| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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IS43TR16128DL-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s 1.35V DDR3L |
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IS43TR16256BL-107MBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16256BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:308 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS43TR16128DL-107MBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L |
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IS43TR16128D-107MBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16128D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp |
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IS25LQ040B-JULE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:104 MHz; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:512 k x 8; 最大时钟频率:104 MHz; 接口类型:Quad SPI; 电源电流—最大值:28 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:4 Mbit; 系列:IS25LQ040B; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 4Mb QSPI, 8-pin USON 2X3MM, RoHS, T&R |
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IS43TR16256B-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:276 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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IS21ES32G-JQLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-100; 尺寸:14 mm x 18 mm x 1.4 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:47.8 MB/s; 连续读取:254 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 系列:IS21ES32G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 32 GB, 100 Ball FBGA, 3.3V, RoHS |
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IS43TR16256BL-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43TR16256BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:276 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS43TR16256B-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:276 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS43TR16256BL-107MBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR16256BL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:308 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT |
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IS21ES64G-JQLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-100; 尺寸:14 mm x 18 mm x 1.4 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:91.8 MB/s; 连续读取:255 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:64 GB; 系列:IS21ES64G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 64 GB, 100 Ball FBGA, 3.3V, RoHS |
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IS25WP512M-RMLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:17 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:IS25WP512M; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 512Mb 1.8V 80/133Mhz Serial NOR闪存 |
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IS25LP032D-JTLE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:4 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:32 Mbit; 系列:IS25LP032D; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32Mb QSPI, 8-pin USON 3X4MM, RoHS, T&R |
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IS25LP256E-JLLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:7 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS25LP256E; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS |
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IS21ES32G-BQLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:98; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 封装 / 箱体:FBGA-100; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:47.8 MB/s; 连续读取:254 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:32 GB; 制造商:ISSI; |
eMMC 32 GB, 100 Ball FBGA, 3.3V, RoHS, 16MB Boot Partition |
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IS43QR16256B-083RBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:198; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43QR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:187 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT |
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IS43QR16256B-083RBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:198; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43QR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:187 mA; 电源电压-最小:1.14 V; 电源电压-最大:1.26 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR4; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS |
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IS25LP064D-JKLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:570; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:166 MHz; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:166 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:30 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:IS25LP064D; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS |
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IS61WV25616EFBLL-10TLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV25616EFBLL; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS |
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IS29GL032-70TLET |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:2 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32Mb,48pin TSOP,3V, RoHS, Highest Sector Protected, Uniform Sector |
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IS29GL032-70TLED |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:16 bit; 组织:2 M x 16; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:25 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 存储容量:32 Mbit; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 32Mb,48pin TSOP,3V, RoHS, Bottom Two Sectors Protected |
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IS43TR81280CL-125JBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:1066 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS |
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IS43TR81280CL-107MBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:270 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:1066 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS |
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IS43TR81280C-125JBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:240 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:1066 MHz; 存储容量:1 Gbit; 组织:128 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS25LE512M-RMLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tube; 接口类型:QPI, SPI; 存储容量:512 Mbit; 系列:IS25LE512M; 封装 / 箱体:SOP-16; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, dedicated reset pin, ECC |
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IS45S32800J-7TLA2 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:7 ns; 最大时钟频率:143 MHz; 存储容量:256 Mbit; 组织:8 M x 32; 数据总线宽度:32 bit; 封装 / 箱体:TSOP-86; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 |
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IS25LP512M-RMLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:44; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:133 MHz; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:IS25LP512M; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, dedicated reset pin, Auto Grade |
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IS29GL128-70FLET |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 产品类型:NOR Flash; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS29GL128; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected |
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IS25LP064D-JBLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:8 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:QPI, SPI; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 存储容量:64 Mbit; 系列:IS25LP064D; 封装 / 箱体:SOP-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, AUTO GRADE |
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IS29GL256-70FLET |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:144; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:32 M x 8; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:256 Mbit; 系列:IS29GL256; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 256Mb, 64 Ball BGA(11X13mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected |
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IS29GL128-70FLEB |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:144; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 速度:70 ns; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:16 M x 8; 最大时钟频率:-; 接口类型:Parallel; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:3 V; 存储容量:128 Mbit; 系列:IS29GL128; 封装 / 箱体:BGA-64; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 128Mb, 64 Ball BGA11X13mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected |
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IS46TR16256BL-125KBLA2 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS46TR16256BL; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:116 mA; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS |
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IS21ES64G-JCLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:152; 产品类型:eMMC; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:eMMC 5.0; 商标:ISSI; 产品:eMMC Flash Drive; 封装 / 箱体:FBGA-153; 尺寸:11.5 mm x 13 mm x 1 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.3 V; 连续写入:91.8 MB/s; 连续读取:255 MB/s; 配置:MLC; 存储容量:64 GB; 系列:IS21ES64G; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
eMMC 64 GB, 153 Ball FBGA, 3.3V, RoHS |
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IS43LR16320C-5BLI |
ISSI |
存储器 IC |
商标名:PowerSaver; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:300; 产品类型:DRAM; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS43LR16320C; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:70 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:200 MHz; 存储容量:512 Mbit; 组织:32 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-60; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile - DDR; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR |
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IS46TR16128D-125KBLA2 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS46TR16128D; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:188 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS25WP512M-JLLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:17 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:IS25WP512M; 封装 / 箱体:WSON-8; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 512Mb 1.8V 80/133Mhz Serial NOR闪存 |
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IS25WP512M-RHLE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 数据总线宽度:8 bit; 组织:64 M x 8; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:17 mA; 电源电压-最大:1.95 V; 电源电压-最小:1.7 V; 存储容量:512 Mbit; 系列:IS25WP512M; 封装 / 箱体:TFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 512Mb 1.8V 80/133Mhz Serial NOR闪存 |
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IS61WV20488FBLL-10BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS61WV20488FBLL; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:2 M x 8; 存储容量:16 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS |
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IS43TR85120B-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR85120B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:226 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (9mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS46TR16256B-125KBLA1 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS46TR16256B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:141 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:800 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
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IS46TR16256BL-107MBLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:190; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS46TR16256BL; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:149 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:4 Gbit; 组织:256 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L |
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IS25LP01G-RILE |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:480; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 工作温度范围:- 40 C to + 105 C; 存储类型:Flash; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 定时类型:Synchronous; 最大时钟频率:80 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:50 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.7 V; 系列:IS25LP01G; 封装 / 箱体:LFBGA-24; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 1Gb QPI/QSPI, 24-ball LFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin |
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IS64WV204816BLL-12CTLA3 |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:96; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Asynchronous; 系列:IS64WV204816BLL; 封装 / 箱体:TSOP-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:110 mA; 电源电压-最小:2.4 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:2 M x 16; 存储容量:32 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 32Mb,High-Speed-Automotive,Async,2048K x 16,12ns,2.4v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS, Automotive temp |
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IS25WP080D-JULE-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:5000; 产品类型:NOR Flash; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 工作温度范围:- 40 C to + 125 C; 存储类型:Flash; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 数据总线宽度:8 bit; 最大时钟频率:133 MHz; 接口类型:SPI; 电源电流—最大值:10 mA; 电源电压-最大:3.6 V; 电源电压-最小:2.3 V; 系列:IS25WP080D; 封装 / 箱体:USON-8; 安装风格:SMD/SMT; 制造商:ISSI; |
NOR闪存 8Mb QSPI, 8-pin USON 2x3mm, RoHS, T&R |
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IS42SM16200D-75BLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Tray; 系列:IS42SM16200D; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:45 mA; 电源电压-最小:2.7 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5.5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 存储容量:32 Mbit; 组织:2 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-54; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM Mobile; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 32Mb 2Mx16 133MHz Mobile S动态随机存取存储器 |
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IS62WVS5128FBLL-20NLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:100; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 类型:Synchronous; 系列:IS62WVS5128FBLL; 存储类型:SRAM; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:16 mA; 电源电压-最小:2.2 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:SDI, SPI, SQI; 最大时钟频率:20 MHz; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
静态随机存取存储器 4Mb 512Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial 静态随机存取存储器 |
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IS43TR16128DL-107MBL-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L |
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IS43TR85120B-125KBL |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR85120B; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:226 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 存储容量:4 Gbit; 组织:512 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (9mm x10.5mm) RoHS |
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IS43TR82560D-125KBLI |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:242; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 系列:IS43TR82560D; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:142 mA; 电源电压-最小:1.425 V; 电源电压-最大:1.575 V; 访问时间:20 ns; 存储容量:2 Gbit; 组织:256 M x 8; 数据总线宽度:8 bit; 封装 / 箱体:BGA-78; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT |
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IS43TR16128DL-107MBLI-TR |
ISSI |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1500; 产品类型:DRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:ISSI; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:IS43TR16128DL; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:1.283 V; 电源电压-最大:1.45 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:933 MHz; 存储容量:2 Gbit; 组织:128 M x 16; 数据总线宽度:16 bit; 封装 / 箱体:BGA-96; 安装风格:SMD/SMT; 类型:SDRAM - DDR3L; RoHS:Y; 制造商:ISSI; |
动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp |
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