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器件图 型号/料号 品牌/制造商 类目 参数 说明
W978H6KBVX2E 存储器 IC W978H6KBVX2E Winbond 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:168; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 系列:W978H6KB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 电源电流—最大值:22.5 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 最大时钟频率:400 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:16 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-134; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR2; RoHS:Y; 制造商:Winbond; 动态随机存取存储器 256Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 ~ 85C
S29GL128S90FAI010 存储器 IC S29GL128S90FAI010 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:8 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S29GL128S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
S25FL256SDPMFV001 存储器 IC S25FL256SDPMFV001 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:47; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:66 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:66 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
S25FL256SAGMFV010 存储器 IC S25FL256SAGMFV010 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S25FL256S; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
S26KS128SDPBHV020 存储器 IC S26KS128SDPBHV020 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:HyperFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:338; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:166 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:180 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S26KL/S26KS; 封装 / 箱体:FBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
CY62148G30-45ZSXI 存储器 IC CY62148G30-45ZSXI Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:117; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:SOIC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 静态随机存取存储器 MoBL 静态随机存取存储器 4-Mbit
CY62148G-45SXI 存储器 IC CY62148G-45SXI Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:125; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:45 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 静态随机存取存储器 MoBL 静态随机存取存储器 4-Mbit
S29GL512T11TFV010 存储器 IC S29GL512T11TFV010 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:91; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:64 M x 8/32 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:S29GL512T; 封装 / 箱体:TSOP-56; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 Nor
7201LA12TPG 存储器 IC 7201LA12TPG Renesas Electronics 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:14; 产品类型:FIFO; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 系列:7201L; 长度:34.3 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; 先进先出 512 X 9 CMOS PARALLEL FIF
CY7C1370KV33-200AXC 存储器 IC CY7C1370KV33-200AXC Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:178 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S
IS25LQ025B-JKLE 存储器 IC IS25LQ025B-JKLE ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:104 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 k x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:256 kbit; 系列:IS25LQ025B; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; NOR闪存 256Kb QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS
AS4C64M8D1-5BCN 存储器 IC AS4C64M8D1-5BCN Alliance Memory 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:240; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:AS4C64M8D1; 组织:64 M x 8; 类型:SDRAM - DDR1; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1
IS61LPS12836EC-200TQLI 存储器 IC IS61LPS12836EC-200TQLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Synchronous Pipelined SRAM; 系列:IS61LPS12836EC; 存储类型:Synchronous; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:210 mA; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电压-最大:3.3 V; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:3.1 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 4Mb, 3.3v, 200Mhz 128K x 36 Sync 静态随机存取存储器
BR93L66RF-WE2 存储器 IC BR93L66RF-WE2 ROHM Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 编程电压:1.8 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:4.5 mA; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:4.4 mm; 长度:5 mm; 高度:1.5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BR93L66-W; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 最大时钟频率:0.5 MHz; 数据保留:40 Year; 访问时间:200 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:256 x 16; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; 电可擦除可编程只读存储器 McrWre BUS 3-Wre 4K SOP8 电可擦除可编程只读存储器
25LC160CT-I/SN 存储器 IC 25LC160CT-I/SN Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:5 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:100 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 16K 2K X 8 16B PAGE 2.5V SER EE IND
25LC320AT-I/MS 存储器 IC 25LC320AT-I/MS Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:25LC320A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 32K 4KX8 2.5V SER EE IND
24AA128-I/MS 存储器 IC 24AA128-I/MS Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:1.7 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Tube; 系列:24AA128; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 16kx8 - 1.8V
25AA320A-I/P 存储器 IC 25AA320A-I/P Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V, 3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.4 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:25AA320A; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:5 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:50 ns; 接口类型:Serial, 4-Wire, SDI, SPI; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 32K 4KX8 1.8V SER EE IND
AT25DF512C-MAHN-T 存储器 IC AT25DF512C-MAHN-T Adesto Technologies 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT25DF512C; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; NOR闪存 512K, 1.65V, 85Mhz Serial Flash
93LC76-I/SN 存储器 IC 93LC76-I/SN Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 编程电压:2.5 V to 6 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 6 V; 工作电源电流:3 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 系列:93LC76; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:6 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:2 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:1 k x 8, 512 x 16; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 516x8 Or 1024x8
SST39VF010-70-4C-WHE 存储器 IC SST39VF010-70-4C-WHE Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:208; 标准:Not Supported; 编程电压:2.7 V to 3.6 V; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sectored; 宽度:12.5 (Max) mm; 类型:No Boot Block; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 长度:8.1 (Max) mm; 高度:1.05 (Max) mm; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:128 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:1 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:TSOP-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; NOR闪存 128K X 8 70ns
AT45DB021E-SHN2B-T 存储器 IC AT45DB021E-SHN2B-T Adesto Technologies 存储器 IC 商标名:DataFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 结构:Chip Erase; 速度:70 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 最大时钟频率:70 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:2 Mbit; 系列:AT45DB021E; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; NOR闪存 2M 1.65-3.6V 70Mhz Data Flash
SST39VF040-70-4C-NHE-T 存储器 IC SST39VF040-70-4C-NHE-T Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 结构:Sector; 速度:70 ns; 存储类型:NOR; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:SST39VF; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; NOR闪存 4M (512Kx8) 70ns 2.7-3.6V Commercial
S29AL008J55TFIR20 存储器 IC S29AL008J55TFIR20 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:55 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:8 Mbit; 系列:S29AL008J; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 8M 3V 55ns Parallel NOR闪存
71V016SA12PHG 存储器 IC 71V016SA12PHG Renesas Electronics 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
S25FS064SAGMFV010 存储器 IC S25FS064SAGMFV010 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:280; 标准:Common Flash Interface (CFI); 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:MirrorBit Eclipse; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:S25FS064S; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 64 Mbit (8 Mbyte) 1.8-V FS-S Flash
AT27BV256-70JU 存储器 IC AT27BV256-70JU Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 产品类型:EPROM; 输出启用访问时间:50 ns; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 访问时间:70 ns; 封装:Tube; 系列:AT27BV256; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.7 V, 4.5 V; 电源电压-最大:3.6 V, 5.5 V; 编程电压:13 V; 工作电源电流:20 mA; 接口类型:Parallel; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:PLCC-32; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 可擦除可编程ROM 256k (32k x 8) OTP Atmel 可擦除可编程ROM
S29GL032N90FFI020 存储器 IC S29GL032N90FFI020 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:90 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit/16 bit; 组织:4 M x 8/2 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:S29GL032N; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 32MB 2.7-3.6V 90ns Parallel NOR闪存
W25Q256JVBIQ 存储器 IC W25Q256JVBIQ Winbond 存储器 IC 商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:W25Q256JV; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; NOR闪存 spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector
S29GL128P11FFIV10 存储器 IC S29GL128P11FFIV10 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:S29GL-P; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 128MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR闪存
TH58BVG2S3HBAI4 存储器 IC TH58BVG2S3HBAI4 Kioxia 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:210; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 结构:Block Erase; 速度:25 ns; 产品:NAND Flash; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Synchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 封装 / 箱体:TFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; NAND闪存 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
S29GL256S10DHI020 存储器 IC S29GL256S10DHI020 Cypress Semiconductor 存储器 IC 商标名:MirrorBit; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:260; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress / Spansion; 结构:Sector; 速度:100 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:16 M x 16; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL256S; 封装 / 箱体:FBGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 256Mb 3V 100ns Parallel NOR闪存
S29GL256P11FFIV20 存储器 IC S29GL256P11FFIV20 Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:180; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 结构:Sector; 速度:110 ns; 存储类型:NOR; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:S29GL-P; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; NOR闪存 256M 3.0V 110ns Parallel NOR闪存
SN74ALVC7804-40DL 存储器 IC SN74ALVC7804-40DL Texas Instruments 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ALVC7804; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.04 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:18 ns; 最大时钟频率:25 MHz; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; 先进先出 16-Bit Bus Trnscvr With 3-State Outputs
TH58BVG3S0HTA00 存储器 IC TH58BVG3S0HTA00 Kioxia 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 最大时钟频率:-; 商标:Kioxia America; 存储类型:NAND; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; NAND闪存 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
CY7C1262XV18-450BZXC 存储器 IC CY7C1262XV18-450BZXC Cypress Semiconductor 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Cypress Semiconductor; 类型:Synchronous; 系列:CY7C1262XV18; 存储类型:Volatile; 封装:Tray; 封装 / 箱体:FBGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:1.205 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:450 MHz; 访问时间:130 ps; 组织:2 M x 18; 存储容量:36 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Cypress Semiconductor; 静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 静态随机存取存储器
IS61C64AL-10JLI 存储器 IC IS61C64AL-10JLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:25; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61C64AL; 数据速率:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 64K 8Kx8 10ns 5V Async 静态随机存取存储器
IS61WV6416BLL-12TLI 存储器 IC IS61WV6416BLL-12TLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV6416BLL; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 uA; 电源电压-最小:2.97 V; 电源电压-最大:3.63 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:83 MHz; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 12ns/3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v
IS25WP128-JLLE 存储器 IC IS25WP128-JLLE ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 结构:Sector; 速度:133 MHz; 存储类型:NOR; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:13 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.65 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS25WP128; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
IS61C25616AS-25TLI 存储器 IC IS61C25616AS-25TLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 端口数量:1; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61C25616AS; 存储类型:SDR; 数据速率:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:15 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 静态随机存取存储器 4M (256Kx16) 25ns Async 静态随机存取存储器
IS42SM16800H-75BLI 存储器 IC IS42SM16800H-75BLI ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:348; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:IS42SM16800H; 封装 / 箱体:BGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 8Mx16, 133Mhz, RoHS
IS43TR16128B-15HBL 存储器 IC IS43TR16128B-15HBL ISSI 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:260 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:666 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; 动态随机存取存储器 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 S动态随机存取存储器
11LC010-I/SN 存储器 IC 11LC010-I/SN Microchip 存储器 IC 商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Tube; 系列:11LC010; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 1K 128X8 2.5V SERIAL EE IND
24C00T-I/SN 存储器 IC 24C00T-I/SN Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3300; 编程电压:4.5 V to 5.5 V; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:500 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3.9 mm; 长度:4.9 mm; 高度:1.25 mm (Min); 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:400 kHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:900 ns; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:16 x 8; 存储容量:128 bit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 16byte 128b 5V
24AA01HT-I/LT 存储器 IC 24AA01HT-I/LT Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:24AA01; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-5; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 SERIAL EE 1.8V IND 1/2ARRAY WP
11AA040-I/TO 存储器 IC 11AA040-I/TO Microchip 存储器 IC 商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology; 封装:Bulk; 系列:11AA040; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:512 x 8; 存储容量:4 kbit; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 4K 512 X 8 1.8V SERIAL EE, IND
93AA46AT-I/MS 存储器 IC 93AA46AT-I/MS Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V, 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:93AA46A/B/C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 128x8
11LC020-I/P 存储器 IC 11LC020-I/P Microchip 存储器 IC 商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:60; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 工作电源电流:5 mA; 商标:Microchip Technology; 宽度:6.35 mm; 长度:9.46 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 系列:11LC020; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:50 uA; 最大时钟频率:100 kHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:DIP-8; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 2K 256X8 2.5V SERIAL EE IND
93C46BT-I/MS 存储器 IC 93C46BT-I/MS Microchip 存储器 IC 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:4.5 V, 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology; 宽度:3 mm; 长度:3 mm; 高度:0.85 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:93C46A/B/C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:3 MHz; 数据保留:200 Year; 访问时间:250 ns; 接口类型:Serial, 3-Wire, Microwire; 组织:64 x 16; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:MSOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 64x16
11AA080-I/TO 存储器 IC 11AA080-I/TO Microchip 存储器 IC 商标名:UNI/O; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:EEPROM; 商标:Microchip Technology; 封装:Bulk; 系列:11AA080; 数据保留:200 Year; 接口类型:Serial, 1-Wire, SDQ; 组织:1 k x 8; 存储容量:8 kbit; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Microchip; 电可擦除可编程只读存储器 8K 1024 X 8 1.8V SERIAL EE, IND
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