| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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71321LA55PPGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power Dual Port Static RAM; 系列:71321LA55; 存储类型:SRAM; 数据速率:16 bit; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TQFP-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:55 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2K x 8 Dual-Port RAM w/Int |
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7026L15JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power Dual Port Static RAM; 系列:7026L15; 存储类型:SRAM; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-84; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:285 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 组织:16 k x 16; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 |
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70V9289L9PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed 3.3 V Low Power Synchronous Dual Port Static RAM; 系列:70V9289L9; 存储类型:SRAM; 数据速率:32 bit; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:9 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K x 16 Sync, 3.3V Dual-Port Ram, Pipelined/Flow-Through |
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7142LA25JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:24; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 类型:Asynchronous; 系列:7142; 存储类型:SDR; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:220 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2K x 8 Dual-Port RAM |
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70V24L20JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power 3.3 V Dual Port Static RAM; 系列:70V24L20; 存储类型:SRAM; 数据速率:32 bit; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-84; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:20 ns; 组织:4 k x 16; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 4K x 16 3.3V Dual-Port RAM |
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7026L20JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power Dual Port Static RAM; 系列:7026L20; 存储类型:SRAM; 数据速率:32 bit; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-84; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:315 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:20 ns; 组织:16 k x 16; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 |
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71321LA55PPGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 类型:High Speed Low Power Dual Port Static RAM; 系列:71321LA55; 存储类型:SRAM; 数据速率:16 bit; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:55 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2K x 8 Dual-Port RAM w/Int |
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R1LP0408DSB-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:117; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB ADV. 5V TSOP32 55NS -40TO85C |
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R1LP5256ESA-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 256KB ADV. 5V TSOP28 55NS -40TO85C |
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R1LV0208BSA-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 2MB ADV. 3V STSOP32 55NS -40TO85C |
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R1LV5256ESA-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 256KB ADV. 3V TSOP28 55NS -40TO85C |
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R1LP0108ESA-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 5V STSOP32 55NS -40TO85C |
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R1LV0108ESA-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:234; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 3V STSOP32 55NS -40TO85C |
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R1LV0108ESF-5SI#B1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:156; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Tray; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 3V TSOP32 55NS -40TO85C |
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R1LP0108ESF-5SI#S1 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas Electronics; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 5V TSOP32 55NS -40TO85C |
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7284L12PAG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:34; 产品类型:FIFO; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 系列:7284L; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:12 ns; 最大时钟频率:50 MHz; 电路数量:1; 组织:4096 x 9; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:36.864 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 4K x 9 DualAsync 先进先出, 5.0V |
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71V416L15PHGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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71V416S15YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416S15; 存储类型:SDR; 长度:28.6 mm; 高度:2.9 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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71024S12TYG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:21.95 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71256SA12YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71256SA15YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:150 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71256SA20YGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71256SA; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:145 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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6116SA15TPG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 端口数量:1; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:6116; 存储类型:SDR; 长度:31.75 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-24; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器 |
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71V424S15YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V424S15; 存储类型:SDR; 长度:23.4 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-36; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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71024S12YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:160 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71V256SA15YGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.6 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V256SA15; 存储类型:SDR; 长度:17.9 mm; 高度:2.67 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-28; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:15 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
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71024S20YG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.2 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71024; 存储类型:SDR; 长度:20.9 mm; 高度:2.2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOJ-32; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:128 k x 8; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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71016S20PHG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10.16 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71016; 存储类型:SDR; 长度:18.41 mm; 高度:1 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM |
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7204L12JG8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:750; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:11.43 mm; 系列:7204L12; 长度:13.97 mm; 高度:2.79 mm; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:PLCC-32; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 4K X 9 ASYNC 先进先出 |
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7205L12JG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:32; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:11.43 mm; 系列:7205L12; 长度:13.97 mm; 高度:2.79 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-32; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:12 ns; 最大时钟频率:50 MHz; 电路数量:1; 组织:8 k x 9; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:72 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 8KX9 ASYNC 先进先出 |
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72V221L15PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:50; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7 mm; 系列:72V221; 长度:7 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-32; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 3.3 V 先进先出 |
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7134LA25JGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:24; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:19 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7134LA25; 存储类型:SDR; 长度:19 mm; 高度:3.63 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PLCC-52; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:260 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:4 k x 8; 存储容量:32 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32K(2KX16)CMOS DUAL PORT |
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71321LA20TFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:40; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71321LA20; 存储类型:SDR; 长度:10 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:2 k x 8; 存储容量:16 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT |
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71V65603S100BQG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:136; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:13 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V65603S100; 存储类型:SDR; 长度:15 mm; 高度:1.2 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:CABGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:250 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 36; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V |
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72V85L15PAG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:34; 产品类型:FIFO; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:6.1 mm; 系列:72V85; 长度:14 mm; 高度:1 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TSSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:15 ns; 最大时钟频率:40 MHz; 电路数量:2; 组织:8 k x 9; 定时类型:Asynchronous; 总线定向:Bidirectional; 数据总线宽度:9 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 8Kx9 ASYNCHRONOUS DUAL 先进先出 3.3V |
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7006L15PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:High Speed Low Power Dual Port Static RAM; 系列:7006L15; 存储类型:SRAM; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 数据速率:16 bit; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:260 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 16K X 8 DP 静态随机存取存储器 |
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7025L20PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7025L20; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:8 k x 16; 存储容量:128 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 8K X 16 DP 静态随机存取存储器 |
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70V06L20PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Asynchronous; 系列:70V06L20; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:195 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:16 k x 8; 存储容量:128 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 16Kx8, 128K 3.3V DUAL-PORT RAM |
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70V24L15PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:High Speed Low Power 3.3 V Dual Port Static RAM; 系列:70V24L15; 存储类型:SRAM; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 数据速率:32 bit; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:205 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:15 ns; 组织:4 k x 16; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 4Kx16, 3.3V DUAL- PORT RAM |
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723623L12PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:723623L12; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-128; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 8KX36K2 BUS BIDIRECTIONAL |
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72125L25SOG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:26; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:8.4 mm; 系列:72125; 长度:17.9 mm; 高度:2.62 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-28; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:25 ns; 最大时钟频率:50 MHz; 电路数量:1; 组织:1 k x 16; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:16 kbit; 数据总线宽度:16 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 1KX16 PARALLEL TO SERIAL |
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70V07L25PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:45; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Asynchronous; 系列:70V07L25; 存储类型:SDR; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-80; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:25 ns; 组织:32 k x 8; 存储容量:256 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 32Kx8, 256K, 3.3V DUAL-PORT RAM |
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72V261LA10TFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:80; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10 mm; 系列:72V261; 长度:10 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 IDT |
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72V255LA10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72V255; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 8Kx18 3.3V SUPER SYNC 先进先出 |
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72255LA10TFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:80; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:10 mm; 系列:72255LA10; 长度:10 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 电源电压-最小:4 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 8KX18 SUPER SYNC 先进先出 |
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72255LA10PFG |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 系列:72255LA10; 长度:14 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 8KX18 SUPER SYNC 先进先出 |
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71V416L12BEGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:9 mm; 类型:Asynchronous; 系列:71V416L12; 存储类型:SDR; 长度:9 mm; 高度:1.2 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:CABGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS 静态随机存取存储器 |
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7164S20TPGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:280; 产品类型:SRAM; 商标:Renesas / IDT; 宽度:7.62 mm; 类型:Asynchronous; 系列:7164S20; 存储类型:SDR; 长度:34.3 mm; 高度:3.3 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-28; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:20 ns; 组织:8 k x 8; 存储容量:64 kbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM |
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7201LA15SOGI8 |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Renesas / IDT; 宽度:8.4 mm; 系列:7201L; 长度:17.9 mm; 高度:2.62 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:SOIC-28; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:80 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 最大时钟频率:40 MHz; 电路数量:2; 组织:512 x 9; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:4 kbit; 总线定向:Bidirectional; 数据总线宽度:9 bit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
先进先出 512 X 9 CMOS PARALLEL FIF |
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71V65903S80PFGI |
Renesas Electronics |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / IDT; 宽度:14 mm; 类型:Synchronous; 系列:71V65903S80; 存储类型:SDR; 长度:20 mm; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:3.135 V; 电源电压-最大:3.465 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:8 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
静态随机存取存储器 9M ZBT SLOW X18 F/T 3.3V |
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