| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SFEM4096B1EA1TO-I-GE-12P-STD |
Swissbit |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Swissbit; 封装 / 箱体:BGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:PSLC; 存储容量:4 GB; 系列:EM-26; 制造商:Swissbit; |
eMMC Industrial Embedded MMC, EM-26, 4 GB, PSLC Flash, -40 C to +85 C |
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AT21CS11-MSH10-B |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3500; 产品类型:EEPROM; 工作电源电流:700 nA; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Tray; 系列:AT21CS01; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:4.5 V; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电流—最大值:3 uA; 最大时钟频率:125 kHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 封装 / 箱体:XSFN-2; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2.7-4.5V, 125Kbps, Ind Tmp, 2-XSFN, Add=000 |
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SST26VF020A-104I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 速度:104 MHz; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:256 k x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:Serial; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:2 Mbit; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 2Mb, 2.3V to 3.6V, SPI,SDI,SQI, 104MHz, I temp, 8-DFN |
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SST26VF040A-104I/MF |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:NOR Flash; 商标:Microchip Technology; 速度:104 MHz; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:Serial; 电源电流—最大值:20 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:4 Mbit; 封装 / 箱体:WDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
NOR闪存 4Mb, 2.3V to 3.6V, SPI,SDI,SQI, 104MHz, I temp, 8-DFN |
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SFEM032GB1EA1TO-I-LF-121-STD |
Swissbit |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:eMMC; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Swissbit; 封装 / 箱体:BGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 系列:EM-20; 制造商:Swissbit; |
eMMC Industrial Embedded MMC, EM-20, 32 GB, MLC Flash, -40 C to +85 C |
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SFEM2048B1EA1TO-I-GE-12P-STD |
Swissbit |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Swissbit; 封装 / 箱体:BGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:PSLC; 存储容量:2 GB; 系列:EM-26; 制造商:Swissbit; |
eMMC Industrial Embedded MMC, EM-26, 2 GB, PSLC Flash, -40 C to +85 C |
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MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA |
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MT53E128M16D1DS-053 AAT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:1866 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 |
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MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:1866 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 4G 128MX32 FBGA |
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MT29F8G01ADAFD12-IT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:8 G x 1; 接口类型:SPI; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
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MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA DDP |
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MT29F8G01ADBFD12-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:8 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
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MT40A512M16TB-062E:J TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA |
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MT40A1G8SA-062E:J TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:86 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 1GX8 FBGA |
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MT40A2G4SA-062E:J TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:86 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:2 G x 4; 数据总线宽度:4 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 2GX4 FBGA |
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MT41K1G8RKB-107:P TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
商标名:TwinDie; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 8G 1GX8 FBGA DDP |
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MTFC32GAPALBH-IT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:120 MB/s; 连续读取:320 MB/s; 存储容量:32 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC |
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MT40A1G16RC-062E IT:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:16 Gbit; 组织:1 G x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 16G 1GX16 FBGA |
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SDINBDA6-64G-ZA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:TLC; 存储容量:64 GB; 系列:SDINBDA6; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC iNAND 7550 Automotive Extended -40C+105C eMMC 5.1 HS400 |
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SDINBDA6-128G-XA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:TLC; 存储容量:128 GB; 系列:SDINBDA6; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC iNAND 7550 Automotive Wide Temp -40C+85C eMMC 5.1 HS400 |
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SDINBDA6-128G-ZA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:TLC; 存储容量:128 GB; 系列:SDINBDA6; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC iNAND 7550 Automotive Extended -40C+105C eMMC 5.1 HS400 |
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SDINBDA6-256G-ZA |
SanDisk |
存储器 IC |
商标名:iNAND; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:SanDisk; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.2 mm; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:TLC; 存储容量:256 GB; 系列:SDINBDA6; RoHS:Y; 制造商:SanDisk; |
eMMC iNAND 7550 Automotive Extended -40C+105C eMMC 5.1 HS400 |
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IS46TR16256BL-125KBLA2 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS46TR16256BL; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:116 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS |
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AT24CM02-SSHD-T |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:4000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:AT24CM02; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 k x 8; 存储容量:2 Mbit; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 2.5-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N |
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MT53D512M32D2DS-046 IT:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53D; 电源电压-最大:1.1 V; 最大时钟频率:2133 MHz; 存储容量:16 Gbit; 组织:512 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP |
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MT40A1G16RC-062E:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:16 Gbit; 组织:1 G x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 16G 1GX16 FBGA |
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MT41K512M16HA-125 :A |
Alliance Memory |
存储器 IC |
商标名:Micron; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:170; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 封装:Tray; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:88 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
动态随机存取存储器 8G 1.35V 512Mx16 800MHz DDR3 0C-90C |
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MTFC64GAPALBH-IT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:120 MB/s; 连续读取:320 MB/s; 存储容量:64 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC |
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IS21ES64G-JCLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:91.8 MB/s; 连续读取:255 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:64 GB; 系列:IS21ES64G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 64 GB, 153 Ball FBGA, 3.3V, RoHS |
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THGBMJG6C1LBAIL |
Kioxia |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Kioxia America; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 配置:MLC; 存储容量:8 GB; 系列:THGBM; RoHS:Y; 制造商:Kioxia; |
eMMC 8GB eMMC 5.1 2D 15nm -25C to 85C |
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MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA DDP |
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AT34C02D-MAHM-E |
Microchip |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Microchip Technology / Atmel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:AT34C02D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:1 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:Serial, 2-Wire, I2C; 组织:256 x 8; 存储容量:2 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
电可擦除可编程只读存储器 1.7-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-UDFN |
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NV25160DWHFT3G |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:2.5 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 电源电流—最大值:3 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:200 Year; 接口类型:SPI; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 16KB SPI SER CMOS E EPROM |
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AT25QF128A-SHB-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:AT25QF128A; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 128Mb, 133MHz, QPI,8-SOIC-W, IND TEMP, 2.7-3.6V, T&R |
 |
AT25SF128A-MHB-T |
Adesto Technologies |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:6000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Adesto Technologies; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:22 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:AT25SF128A; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Adesto Technologies; |
NOR闪存 128Mb, 133MHz, 8-UDFN (5x6x0.6), IND TEMP, 2.7-3.6V, T&R |
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W25Q128JWYIQ TR |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NOR Flash; 商标:Winbond; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:W25Q128JW; 封装 / 箱体:WLCSP-21; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 1.8V, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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W25Q128JWFIQ |
Winbond |
存储器 IC |
商标名:SpiFlash; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:352; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Winbond; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:W25Q128JW; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Winbond; |
NOR闪存 spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector |
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NV25256MUW3VTBG |
ON Semiconductor |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EEPROM; 工作电源电压:1.8 V to 5.5 V; 工作电源电流:2 mA; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:1.8 V; 电源电流—最大值:2 mA; 最大时钟频率:10 MHz; 数据保留:100 Year; 接口类型:SPI; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; 封装 / 箱体:UDFN-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
电可擦除可编程只读存储器 256KB SPI SER CMOS 电可擦除可编程只读存储器 |
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MT29F4G08ABAFAH4-IT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA |
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MT29F4G08ABAFAWP-IT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 TSOP |
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MT29F4G01ABBFDWB-IT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1920; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:4 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 UPDFN |
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MT25QL256ABA8E12-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX4 TBGA |
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MT25QU256ABA8E12-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX4 TBGA |
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MT29F4G08ABAFAH4-AIT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA |
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MT29F4G01ABBFD12-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:4 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 TBGA |
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MT29F4G01ABAFD12-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:4 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 TBGA |
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MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA |
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MT53E128M16D1DS-053 WT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:1866 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 2G 128MX16 FBGA |
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AS6C4008-70SAN |
Alliance Memory |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:22; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Alliance Memory; 类型:SRAM; 系列:AS6C4008; 存储类型:Volatile; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOP-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:70 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Alliance Memory; |
静态随机存取存储器 4M 512Kx8 70ns 2.7-5.5V Asynch AT |
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IS43LR16320C-5BLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:300; 产品类型:DRAM; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43LR16320C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - DDR; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR |
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