 780-1050nm +/-75 deg |
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SML-810TBT86 |
ROHM Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:3.8 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.25 mm; 波长:800 nm; 类型:Reverse-Mount Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.4 mm; 高度:1.1 mm; 系列:SML-810TB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:80 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:500 nA; 集电极—射极饱和电压:400 mV; 集电极—射极击穿电压:5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V; 开启状态集电极最大电流:30 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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QSD2030 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Photodiodes; 光电流:25 uA; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:80 mA; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:6.1 mm; 封装:Bulk; 长度:6.1 mm; 高度:8.77 mm; 系列:QSD2030; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电二极管 T-1 3- 4 SENSOR |
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SFH 310 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:25 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:890 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:4.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 FA-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 300 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:880 nm; 类型:Chip; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:-; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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OPR5500 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:578; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:36 uA; 商标:Optek / TT Electronics; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2.5 us; 上升时间:2.5 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极击穿电压:5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD/SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
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OPL800-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:120 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Open Collector, Buffer; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
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OPL811 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:250 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Totem Pole, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
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OPL811-OC |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:250 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; 高电平输出电流:100 uA; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:Totem Pole, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
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