| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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DS2502-E64+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EPROM; 工作电源电压:2.8 V to 6 V; 商标:Maxim Integrated; 封装:Bulk; 系列:DS2502-E64; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.8 V; 电源电压-最大:6 V; 编程电压:11.5 V to 12 V; 工作电源电流:5 uA; 接口类型:1-Wire; 组织:1 k x 1; 存储容量:1 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
可擦除可编程ROM IEEE EUI-64 Node Address Chip |
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W29N01HZBINF |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:420; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:W29N01HZ; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NAND闪存 1G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC x8 |
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CY7C1019DV33-10BVXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY7C1019DV33; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:-; 访问时间:10 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 1Mb 10ns 3.3V 128Kx8 Fast Async 静态随机存取存储器 |
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CY62137EV30LL-45BVXI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MoBL; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Asynchronous; 系列:CY62137EV30LL; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:VFBGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:128 k x 16; 存储容量:2 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
静态随机存取存储器 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP 静态随机存取存储器 |
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S29GL064S70TFA013 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S29GL064S; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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AT28BV64B-20JU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 编程电压:2.7 V to 3.6 V; 产品类型:EEPROM; 输出启用访问时间:80 ns; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:15 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:11.51 mm (Max); 长度:14.1 mm (Max); 高度:2.79 mm (Min); 封装:Tube; 系列:AT28BV64B; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:15 mA; 数据保留:10 Year; 访问时间:150 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 200NS IND TEMP PKG- 200NS IND TEMP |
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S25FL256SDPMFIG10 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Eclipse; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb 3V 66MHz Serial NOR闪存 |
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S25FL256SAGMFI010 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 256Mb 3V 133MHz Serial NOR闪存 |
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BQ2205LYPW |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 存储器通道数量:1; 锂电池监视器:Yes; 商标:Texas Instruments; 宽度:4.4 mm; 类型:Non-Volatile SRAM (NVSRAM); 系列:BQ2205LY; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 长度:5 mm; 高度:1.15 mm; 描述/功能:Provides all the necessary functions for converting one or two banks; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 工作电源电流:210 uA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 电池备用开关:Yes; 存储类型:Nonvolatile SRAM; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 Battery Back-up for Dual SRAM Banks |
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AT27C2048-55JU |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 产品类型:EPROM; 输出启用访问时间:20 ns; 工作电源电压:5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:55 ns; 封装:Tube; 系列:AT27C2048; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:13 V; 工作电源电流:100 uA; 接口类型:Parallel; 组织:128 k x 16; 存储容量:2 Mbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PLCC-44; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
可擦除可编程ROM 2Mb (128Kx16) OTP 5V 55ns |
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S26KS128SDPBHI020 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:166 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S26KL/S26KS; 封装 / 箱体:FBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 Nor |
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S25FL512SDPMFI011 |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Eclipse; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S25FL512S; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NOR闪存 512Mb 3V 66MHz Serial NOR闪存 |
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CY14B101LA-BA45XI |
Cypress Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:299; 产品类型:NVRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 封装:Tray; 系列:CY14B101LA; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; |
NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM |
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DS1230AB-200+ |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:12; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:39.12 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1230AB; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:200 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-28; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
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DS1249AB-70# |
Maxim Integrated |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:9; 产品类型:NVRAM; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Maxim Integrated; 宽度:18.8 mm; 类型:NVSRAM; 长度:43.69 mm; 高度:9.4 mm; 封装:Tube; 系列:DS1249AB; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 工作电源电流:85 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 访问时间:70 ns; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; 接口类型:Parallel; 封装 / 箱体:EDIP-32; RoHS:E; 制造商:Maxim Integrated; |
NVRAM 2048k Nonvolatile SRAM |
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IS25WP080D-JBLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 系列:IS25WP080D; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-8; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 8M QSPI, 8-pin SOP 208mil ET |
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AS7C3256A-10TIN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:Asynchronous; 系列:AS7C3256A-10; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 256K 3.3V 10ns FAST 32K x 8 Asynch 静态随机存取存储器 |
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34AA04T-I/MNY |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 3.6 V; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:34AA04; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1.5 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4K Serial 电可擦除可编程只读存储器 SPD 电可擦除可编程只读存储器 for DDR4 |
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24C02C-I/MS |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:1 ms; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 |
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93AA56B-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 16; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 128x16 - 1.8V |
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24AA024-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.4 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 - 1.8V |
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24LC024-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.4 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:24LC024; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256x8 |
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AT25DN256-SSHF-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25DN256; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 256K, 2.3V, 104Mhz Serial Flash |
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93LC66CT-I/MC |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.88 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:200 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:512 x 8, 256 x 16; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 4K 128X8 OR 64X16 SER EE IND |
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24C01CT-I/MC |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:1 mA, 3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:2 mm; 高度:0.88 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:1 mA, 3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:DFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128X8 SER EE IND |
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24LC04BT-E/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC04B; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 512x8 - 2.5V |
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CAT24C08C4ATR |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:CAT24C08; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:1 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:WLCSP-4; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 8KB I2C SER 电可擦除可编程只读存储器 |
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25LC020AT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256X8 2.5V SER EE IND |
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M95040-DRMN3TP/K |
STMicroelectronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:5.5 V; 商标:STMicroelectronics; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q100; 系列:M95040-A125; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:4 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
电可擦除可编程只读存储器 Auto 4-Kb SPI bus 电可擦除可编程只读存储器 |
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24LC64FT-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:0.1 mA, 0.05 uA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC64F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64K 8K X 8 2.5V SER EE IND 1/4AWP |
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CAT24C64YI-G |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ON Semiconductor; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:0.9 mm; 封装:Tube; 系列:CAT24C64; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:0.4 MHz; 数据保留:100 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 (8192x8) 64K 1.8-5.5 |
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24AA64F-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:24AA64F; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64K 8K X 8 1.8V SER EE IND 1/4AWP |
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24VL024/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.5 V to 3.6 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V , 2.5 V , 3.3 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 系列:24VL024; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:0.1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2K 256 X 8 SERIAL EE 1.5V |
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25AA080D-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:160 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 16B PAGE 1.8V SER EE IND |
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25LC160DT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K 2K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE IND |
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25LC080AT-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8k 1kx8 16B Pg -2.5V |
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25LC080B-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:6 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:6 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 8k 1kx8 32B Pg -2.5V |
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24AA256-E/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 封装:Tube; 系列:24AA256; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 256K, 32Kx8, 1.8V SER EE, ExT |
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AT88SC018-SU-CM |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 宽度:3.99 mm (Max); 长度:5.05 mm (Max); 高度:1.5 mm (Max); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:10 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 4; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 CryMem Comp 8ld, Green |
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25LC160-I/P |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 编程电压:3.3 V, 5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.27 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:5 ms; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2kx8 - 2.5V |
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BR25G256FJ-3GE2 |
ROHM Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:BR25G256FJ-3; 封装 / 箱体:SOP-J-8; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 SPI BUS 电可擦除可编程只读存储器 |
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SST39SF020A-70-4I-WHE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:208; 标准:Not Supported; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:SST39SF; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 256K X 8 70ns |
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71256SA20YG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:27; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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SST39LF400A-55-4C-EKE |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 标准:Common Flash Interface (CFI); 编程电压:3 V to 3.6 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sectored; 宽度:18.5 (Max) mm; 类型:No Boot Block; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 长度:12.2 (Max) mm; 高度:1.05 (Max) mm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:256 k x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39LF; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4M (256K x 16) 55ns |
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W29N01HZBINA |
Winbond |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:420; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 系列:W29N01HZ; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NAND闪存 1G-bit NAND flash, 1.8V, 1-bit ECC x8 |
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TC58NVG0S3HBAI6 |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:1 Gbit; 封装 / 箱体:VFBGA-67; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
NAND闪存 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
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71016S12YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71016; 存储类型:SDR; 长度:28.6 mm; 高度:2.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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93C46B-I/ST |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA, 100 uA; 商标:Microchip Technology; 宽度:4.4 mm; 长度:3 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 系列:93C46A/B/C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:2 mA, 1 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:6 ms; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:64 x 16; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:TSSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 64x16 |
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24LC01BT-E/LT |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 编程电压:2.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:1.35 mm (Max); 长度:2.2 mm (Max); 高度:1 mm (Max); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:24LC01B; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SC-70-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 2.5V SERIAL EE EXT |
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24AA16H-I/SN |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:3500 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 16K 2KX8 1.8V SERIAL EE IND 1/2 ARRAY WP |
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