| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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AS4C32M8SA-7TCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C32M8SA; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:55 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:32 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 256Mb, 3.3V, 143Mhz 32M x 8 S动态随机存取存储器 |
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IS62C25616BL-45TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62C25616BL; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 32M, 1.8V, 2Mx16 Async 静态随机存取存储器 5v |
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IS61C25616AL-10KLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:16; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61C25616AL; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4M (256Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器 |
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IS61WV25616BLL-10KLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:16; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV25616BLL; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 256K x 16 Async 静态随机存取存储器 |
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AS7C4096A-15TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C4096A-15; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP II-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 3.3V, 15ns, FAST 512K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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AS7C4096A-12JIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:19; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C4096A-12; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M, 3.3V, 12ns, FAST 512K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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AS4C2M32S-6BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C2M32S; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.4 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:2 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TFBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 2M x 32 S动态随机存取存储器 |
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71016S15PHGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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SST39VF1601-70-4C-B3KE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 标准:Common Flash Interface (CFI); 编程电压:2.7 V to 3.6 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sectored; 宽度:6 mm; 类型:Boot Block; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 长度:8 mm; 高度:0.75 mm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:1 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 16M (1Mx16) 70ns Commercial Temp |
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S25FL127SABMFV000 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:108 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:108 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:24 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL127S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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71256SA25TPG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:28; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:34.3 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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S25FL128SAGNFV001 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:82; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S25FL128S; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL064S70TFI020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29GL064S; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 64Mb, 3.0V Parallel NOR闪存 |
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TC58NYG1S3HBAI4 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 结构:Block Erase; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:256 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
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71V416L10PHG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416L10; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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S25FL256SAGBHVC00 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:BGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL064N90BFI032 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:800; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:8 M x 8/4 M x 16; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29GL064N; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S29GL064N90BFI042 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:800; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:8 M x 8/4 M x 16; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29GL064N; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY62147GE-45ZSXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 Micropower 静态随机存取存储器s |
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CY62138FLL-45SXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62138FLL; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:18 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 2Mb 45ns 256K x 8 Low Power 静态随机存取存储器 |
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71V424S15YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V424; 存储类型:SDR; 长度:23.4 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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S29GL512T11TFV020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AT28HC256-12TU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:50 ns; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:80 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:11.8 mm; 长度:8 mm; 高度:1 mm; 封装:Tray; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:120 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:TSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K 5V SDP - 120NS IND TEMP |
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AT28HC256E-90SU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:40 ns; 工作电源电压:5 V; 工作电源电流:80 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:7.6 mm (Max); 长度:18.1 mm (Max); 高度:2.35 mm (Max); 封装:Tube; 系列:AT28HC256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:80 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:90 ns; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-28; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K HI-ENDURANCE SDP - 90NS IND TEMP |
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S29GL01GS11DHV020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01G/512/256/128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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CY7C1367C-166AXC |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:2; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1367C; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:3.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 9Mb 166Mhz 512K x 18 Pipelined Sync 静态随机存取存储器 |
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DS1220AB-120+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.29 mm; 类型:NVSRAM; 长度:34.04 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1220AB; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:75 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:120 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-24; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
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CY7C1356C-166AXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:2; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1356C; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:3.5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 9Mb 166Mhz 512K x 18 Pipelined 静态随机存取存储器 |
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SN74V215-7PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V215; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 Synchronous 先进先出 Memory |
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CY14B104NA-ZSP45XI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY14B104NA; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM |
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DS1245AB-85+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:11; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:43.69 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1245AB; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:85 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-32; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
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CY14B104K-ZS25XI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY14B104K; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 封装 / 箱体:TSOP II-44; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM |
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IS42S16100H-6BL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:286; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS42S16100H; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:55 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:16 Mbit; 组织:1 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 16M, 3.3V, S动态随机存取存储器 1Mx16, 166Mhz,RoHS |
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IS61WV6416BLL-12TLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV6416BLL; 数据速率:SDR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.97 V; 电源电压-最大:3.63 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 12ns/3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v |
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AS7C256A-12JCN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:25; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C256A-12; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 256K, 5V, 12ns, FAST 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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AS6C62256-55STIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS6C62256; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:sTSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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AS6C1008-55STIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS6C1008; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:55 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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IS45S16400J-7TLA1 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS45S16400J; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.5 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:64 Mbit; 组织:4 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 64M (4Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v |
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IS65C256AL-25ULA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:120; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS65C256AL; 数据速率:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOP-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 256K 32Kx8 25ns 5V Async 静态随机存取存储器 |
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IS43TR16640B-125JBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16640B; 电源电流—最大值:100 mA; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS43DR16640B-25DBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR16640B; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:64 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器 |
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IS34ML01G084-TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:IS34ML01G084; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存 |
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IS34ML01G081-TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:IS34ML01G081; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存 |
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AS4C64M8D2-25BIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:264; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M8D2; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:400 ps; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:64 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2 |
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IS42SM16160K-75BLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:348; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42SM16160K; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256M, 3.3V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR |
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IS62WV102416DBLL-45TLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS62WV102416DBLL; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:12 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16Mb, Low Power/ Power Saver |
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IS43TR85120A-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:220; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR85120A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:250 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, 1600MT/s 512Mx8 DDR3 S动态随机存取存储器 |
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AS7C316098A-10TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C316098A; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:1 M x 16; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 16M, 3.3V, 10ns FAST 1024K x 16 Asyn 静态随机存取存储器 |
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AT24C01C-XHM-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tube; 系列:AT24C01C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 2-WIRE 8 TSSOP PB HALOFREE NiPdAu 1.7V |
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93AA46AE48-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:93AA46A/B/C; 组织:128 x 8, 64 x 16; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128 X 8 SERIAL EE 1K EUI48, IND |
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