| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SN74V245-15PAGEP |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 系列:SN74V245-EP; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电流—最大值:1 uA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:7.5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 组织:4 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 EP 4096x18 Sync 先进先出 Memory |
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SN74V263PZAEP |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V263-EP; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 电路数量:2; 组织:16 k x 9, 8 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:144 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 Mil Enhance 8192x18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V293-10PZA |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V293; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:100 MHz; 电路数量:2; 组织:128 k x 9, 64 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V293PZAEP |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V293-EP; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 电路数量:2; 组织:128 k x 9, 64 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 Mil Enhance 65536x18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V245-15PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V245; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:66.7 MHz; 电路数量:2; 组织:4 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:72 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 4096 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V293-6PZA |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V293; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:4.5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 电路数量:2; 组织:128 k x 9, 64 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 65536 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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BQ2201SN-N |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:75; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:5 V; 存储器通道数量:1; 锂电池监视器:Yes; 商标:Texas Instruments; 类型:Non-Volatile SRAM (NVSRAM); 系列:BQ2201; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 描述/功能:SRAM nonvolatile controller unit; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:3 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 电池备用开关:Yes; 存储类型:Nonvolatile SRAM; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 SRAM Nonvolatile Controller IC |
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BQ2205LYPWR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 商标:Texas Instruments; 宽度:4.4 mm; 系列:BQ2205LY; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 长度:5 mm; 高度:1.15 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 Battery Back-up for Dual SRAM Banks |
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SN74ALVC7806-25DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ALVC7806; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.04 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:18 ns; 电路数量:2; 组织:256 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:4.5 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16-Bit Edg-Trig D-Ty F-F W/3-State Otpt |
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BQ2022ALPR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
商标名:SDQ; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:EPROM; 开发套件:BQ2022AEVM-001; 商标:Texas Instruments; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BQ2022A; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 工作电源电流:2 uA; 接口类型:1-Wire; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:TO-92-3; 安装风格:Through Hole; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
可擦除可编程ROM 1KB Ser 可擦除可编程ROM |
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SN74ACT7804-20DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7804; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 asynch 先进先出 Memory |
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SN74V235-7PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V235; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 电路数量:2; 组织:2 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:36 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 2048 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V245-20PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V245; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:12 ns; 最大时钟频率:50 MHz; 电路数量:2; 组织:4 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:72 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 4096 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74ACT7814-20DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7814; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 电路数量:2; 组织:64 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:1.125 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 64 x 18 asynchronous 先进先出 memory |
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SN74ACT7806-20DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7806; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 电路数量:2; 组织:256 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:4.5 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 256 x 18 asynch 先进先出 Memory |
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BQ2204ASN-N |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:40; 产品类型:Memory Controllers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 系列:bq2204A; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 SRAM Nonvolatile Controller IC |
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BQ2204ASN |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:40; 产品类型:Memory Controllers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 系列:bq2204A; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 SRAM Nonvolatile Controller IC |
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SN74V245-7PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V245; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 电路数量:2; 组织:4 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:72 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 4096 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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BQ2022ADBZR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
商标名:SDQ; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EPROM; 开发套件:BQ2022AEVM-001; 商标:Texas Instruments; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BQ2022A; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 工作电源电流:2 uA; 接口类型:1-Wire; 组织:128 x 8; 存储容量:1 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
可擦除可编程ROM 1KB Ser 可擦除可编程ROM |
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SN74V3680-6PEU |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V3680; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-128; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:40 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:4.5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 电路数量:2; 组织:16 k x 36; 定时类型:Synchronous; 存储容量:576 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:36 bit; RoHS:N; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16384 x 36 Synch 先进先出 Memory |
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SN74ALS232BDW |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:40; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.52 mm; 系列:SN74ALS232B; 高度:2.35 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-16; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:125 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 电路数量:2; 组织:16 k x 4; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:64 bit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:4 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16 x 4 asynchronous 先进先出 memory |
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SN74ACT7804-25DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7804; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 asynch 先进先出 Memory |
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SN74ACT2228DW |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:25; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.52 mm; 系列:SN74ACT2228; 高度:2.35 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-24; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:22 MHz; 电路数量:4; 组织:256 k x 1 x 2; 定时类型:Synchronous; 存储容量:512 bit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:1 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 Dual 256x1 先进先出 Mem |
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BQ2201SN-NTR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:5 V; 商标:Texas Instruments; 系列:BQ2201; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 SRAM Nonvolatile Controller IC |
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SN74V215-15PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V215; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:66.7 MHz; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 Synchronous 先进先出 Memory |
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SN74V263-6PZA |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V263; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:4.5 ns; 最大时钟频率:166 MHz; 电路数量:2; 组织:16 k x 9, 8 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:144 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 8192 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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BQ2204ASNTR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2500; 产品类型:Memory Controllers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Texas Instruments; 系列:bq2204A; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 封装:Reel; 封装 / 箱体:SOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 SRAM Nonvolatile Controller IC |
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BQ2024DBZR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
商标名:SDQ; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EPROM; 工作电源电压:2.65 V to 5.5 V; 商标:Texas Instruments; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 封装:Reel; 系列:BQ2024; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最小:2.65 V; 电源电压-最大:5.5 V; 编程电压:11.5 V to 12 V; 工作电源电流:2 uA; 组织:256 x 6; 存储容量:1.5 kbit; 类型:OTP; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
可擦除可编程ROM 1.5K Bit Serial 可擦除可编程ROM |
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SN74ACT7814-40DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7814; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 电路数量:2; 组织:64 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:1.125 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 64 x 18 asynchronous 先进先出 memory |
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BQ2205LYPWRG4 |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:Memory Controllers; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 商标:Texas Instruments; 宽度:4.4 mm; 系列:BQ2205LY; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 长度:5 mm; 高度:1.15 mm; 封装:Reel; 封装 / 箱体:TSSOP-16; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
存储器控制器 Battery Back-up for Dual SRAM Banks |
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SN74V235-10PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V235; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:100 MHz; 电路数量:2; 组织:2 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:36 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 2048 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V245-10PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V245; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:100 MHz; 电路数量:2; 组织:4 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:72 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 4096 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V293-15PZAG4 |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.15 V to 3.45 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V293; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:66.7 MHz; 电路数量:2; 组织:128 k x 9, 64 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 Mbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 65536x18 Synchronous 先进先出 Memory |
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SN74V283-15PZA |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V283; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:66.7 MHz; 电路数量:2; 组织:64 k x 9, 32 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:576 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V283PZAEP |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V283-EP; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:5 ns; 最大时钟频率:133 MHz; 电路数量:2; 组织:64 k x 9, 32 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:576 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 Mil Enhance 32768x18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74ACT2228DWR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:2000; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.52 mm; 系列:SN74ACT2228; 高度:2.35 mm; 封装:Reel; 封装 / 箱体:SOIC-24; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:22 MHz; 电路数量:4; 组织:256 k x 1 x 2; 定时类型:Synchronous; 存储容量:512 bit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:1 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 256 x 1 x 2 dual independent sync |
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SN74ACT2229DW |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.52 mm; 系列:SN74ACT2229; 高度:2.35 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-28; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:9 ns; 最大时钟频率:60 MHz; 电路数量:4; 组织:256 k x 1 x 2; 定时类型:Synchronous; 存储容量:512 bit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:1 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 256 x 1 x 2 dual independent sync |
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SN74S225N |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Texas Instruments; 宽度:6.35 mm; 系列:SN74S225; 高度:4.57 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-20; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:4.75 V; 电源电压-最大:5.25 V; 电路数量:2; 组织:16 k x 5; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:80 bit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:5 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16 x 5 asynchronous 先进先出 memory |
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SN74ACT7803-15DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7803; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:12 ns; 最大时钟频率:67 MHz; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 synchronous 先进先出 memory |
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SN74ACT7803-25DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7803; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:15 ns; 最大时钟频率:40 MHz; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 synchronous 先进先出 memory |
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SN74ALVC7805-40DLR |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:1000; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ALVC7805; 高度:2.59 mm; 封装:Reel; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.04 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:25 MHz; 电路数量:2; 组织:256 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:4.5 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 256 x 18 3.3-V Synch 先进先出 Memory |
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SN74ACT7806-40DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7806; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:20 ns; 电路数量:2; 组织:256 k x 18; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:4.5 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 256 x 18 asynch 先进先出 Memory |
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SN74ALS232BN |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:25; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:Through Hole; 商标:Texas Instruments; 宽度:6.35 mm; 系列:SN74ALS232B; 高度:4.57 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:PDIP-16; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:125 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 电路数量:2; 组织:16 k x 4; 定时类型:Asynchronous; 存储容量:64 bit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:4 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 16 x 4 Asynch 先进先出 |
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SN74ACT7813-20DL |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.49 mm; 系列:SN74ACT7813; 高度:2.59 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SSOP-56; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:20 ns; 最大时钟频率:50 MHz; 电路数量:2; 组织:64 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:1.125 kbit; 总线定向:Bidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 64 x 18 synchronous 先进先出 memory |
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BQ2024DBZRG4 |
Texas Instruments |
存储器 IC |
商标名:SDQ; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:3000; 产品类型:EPROM; 工作电源电压:2.65 V to 5.5 V; 商标:Texas Instruments; 工作温度范围:- 20 C to + 70 C; 封装:Reel; 系列:BQ2024; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 20 C; 电源电压-最小:2.65 V; 电源电压-最大:5.5 V; 工作电源电流:2 uA; 接口类型:1-Wire; 组织:192 x 8; 存储容量:1.5 kbit; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
可擦除可编程ROM 1.5KB Serial 可擦除可编程ROM with SDQ Interface |
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SN74V235-15PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V235; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:10 ns; 最大时钟频率:66.7 MHz; 电路数量:2; 组织:2 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:36 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 2048 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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SN74V215-10PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V215; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:100 MHz; 电路数量:2; 组织:512 x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 Synchronous 先进先出 Memory |
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SN74V215-20PAG |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:160; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:10 mm; 系列:SN74V215; 高度:1 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-64; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 访问时间:12 ns; 最大时钟频率:50 MHz; 电路数量:2; 组织:512 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:9 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 512 x 18 Synchronous 先进先出 Memory |
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SN74ACT2227DW |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:20; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:7.52 mm; 系列:SN74ACT2227; 高度:2.35 mm; 封装:Tube; 封装 / 箱体:SOIC-28; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:0.4 mA; 电源电压-最小:4.5 V; 电源电压-最大:5.5 V; 访问时间:9 ns; 最大时钟频率:60 MHz; 电路数量:4; 组织:64 k x 1 x 2; 定时类型:Synchronous; 存储容量:128 bit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:1 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 Dual 64x1 先进先出 Mem |
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SN74V283-10PZA |
Texas Instruments |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:90; 产品类型:FIFO; 工作电源电压:3.3 V; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:14 mm; 系列:SN74V283; 高度:1.4 mm; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LQFP-80; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:35 mA; 电源电压-最小:3.15 V; 电源电压-最大:3.45 V; 访问时间:6.5 ns; 最大时钟频率:100 MHz; 电路数量:2; 组织:64 k x 9, 32 k x 18; 定时类型:Synchronous; 存储容量:576 kbit; 总线定向:Unidirectional; 数据总线宽度:9 bit, 18 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
先进先出 32768 x 18 Synch 先进先出 Memory |
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