| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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GS880Z32CGT-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS880Z32CGT; 封装 / 箱体:TQFP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial; 最大时钟频率:200 MHz; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 NBT 静态随机存取存储器s, 9Mb, x32, 200MHz, Commercial Temp |
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GS880Z32CGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS880Z32CGT; 封装 / 箱体:TQFP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial; 最大时钟频率:150 MHz; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 NBT 静态随机存取存储器s, 9Mb, x32, 150MHz, Commercial Temp |
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GS880Z32CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS880Z32CGT; 封装 / 箱体:TQFP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial; 最大时钟频率:150 MHz; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 NBT 静态随机存取存储器s, 9Mb, x32, 150MHz, Industrial Temp |
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GS880Z32CGT-200I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 系列:GS880Z32CGT; 封装 / 箱体:TQFP; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Serial; 最大时钟频率:200 MHz; 组织:256 k x 32; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 NBT 静态随机存取存储器s, 9Mb, x32, 200MHz, Industrial Temp |
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GS816118DGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816118DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:190 mA, 200 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M |
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GS8160Z36DGT-250IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT; 系列:GS8160Z36DGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:245 mA, 265 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
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GS816236DGD-250IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS816236DGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:245 mA, 265 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
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GS82582DT38GE-550I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+; 系列:GS82582DT38GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.32 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:550 MHz; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 8M x 36 288M |
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GS81314LQ37GK-933I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-IVe; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-IVe B2; 系列:GS81314LQ37GK; 存储类型:QDR-IVe; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-260; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:2.95 A; 电源电压-最小:1.25 V; 电源电压-最大:1.35 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:933 MHz; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.2/1.25V 4M x 36 144M |
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GS8662Q36BGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8662Q36BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.07 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 2M x 36 72M |
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GS864036GT-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS864036GT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:275 mA, 380 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:2 M x 36; 存储容量:72 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M |
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GS81280Z36GT-200IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:15; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS81280Z36GT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:340 mA, 410 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 4M x 36 144M |
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GS81284Z18GB-200V |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS81284Z18GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:325 mA, 400 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:2.7 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:8 M x 18; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 18 144M |
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GS81302TT37GE-450I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II+ B2; 系列:GS81302TT37GE; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.2 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:450 MHz; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 36 144M |
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GS81284Z36GB-250I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS81284Z36GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:415 mA, 535 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:4 M x 36; 存储容量:144 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M |
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GS82582TT20GE-550 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II+; 系列:GS82582TT20GE; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:980 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:550 MHz; 组织:16 M x 18; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 16M x 18 288M |
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GS82564Z36GB-200IV |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT PL/FT; 系列:GS82564Z36GB; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8/2.5V 8M x 36 288M |
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GS82582DT38GE-500I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II+; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:10; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II+; 系列:GS82582DT38GE; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:1.21 A; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:500 MHz; 组织:8 M x 36; 存储容量:288 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.5/1.8V 8M x 36 288M |
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GS71116AGP-12 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:270; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS71116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M C Temp |
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GS71116AGP-10 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:270; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS71116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M C Temp |
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GS71116AGP-10I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:270; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS71116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M I Temp |
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GS71116AGP-12I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:270; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS71116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M I Temp |
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GS71116AGP-8I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:270; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS71116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:8 ns; 组织:64 k x 16; 存储容量:1 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 64K x 16 1M I Temp |
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GS84032CGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84032CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA, 140 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:128 k x 32; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M |
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GS84036CGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84036CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA, 140 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
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GS74116AGP-12 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M C Temp |
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GS74116AGX-12 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AGX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:90 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M C Temp |
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GS74108AGP-12 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74108AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:85 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 512K x 8 4M C Temp |
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GS74108AGP-10 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74108AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 512K x 8 4M C Temp |
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GS74104AGP-10 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74104AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:1 M x 4; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 1M x 4 4M C Temp |
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GS74108AGX-10 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74108AGX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:95 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 512K x 8 4M C Temp |
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GS74116AGP-10 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M C Temp |
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GS840Z36CGT-150 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS840Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA, 140 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
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GS84032CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84032CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 160 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:128 k x 32; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 32 4M |
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GS84036CGT-200 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84036CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:140 mA, 170 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:200 MHz; 访问时间:6.5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
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GS74117AGX-12I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74117AGX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-119; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:100 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:12 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M I Temp |
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GS74116AGP-8 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:130 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:8 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M C Temp |
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GS74108AGP-8 |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74108AGP; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:TSOP-44; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:120 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:8 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 512K x 8 4M C Temp |
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GS74116AGX-10I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74116AGX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:115 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:256 k x 16; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 256K x 16 4M I Temp |
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GS74108AGX-10I |
GSI Technology |
存储器 IC |
子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:135; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Asynchronous SRAM; 系列:GS74108AGX; 存储类型:SDR; 封装 / 箱体:BGA-48; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:105 mA; 电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 访问时间:10 ns; 组织:512 k x 8; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 3.3V 512K x 8 4M I Temp |
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GS840Z36CGT-150I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS840Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:150 mA, 160 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:150 MHz; 访问时间:7.5 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
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GS840Z36CGT-100I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS840Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:130 mA, 140 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:100 MHz; 访问时间:12 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
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GS84018CGT-250 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SyncBurst; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:Pipeline/Flow Through; 系列:GS84018CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:145 mA, 180 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:250 MHz; 访问时间:5.5 ns; 组织:256 k x 18; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M |
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GS840Z36CGT-166I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:72; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS840Z36CGT; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:TQFP-100; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:155 mA, 180 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:166 MHz; 访问时间:7 ns; 组织:128 k x 36; 存储容量:4 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M |
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GS8182D18BGD-167I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182D18BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:325 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
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GS8182Q36BGD-167I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q36BGD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:495 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:167 MHz; 组织:512 k x 36; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 512K x 36 18M |
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GS8182Q18BD-133I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaQuad-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaQuad-II; 系列:GS8182Q18BD; 存储类型:QDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:385 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:133 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
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GS8182T18BGD-300 |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II B2; 系列:GS8182T18BGD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 电源电流—最大值:405 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
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GS882Z18CGD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:NBT SRAM; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:36; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:NBT Pipeline/Flow Through; 系列:GS882Z18CGD; 存储类型:SDR; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:170 mA, 225 mA; 电源电压-最小:2.3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 访问时间:5 ns; 组织:512 k x 18; 存储容量:9 Mbit; RoHS:Y; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 512K x 18 9M |
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GS8182T18BD-300I |
GSI Technology |
存储器 IC |
商标名:SigmaDDR-II; 子类别:Memory & Data Storage; 标准包装数量:18; 产品类型:SRAM; 湿度敏感性:Yes; 商标:GSI Technology; 类型:SigmaDDR-II B2; 系列:GS8182T18BD; 存储类型:DDR-II; 封装:Tray; 封装 / 箱体:BGA-165; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 电源电流—最大值:415 mA; 电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 接口类型:Parallel; 最大时钟频率:300 MHz; 组织:1 M x 18; 存储容量:18 Mbit; 制造商:GSI Technology; |
静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M |
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