| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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XUB2BPANM12R |
Schneider Electric |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Schneider Electric; 宽度:18 mm; 系列:XUB; 长度:60 mm; 特点:Photoelectric retroreflect sensor; 主体类型:Cylindrical; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M12 Connector; 光源:LED (Yellow); 感应距离:15 m; 感应方式:Through Beam; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR 18MM PNP XUB |
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EE-SA801A 1M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Mech switch photo-m icro |
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E3Z-T66-D |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Through-Beam |
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E3T-SR42 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Photoelectric Sensor |
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E3ZM-CL81H 2M |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; |
光电传感器 BGS PNP Pre-wired No No trimme |
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E3X-NA6 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3X-NA; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 CON READY NPN GEN PU PURPOSE FO |
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OP913SL |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:120 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:8.51 mm; 类型:PIN Silicon Photodiode; 封装:Bulk; 长度:9.4 mm; 高度:6.86 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; 半强度角度:10 deg; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:25 nA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-05-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode |
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OP913WSL |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:40 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:8.51 mm; 类型:PIN Silicon Photodiode; 封装:Bulk; 长度:9.4 mm; 高度:4.57 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; 半强度角度:30 deg; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:25 nA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-05-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode |
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OPF422 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:10.41 mm; 类型:Fiber Optic PIN Photodiode; 封装:Tray; 长度:12.7 mm; 高度:20.57 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :100 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:905 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 ST RECEPTACLE |
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OP906 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.2 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:35 uA; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:1 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:3.18 mm; 类型:PIN Silicon Photodiode; 封装:Bulk; 长度:4.06 mm; 高度:4.83 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode |
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PT100MF0MP |
Sharp Microelectronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:10000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:15 deg; 商标:Sharp Microelectronics; 宽度:1.5 mm; 类型:Phototransistor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:2.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:5 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 峰值波长:910 nm; 封装 / 箱体:SMD; RoHS:Y; 制造商:Sharp Microelectronics; |
光电晶体管 SMT Phototransistor 15 910nm 3.45mA |
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OPF482 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:75; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:10.41 mm; 封装:Tray; 长度:12.7 mm; 高度:20.57 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:2 ns; Vr - 反向电压 :100 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:905 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 FIBER OPTIC PHOTODIO |
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W53P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:5 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:3 us; 上升时间:3 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.5 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototransistor 3/3 us Water Clr |
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APA3010P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:2 mm; 波长:940 nm; 类型:Right Angle Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.3 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3 mm x 2 mm x 1 mm; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototransistor Right Angle 0.3 Ma |
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LTR-743DBM1-TA |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:100 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Lite-On; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:6.4 mm; 高度:5.8 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Phototransistor PTX TBIT. 15" HT T/R |
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LTDL-TA16A |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photo IC Sensors; 低电平输出电压:0.8 V; 商标:Lite-On; 波长:650 nm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 25 C; 传播延迟时间:100 ns; 工作电源电压:2.75 V to 5.25 V; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光IC传感器 Opto Link 16M BPS Transmitter 7x3 |
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APTD3216P3C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:1 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 3.2x1.6mm PHOTOTRANS SMD LED |
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LTR-526AD |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:100 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Lite-On; 宽度:4 mm; 类型:Infrared Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5 mm; 高度:6.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Phototrans Filtered |
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HSDL-5400#011 |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:0.8 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.5 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.6 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.62E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:1 mA; 商标:Lite-On; 宽度:2.16 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.34 mm; 高度:2.41 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:110 deg; 下降时间:7.5 ns; 上升时间:7.5 ns; Vr - 反向电压 :40 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:875 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:2 mm x 2 mm; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Polyled Detector Gullwing |
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LTR-536AB |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:100 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Lite-On; 宽度:3 mm; 封装:Bulk; 长度:5.2 mm; 高度:7.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Phototransistor Pin,.100", 2uA |
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LTR-536AD |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:100 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Lite-On; 宽度:3 mm; 类型:Infrared Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5.2 mm; 高度:7.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Phototrans Filtered |
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OP954 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.2 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:8 uA; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:1 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:2.67 mm; 类型:PIN Silicon Photodiode; 封装:Bulk; 长度:4.57 mm; 高度:6.22 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode |
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OP955 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.2 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:18 uA; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:1 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:2.67 mm; 类型:PIN Silicon Photodiode; 封装:Bulk; 长度:4.57 mm; 高度:6.22 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:45 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode |
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OPR5910 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:450; 响应率:0.45 A/W; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:3 mm; 封装:Bulk; 长度:3 mm; 高度:1.47 mm; 系列:OPR591x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vr - 反向电压 :35 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode |
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10TP583T |
Semitec |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:50; 产品类型:IR Detectors; 光敏感性:15 V/W; 工作电源电压:-; 噪声等效功率 - NEP:2.2 nW/sqrt Hz; 元件温度:-; 元件大小:1.05 mm x 1.05 mm; 元件电阻（暗）:-; 探测能力D-star (500, f, 1):4.7E7 cm sqrt Hz/W; 商标:Semitec; 宽度:5.6 mm; 响应时间:-; 工作温度范围:- 20 C to + 100 C; 材料:-; 长度:5.6 mm; 高度:2.85 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 20 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 类型:Thermopile; 产品:Thermal Infrared Detectors; RoHS:E; 制造商:Semitec; |
红外探测器 Infrared Sensor TO18 |
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OPF792 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:50; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:7.98 mm; 类型:Short Wavelenght PIN Photodiode; 封装:Tray; 长度:12.7 mm; 高度:20.5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:2 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.5 nA; 峰值波长:800 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Pin Photodiode |
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OPR5913 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:90; 响应率:0.4 A/W; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:8.99 mm; 封装:Tube; 长度:8.99 mm; 高度:1.47 mm; 系列:OPR591x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vr - 反向电压 :10 V; 暗电流:100 nA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode |
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OPF794 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:75; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:10.41 mm; 封装:Tray; 长度:12.7 mm; 高度:20.57 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:2 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.5 nA; 峰值波长:800 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Pin Photodiode |
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LTR-323DB |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:100 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Lite-On; 宽度:5.6 mm; 封装:Bulk; 长度:5.6 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Photo Diode Dark |
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HSDL-5420 |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:0.8 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 响应率:0.5 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.62E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:1 mA; 商标:Lite-On; 宽度:2.16 mm; 封装:Bulk; 长度:2.34 mm; 高度:2.92 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:28 deg; 下降时间:7.5 ns; 上升时间:7.5 ns; Vr - 反向电压 :40 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:875 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:2 mm x 2 mm; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Polyled Detector Straight Leads |
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OP999 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:15 uA; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:1 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.27 mm; 类型:PIN Silicon Photodiode; 封装:Bulk; 长度:6.22 mm; 高度:8.89 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Narrow Rcvng Angle 935nm |
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APT2012P3BT |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:1.25 mm; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2 mm; 高度:0.75 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:1 mA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.2 mA; 工作电源电压:5 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototransistor Blue Trans 1 mA |
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APA3010P3BT-GX |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 宽度:2 mm; 波长:940 nm; 类型:Right Angle Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.3 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3 mm x 2 mm x 1 mm; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 30/5V VBR 15us IR 3x1x2mm |
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LTR-516AD |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:100 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Lite-On; 宽度:4 mm; 类型:Infrared Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5 mm; 高度:6.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Phototrans Filtered |
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HSDL-5420#011 |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:0.8 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.5 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.62E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:1 mA; 商标:Lite-On; 宽度:2.16 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.34 mm; 高度:2.92 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:28 deg; 下降时间:7.5 ns; 上升时间:7.5 ns; Vr - 反向电压 :40 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:875 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:2 mm x 2 mm; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Polyled Detector Gullwing |
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WP3DP3BT |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:Photo Transistor; 封装:Bulk; 高度:5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.2 mA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 Phototrnstr 30/5V Blue Transprnt Lens |
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PT100MF0MP1 |
Sharp Microelectronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:7500; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:15 deg; 商标:Sharp Microelectronics; 宽度:1.5 mm; 波长:940 nm; 类型:IR Chip; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3 mm; 高度:2.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:75 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:5 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 峰值波长:910 nm; RoHS:Y; 制造商:Sharp Microelectronics; |
光电晶体管 PT 15 910nm 3.45mA 1.5Kpcs |
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AP1608P1C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.3 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 1.6x0.8mm PHOTOTRANS SMD LED |
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OP993 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.2 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:28.5 uA; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:1 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.83 mm; 类型:PIN Silicon Photodiode; 封装:Bulk; 长度:5.72 mm; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode |
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OP950 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1.2 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:18 uA; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:1 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:2.54 mm; 类型:PIN Silicon Photodiode; 封装:Bulk; 长度:4.57 mm; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode |
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OPR2100 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:200; 响应率:0.45 A/W; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:10.39 mm; 封装:Tube; 长度:11.4 mm; 高度:1.47 mm; 系列:OPB2100; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:10 nA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Photodiode Arrays; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode Array |
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OPR5925 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:150; 响应率:0.45 A/W; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:7.75 mm; 类型:Surface Mount Quad Photodiode; 封装:Tube; 长度:7.75 mm; 高度:1.47 mm; 系列:OPR5925; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vr - 反向电压 :35 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Quad Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Photodiode Four Element |
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WP7113P3C |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 宽度:5.9 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.9 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR WATER CLEAR |
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LTR-546AD |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:100 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Lite-On; 宽度:2.8 mm; 类型:Infrared Photodiode; 封装:Bulk; 长度:7 mm; 高度:7.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:50 ns; 上升时间:50 ns; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:30 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Phototrans Filtered |
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OPF480 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:200; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.72 mm; 封装:Tray; 长度:5.72 mm; 高度:4.27 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:80 deg; 上升时间:2 ns; Vr - 反向电压 :100 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:905 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 FIBER OPTIC PHOTODIO |
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OPF472 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:75; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:10.41 mm; 封装:Tray; 长度:12.7 mm; 高度:20.57 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :100 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:905 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Pin Photodiode |
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OPF430 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.7 mm; 类型:Fiber Optic High Speed PIN Photodiode; 封装:Tray; 长度:5.59 mm; 高度:3.33 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 半强度角度:80 deg; 上升时间:2 ns; Vr - 反向电压 :100 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:905 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-46-3; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Pin Photodiode |
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OPF420 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 响应率:0.55 A/W; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.44 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Tray; 长度:5.44 mm; 高度:3.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 半强度角度:80 deg; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :100 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:905 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-46-3; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Pin Photodiode |
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WP7113PD1BT/BD-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:2 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Kingbright; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:20 deg; 下降时间:6 ns; 上升时间:6 ns; Vr - 反向电压 :170 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 5mm PHOTODIODE |
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WP3DP3BT/BD-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Kingbright; 波长:940 nm; 类型:NPN; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW (1/10 W); 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.8 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:0.2 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电晶体管 3mm PHOTOTRANSISTOR |
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