| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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BPX 81 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:250 uA; 半强度角度:18 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.8 mm; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor Arrays; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Transparent; 长度:2.4 mm; 高度:3.4 mm; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:90 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mW; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Single Digit Miniature Array; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 2440 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.37 A/W; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.048 pW/Hz 1/2; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:90 ns; 上升时间:90 ns; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:620 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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TEMD5110X01 |
Vishay |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.2 mm; 高度:1.08 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:TEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 790-1050nm +/-65 deg |
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SFH 2430-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.2 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.17 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.3 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:200 us; 上升时间:200 us; Vr - 反向电压 :6 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:570 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE (ALS) SMT |
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SFH 7776 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 类型:Ambient Light and Proximity Sensor with IR Emitter; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:4 mm x 2.1 mm x 1.35 mm; 产品:Integrated Ambient Light and Proximity Sensors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
环境光传感器 Amb / Prox Sensor w/ 850nm IR Emitter |
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OPT3001DNPT |
Texas Instruments |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:47 deg; 商标:Texas Instruments; 类型:Ambient Light Sensor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:OPT3001; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:550 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:USON-6; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor -USON -40 to 85 |
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BPY 62-4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2500 uA; 半强度角度:8 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:830 nm; 类型:Chip; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:9 us; 上升时间:9 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:160 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 峰值波长:830 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BPX 43-5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:15 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:880 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:220 mW; 下降时间:18 us; 上升时间:18 us; 暗电流:20 nA; 集电极—射极饱和电压:260 mV; 集电极—射极击穿电压:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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BPX 43-4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:4 mA; 半强度角度:15 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.6 mm; 波长:880 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.6 mm; 高度:6.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:220 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:20 nA; 集电极—射极饱和电压:240 mV; 集电极—射极击穿电压:50 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTODIODE |
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OPT101P |
Texas Instruments |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:50; 产品类型:Optical Sensors; 工作电源电流:120 uA; 商标:Texas Instruments; 宽度:6.52 mm; 系列:OPT101; 封装:Tube; 长度:9.53 mm; 高度:3.24 mm; 工作电源电压:18 V; 封装 / 箱体:PDIP-8; 安装风格:Through Hole; 最大频率:14 kHz; 最小工作温度:0 C; 最大工作温度:+ 70 C; 峰值波长:650 nm; 响应率:0.45A/W; 产品:Light to Voltage Converters; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
光频率和光电压 TRANSIMPEDANCE AMPLIFIER |
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E32-TC200 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Fiber Optic Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 类型:Fiber Optic Cables; 系列:E32; 安装:Through Hole; 特点:Set-Mode blinking light source aids alignment; 感应距离:119.8 mm; 感应方式:Light; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光纤传感器 M4 THRU-BEAM CABLE |
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E3Z-R61 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:100 mm; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN POLAR RETROREFL |
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E3Z-R81 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 封装:Bulk; 长度:20 mm; 高度:33.2 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:4000 mm; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 2M POLAR PNP CABLE RETRO |
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E3T-ST11 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; 特点:Offered in both flat and rectangular; 主体类型:Rectangular; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-leaded; 光源:Red LED; 感应距离:0 m to 1 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN THRU BEAM |
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E3X-NA11 |
Omron |
光学传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3X-NA; 输出配置:NPN; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Standard; 光源:Red LED; 感应距离:200 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 NPN; 12 to 24 VDC 35 mA (Max.) |
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OP550A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:2.54 mm; 波长:930 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4.57 mm; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Sidelooker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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LTR-303ALS-01 |
Lite-On |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2500; 上升时间:300 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:300 ns; 商标:Lite-On; 宽度:2 mm; 类型:Digital Ambient Light Sensor; 长度:2 mm; 高度:0.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:3 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:ChipLED-6; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
环境光传感器 Ambient Light Photo Sensor |
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BP 104 S-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.6E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMT |
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SFH 2400-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.2 uA; Pd-功率耗散:120 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.8E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.6 mm; 高度:1.1 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-3; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 3410-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:3.2 uA; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.7 mm; 波长:570 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.1 mm; 高度:1.05 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:-; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 集电极—射极击穿电压:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 峰值波长:570 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR (ALS) SMT SMART DIL |
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E3Z-R86 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:43.5 mm; 高度:20 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Connector; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:4 m; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Retro Wide View PNP Connector |
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OP506A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.08 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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OP505A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.08 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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TEPT4400 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 半强度角度:30 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.2 mm; 类型:Ambient Light Photo Sensor with Phototransistor Output; 长度:3.2 mm; 高度:4.5 mm; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 峰值波长:570 nm; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor |
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TEPT5700 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Ambient Light Sensors; Pd-功率耗散:100 mW; 半强度角度:50 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.7 mm; 类型:Ambient Light Photo Sensor with Phototransistor Output; 长度:5.7 mm; 高度:5 mm; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 峰值波长:570 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor |
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TEPT5600 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 半强度角度:20 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.75 mm; 类型:Ambient Light Photo Sensor with Phototransistor Output; 长度:5.75 mm; 高度:8 mm; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 峰值波长:570 nm; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor |
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TEMT1000 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:7 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Black; 长度:2.5 mm; 高度:2.7 mm; 系列:TEMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2.3 us; 上升时间:2 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:100 mA; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Reverse gullwing 730-1000nm +/-15 deg |
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VEMD2020X01 |
Vishay |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:12 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.3 mm; 类型:PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.3 mm; 高度:2.77 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Gullwing 750-1050nm +/-15 deg |
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VEMT2523X01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:2.7 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:20 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Gullwing 470-1090nm +/-35 deg |
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OP535B |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:1.1 V; 集电极—射极击穿电压:15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V; 开启状态集电极最大电流:32 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photodarlington |
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OPL550 |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.25 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:2.5 us; 下降时间:25 ns; 上升时间:25 ns; 高电平输出电流:1 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Totem Pole - High; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
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OP804SL |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.84 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 长度:5.84 mm; 高度:6.86 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:22 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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VEMD2023SLX01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:35 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 750-1050nm +/-35 deg |
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VEMD1160X01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:1.8 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:70 deg; 下降时间:80 ns; 上升时间:60 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:10 pA; 峰值波长:840 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0805; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 0805 top view 700-1070nm +/-70 deg |
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OP598A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:10 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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LV0104CS-TLM-H |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:LV0104CS; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
环境光传感器 AMBIENT LIGHT SENSOR |
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SFH 310 FA-2/3 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:25 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:890 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:4.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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OP644SL |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:400; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:1.57 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 长度:2.34 mm; 高度:2.92 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:50 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 封装 / 箱体:Pill; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 NPN PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 3605-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:500 uA; 半强度角度:20 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.35 mm; 波长:990 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.3 mm; 高度:1.7 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:130 mW; 下降时间:45 us; 上升时间:45 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:990 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:MIDLED; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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E32-D61 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Fiber Optic Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 类型:Fiber Optic Cables; 系列:E32; 安装:Through Hole; 特点:Set-Mode blinking light source aids alignment; 感应距离:45.72 mm; 感应方式:Light; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光纤传感器 M6 DIFF CABLE |
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TMD27721 |
ams |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2500; 产品类型:Ambient Light Sensors; 商标:ams; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:TMD27721; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:Module SMD-8; RoHS:Y; 制造商:ams; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor Dig Sensor Prox LED |
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OP505B |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.08 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:5.95 mA; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Narrow Rcvng Angle 935nm |
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VEMT3700F-GS08 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:0.5 mA; 半强度角度:60 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:2 us; 上升时间:6 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.15 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 70V 100mW 850nm |
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SFH 229 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:20 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.65E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:17 deg; 下降时间:10 ns; 上升时间:10 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:50 pA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE T1 (3mm) |
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BPW96C |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:8 mA; 半强度角度:20 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5.75 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:5.75 mm; 高度:8.6 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1.75 450 to 1080nm +/-20 deg |
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TEMD7100X01 |
Vishay |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:3 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:1.25 mm; 类型:PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2 mm; 高度:0.85 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:TEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 0805 750 to 1050nm +/-60 deg |
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SFH 213 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.59 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:90 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:80 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.1 mm; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:10 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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APDS-9008-020 |
Broadcom Limited |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2500; 上升时间:5 ms; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:5 ms; 商标:Broadcom / Avago; 宽度:1.5 mm; 类型:Miniature SMD Ambient Light Photo Senors; 长度:1.6 mm; 高度:0.55 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:APDS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:565 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:Chip LED-6; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Broadcom Limited; |
环境光传感器 Ambient Light sensor |
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APDS-9005-020 |
Broadcom Limited |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2500; 上升时间:5 ms; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:5 ms; 商标:Broadcom / Avago; 宽度:1.5 mm; 类型:Miniature SMD Ambient Light Photo Sensors; 长度:1.6 mm; 高度:0.55 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:APDS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:500 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:Chip LED-6; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Broadcom Limited; |
环境光传感器 Ambient Light sensor |
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VBPW34FASR |
Vishay |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:55 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Reverse gullwing 780-1050nm +/-65 deg |
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