| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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MTFC2GMDEA-0M WT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; 配置:MLC; 存储容量:2 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 16G |
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MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA DDP |
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MT29F2G16ABAGAWP-AAT:G |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:16 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:128 M x 16; 接口类型:Parallel; 存储容量:2 Gbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 2G 128MX16 TSOP |
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MT46H16M32LFB5-6 AAT:C |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1440; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 系列:MT46H; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:60 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:16 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:VFBGA-90; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 MOBILE DDR 512M 16MX32 FBGA |
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MT40A512M8SA-062E:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 4G 512MX8 FBGA |
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MT40A512M16LY-062E AT:E TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA |
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MT40A256M16LY-062E:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 4G 256MX16 FBGA |
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MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA |
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MT53E128M16D1DS-053 AAT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:1866 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 |
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MT53E128M32D2DS-053 WT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:1866 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 4G 128MX32 FBGA |
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MT29F8G01ADAFD12-IT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:8 G x 1; 接口类型:SPI; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
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MT29F8G08ADAFAH4-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA DDP |
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MT29F8G01ADBFD12-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:8 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
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MT40A512M16TB-062E:J TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:512 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 512MX16 FBGA |
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MT40A1G8SA-062E:J TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:86 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 1GX8 FBGA |
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MT40A2G4SA-062E:J TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:86 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 最大时钟频率:1600 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:2 G x 4; 数据总线宽度:4 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 8G 2GX4 FBGA |
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MT41K1G8RKB-107:P TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
商标名:TwinDie; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT41K; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:8 Gbit; 组织:1 G x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:FBGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR3 8G 1GX8 FBGA DDP |
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MTFC32GAPALBH-IT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:120 MB/s; 连续读取:320 MB/s; 存储容量:32 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC |
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MT40A1G16RC-062E IT:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:16 Gbit; 组织:1 G x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 16G 1GX16 FBGA |
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MT53D512M32D2DS-046 IT:D |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT53D; 电源电压-最大:1.1 V; 最大时钟频率:2133 MHz; 存储容量:16 Gbit; 组织:512 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA DDP |
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MT40A1G16RC-062E:B |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1360; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:16 Gbit; 组织:1 G x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 16G 1GX16 FBGA |
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MTFC64GAPALBH-IT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:120 MB/s; 连续读取:320 MB/s; 存储容量:64 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC |
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MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA DDP |
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MT29F4G08ABAFAH4-IT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1260; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA |
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MT29F4G08ABAFAWP-IT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 TSOP |
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MT29F4G01ABBFDWB-IT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1920; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:4 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 UPDFN |
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MT25QL256ABA8E12-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:133 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX4 TBGA |
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MT25QU256ABA8E12-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1122; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:166 MHz; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:2 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:MT25QU; 封装 / 箱体:T-PBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SPI FLASH NOR SLC 64MX4 TBGA |
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MT29F4G08ABAFAH4-AIT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA |
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MT29F4G01ABBFD12-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:4 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 TBGA |
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MT29F4G01ABAFD12-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:4 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 TBGA |
|
MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:512 M x 8; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VFBGA-63; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA |
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MT53E128M16D1DS-053 WT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:1866 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 2G 128MX16 FBGA |
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MT40A256M16LY-062E AUT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:61 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 4G 256MX16 FBGA |
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MT53E128M16D1DS-046 WT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:2133 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 2G 128MX16 FBGA |
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MT29F4G01ABBFD12-IT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:4 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:4 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 4G 4GX1 TBGA |
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MT25QL128ABB1ESE-0AUT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1800; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:MT25QL; 封装 / 箱体:SOP2-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NOR闪存 SERIAL NOR SLC 32MX4 SOIC |
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MT53E128M32D2DS-046 WT:A TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大时钟频率:2133 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:128 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP |
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MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 1GX8 TSOP DDP |
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MT29F8G01ADBFD12-IT:F TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 数据总线宽度:1 bit; 组织:8 G x 1; 接口类型:Parallel; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:Die; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 8GX1 TBGA DDP |
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MT53E256M16D1DS-046 AIT:B TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:MT53E; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:1.1 V; 最大时钟频率:2133 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:WFBGA-200; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - LPDDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 LPDDR4 4G 256MX16 FBGA |
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MT29F8G08ADAFAWP-AAT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:960; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous; 组织:1 G x 8; 存储容量:8 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 SLC 8G 512MX8 TSOP |
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MT29F128G08CBCEBJ4-37ITR:E |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1120; 产品类型:NAND Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 速度:533 MT/s; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 数据总线宽度:8 bit; 定时类型:Asynchronous, Synchronous; 组织:16 G x 8; 存储容量:128 Gbit; 系列:MT29F; 封装 / 箱体:VBGA-132; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
NAND闪存 MLC 128G 16GX8 VBGA |
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MTFC4GLGDQ-AIT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:LBGA-100; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 32G |
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MTFC4GLGDM-AIT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 32G |
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MTFC4GLWDM-4M AAT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 32G |
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MT40A256M16LY-062E AAT:F |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1080; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 封装:Tray; 系列:MT40A; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:FBGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
动态随机存取存储器 DDR4 4G 256MX16 FBGA |
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MTFC16GAPALBH-IT TR |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:TFBGA-153; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1.1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.7 V to 3.6 V; 连续写入:60 MB/s; 连续读取:320 MB/s; 存储容量:16 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC |
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MTFC16GAPALBH-IT |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1520; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 存储容量:16 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC eMMC 128G |
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MTFC4GMWDQ-AIT A |
Micron Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:980; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Micron; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:LBGA-100; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 配置:MLC; 存储容量:4 GB; 系列:MTFC; RoHS:Y; 制造商:Micron Technology; |
eMMC MLC EMMC 32G |
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