| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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71V124SA15TYGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V124; 存储类型:SDR; 长度:21.95 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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71124S15YGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71124S15; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:155 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71024S12YGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:23; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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S29GL032N11FFIS10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:4 M x 8/2 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:S29GL032N; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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71V256SA15YGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V256SA; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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71V416S12YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:16; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416S12; 存储类型:SDR; 长度:28.6 mm; 高度:2.9 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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71V3577S75PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V3577S75; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:255 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:117 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 4M 3.3V I/O PB静态随机存取存储器 SLOW X |
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71V546S100PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V546; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:250 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED 静态随机存取存储器 |
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71256L25YGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:270; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256L25; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:125 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71V416L10BEG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:250; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:9 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416L10; 存储类型:SDR; 长度:9 mm; 高度:1.2 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:CABGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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RMLV0816BGSA-4S2#AA0 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 8Mb 3V Adv.静态随机存取存储器 x16 TSOP48, 45ns, WTR |
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RMLV0808BGSB-4S2#AA0 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 8Mb 3V Adv.静态随机存取存储器 x8 TSOP44, 45ns, WTR |
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71V65603S100PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V65603; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:250 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V |
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7130LA20TFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:40; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7130LA20; 存储类型:SDR; 长度:10 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAM |
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DS1330WP-150+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:40; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Maxim Integrated; 宽度:25.02 mm; 类型:NVSRAM; 长度:23.5 mm; 高度:2.03 mm; 封装:Tube; 系列:DS1330W; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:50 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:150 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:PowerCap Module-34; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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7024L20PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7024; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:4 k x 16; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 4K X 16 DP 静态随机存取存储器 |
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7006L20JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:24 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7006L20; 存储类型:SDR; 长度:24 mm; 高度:3.63 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-68; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:320 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 16K X 8 DP 静态随机存取存储器 |
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M24C64T-FCU6T/TF |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:M24C64T-FCU; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:2 mA, 2.5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:WLCSP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 MEMORY |
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SDIN8DE2-8G-A |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:120 MB/s; 连续读取:30 MB/s; 存储容量:8 GB; 系列:SDIN8DE2; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 8GB 4.51 HS200 Auto. eMMC |
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S-93C66BD0I-J8T1G |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:ABLIC; 宽度:3.9 mm; 长度:5.02 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-93C46B/56B/66B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:0.8 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:256 x 16; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 4K (256X16) Hi-Speed |
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MT29F4G08ABADAH4:D TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 标准:Not Supported; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 类型:No Boot Block; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA |
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S-93C46BD0I-J8T1G |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 商标:ABLIC; 宽度:3.9 mm; 长度:5.02 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-93C46B/56B/66B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:64 x 16; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 1K (64X16) Hi-Speed |
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SDIN8DE1-8G-A |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:90 MB/s; 连续读取:17 MB/s; 存储容量:8 GB; 系列:SDIN8DE1; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC 8GB 4.51 HS200 Auto. eMMC |
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MTFC8GACAALT-4M IT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TBGA-100; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 尺寸:14 mm x 18 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:24 MB/s; 连续读取:120 MB/s; 存储容量:8 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC |
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W971GG8SB25I |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:264; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W971GG8SB; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:75 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:WBGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
动态随机存取存储器 1Gb, DDR2-800, x8. Ind temp |
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IS62WV2568DBLL-45HLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS62WV2568DBLL; 存储类型:CMOS; 封装:Tray; 封装 / 箱体:sTSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:45 ns; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 2Mb 256K x 845ns Async 静态随机存取存储器 |
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S-93C76AFT-TB-U |
ABLIC |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ABLIC; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm (Max); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:S-93C76A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:10 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:512 x 16; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ABLIC; |
电可擦除可编程只读存储器 电可擦除可编程只读存储器 8Kb 3 wire |
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IS25WP016-JBLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:2 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:13 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:16 Mbit; 系列:IS25WP016D; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 16Mb QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS |
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BR25L040FJ-WE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.38 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR25L040-W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOP-J-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI 512X8 BIT |
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MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT29T; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 ALL IN ONE MCP 72G |
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MT46V16M16P-5B XIT:M |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT46V; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:175 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:2.7 V; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR 256M 16MX16 TSOP |
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MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT |
Micron Technology |
存储器 IC |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1782; 产品类型:Multichip Packages; 湿度敏感性:Yes; 数据总线宽度:8 bit, 32 bit; 商标:Micron; 封装:Tray; 组织:128 M x 8, 16 M x 32; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:200 MHz; 安装风格:SMD/SMT; 系列:MT29C; 封装 / 箱体:VFBGA-130; 存储容量:1 Gbit, 512 Mbit; 类型:NAND Flash, Mobile LPDDR1; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
多芯片封装 MASSFLASH/MOBILE DDR 1.5G |
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S29GL01GT11DHIV10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit Eclipse; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:128 M x 8/64 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Gbit; 系列:S29GL01GT; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:N; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 NOR |
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7130LA100PDG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:7; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 系列:7130; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 1Kx8 Dual Port Ram High Speed TTL |
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70V657S10BFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:7; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:15 mm; 类型:Asynchronous; 系列:70V657; 存储类型:SDR; 长度:15 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:CABGA-208; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:500 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:32 k x 36; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx36 STD-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM |
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IS43R83200F-6TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:108; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43R83200F; 封装 / 箱体:TSOP-66; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz |
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11LC010T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:11LC010; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 2.5V SERIAL EE IND |
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24AA00T-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 x 8; 存储容量:128 bit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16byte 128kb 1.8V |
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BR24G08F-3GTE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA, 2 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24G08F-3; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:0.5 mA, 2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 8K SOP8 电可擦除可编程只读存储器 |
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24LC02BH-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP |
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BR24T02FJ-WE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24T02-W; 封装 / 箱体:SOP-J-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS INTERF 8PIN SNGL PWR 1.7-5.5V |
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24LC01BH-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 系列:24LC01B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 SER EE 2.5V IND 1/2 ARAY WP |
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24LC014T-I/OT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:1.63 mm; 长度:2.95 mm; 高度:1.1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-6; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V IND |
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BR24T04FVT-WE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.6 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR24T04-W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.6 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:40 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-B-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 4K TSSOP-B8 电可擦除可编程只读存储器 |
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34AA02T-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:34AA02; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256 X 8 18V SERIAL EE IND |
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93LC46AT-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:93LC46A/B/C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x8 |
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93C46AT-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:93C46A/B/C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x8 |
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DS1245YP-70IND+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Maxim Integrated; 宽度:25.02 mm; 类型:NVSRAM; 长度:23.5 mm; 高度:2.03 mm; 封装:Tube; 系列:DS1245YP; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:70 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:PowerCap Module-34; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
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IS25LQ010B-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 接口类型:Quad SPI; 系列:IS25LQ010B; 封装 / 箱体:WSON-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 1Mb QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS |
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IS43DR16160B-37CBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:209; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43DR16160B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 访问时间:500 ps; 最大时钟频率:266 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-84; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR2; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 267MHz 16Mx16 DDR2 S动态随机存取存储器 |
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