| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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ZX-LD300 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:ZX; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 DIFFUSE RFLCT SPOT BEAM 300mm |
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ZX-LD300L |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:ZX; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 DIFFUSE RFLCT LINE BEAM 300mm |
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ZX-LD40L |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:ZX; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 DIFFUSE RFLCT LINE BEAM 40mm |
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FH-MT12 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; |
光电传感器 TouchScreenMonitor 12",PanelMt |
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FZ-SC |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Camera digital color |
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MT9D131C12STC-DR |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:96; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:MT9D131; 封装:Tray; 分辨率:2 Megapixels; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 2.0 MP 1/3 SOC |
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NOII4SM6600A-QDC |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
商标名:Senstac Contact; 子类别:Sensors; 标准包装数量:9; 产品类型:Image Sensors; 商标:ON Semiconductor; 系列:IBIS4-6600; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LCC-68; 像素大小 - 宽x高:3.5 um x 3.5 um; 每秒帧数:5 fps; 分辨率:6.6 Megapixels; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:2210 H x 3002 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 Andon IBIS4-6600 MONO LLC68 |
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MT9D131C12STC-DP |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:96; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:MT9D131; 封装:Tray; 分辨率:2 Megapixels; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 2.0 MP 1/3 SOC |
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70230-1180 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Optical Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; |
安全光幕 MS4800S-20-0320 |
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ZX-TDS04T-L |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Sensor |
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ZX-LD30V |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:ZX; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 REGULAR RFLCT SPOT BEAM 30mm |
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ZFV-R5010 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:ZFV; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Wide View/Single Function,NPN |
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FH-SC |
Omron |
光学传感器 |
商标名:Sysmac; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Hi-Spd Camera VGA Color |
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NOIL1SM0300A-QDC |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
商标名:Senstac Contact; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Image Sensors; 商标:ON Semiconductor; 系列:LUPA300; 封装:Tray; 工作电源电压:3 V; 封装 / 箱体:LCC-48; 像素大小 - 宽x高:9.9 um x 9.9 um; 每秒帧数:250 fps; 分辨率:300 kilopixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 40 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:640 H x 480 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 Andon LUPA300 MONO LLC48 |
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PY0738 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:5 V; 商标:Pyreos; 系列:Linear Array; 封装 / 箱体:DIP-16; 类型:Linear Array for spectrometry; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 128 Element Linear Array Sensor; Filter: LVF covering 5.5-11um |
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MT9V024IA7XTC-DP |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:260; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:MT9V024; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 颜色读出:Monochrome, RGB Bayer, RCCC; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 WVGA, Global Shutter |
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NOIV2SN1300A-QDC |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
商标名:Senstac Contact; 子类别:Sensors; 标准包装数量:64; 产品类型:Image Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:VITA1300; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LCC-48; 像素大小 - 宽x高:4.8 um x 4.8 um; 每秒帧数:150 fps; 分辨率:1.3 Megapixels; 最大工作温度:+ 85 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:1280 H x 1024 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 Andon VITA 1300 1.3 Mpx 150FPS |
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OP800WSL |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.84 mm; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:5.84 mm; 高度:5.88 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
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OPL801 |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:120 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Totem Pole, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
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QP5.8-6-TO5 |
First Sensor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 响应率:0.4 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:10 uA; 商标:First Sensor; 宽度:9.2 mm; 类型:Quadrant Photodiode; 封装:Bulk; 长度:9.2 mm; 高度:3.2 mm; 系列:QP Series 6; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.4 nA; 峰值波长:633 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-5; 产品:Quad Photodiodes; RoHS:E; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 Quadrant 1.19x1.19mm Area with 0.50mm Gap |
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PC50-7-TO8 |
First Sensor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:50; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:10 uA; 噪声等效功率 - NEP:3E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:15.3 mm; 类型:Low Capacitance PIN Photodiode; 封装:Bulk; 长度:15.3 mm; 高度:4.5 mm; 系列:PIN Series 7; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 20 C; 半强度角度:76 deg; 上升时间:55 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.5 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-8-6; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:E; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 Low Capacitance 7.98mm Dia Area |
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PR33-2-TO8 |
First Sensor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:25; 响应率:0.17 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:10 uA; 噪声等效功率 - NEP:2E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:13.97 mm; 封装:Bulk; 长度:13.97 mm; 高度:4.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:82 deg; 上升时间:0.6 us; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:340 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-8-3; 产品:Photodiodes; RoHS:E; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 UV/Blue enhanced 5.5x6.1mm Area |
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5000025 |
First Sensor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:50; 响应率:0.22 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:10 uA; 噪声等效功率 - NEP:5.8E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:15 mm; 长度:16.5 mm; 高度:2.5 mm; 系列:PIN Series 6b; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 20 C; 半强度角度:120 deg; 上升时间:200 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:1.5 nA; 峰值波长:410 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:CERpin; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 50V, 10mA, 100mm2 Ultra Blue series |
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SLLP4002CL |
Bulgin |
光学传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 40 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Light on op NPN Out 40mm dist w Cbl term |
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SLDN4002CL |
Bulgin |
光学传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Cable; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 40 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Dark on op PNP Out 40mm dist w Cbl term |
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SLLN4002CL |
Bulgin |
光学传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Cable; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 40 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Light on op PNP Out 40mm dist w Cbl term |
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SLDP4002CL |
Bulgin |
光学传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:Cable; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 40 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Dark on op NPN Out 40mm dist w Cbl term |
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SLDN4002M5 |
Bulgin |
光学传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M5 Connector; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 40 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Dark on op PNP Out 40mm dist w/ M5 term |
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SLLP4002M5 |
Bulgin |
光学传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M5 Connector; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 40 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Light on op NPN Out 40mm dist w/ M5 term |
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SLLN4002M5 |
Bulgin |
光学传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:PNP; 连接方法:M5 Connector; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 40 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Light on op PNP Out 40mm dist w/ M5 term |
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SLDP4002M5 |
Bulgin |
光学传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:25; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:12 V to 24 V; IP 等级:IP67; 商标:Bulgin; 宽度:16 mm; 系列:Photoelectric Sensor; 封装:Bulk; 长度:30 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M5 Connector; 光源:Sunlight; 感应距离:2 mm to 40 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; RoHS:Y; 制造商:Bulgin; |
光电传感器 Dark on op NPN Out 40mm dist w/ M5 term |
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QP50-6-TO8 |
First Sensor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5; 响应率:0.64 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:10 uA; 商标:First Sensor; 宽度:15.3 mm; 类型:Quadrant Photodiode; 封装:Bulk; 长度:15.3 mm; 高度:4.5 mm; 系列:QP Series 6; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:40 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-8-6; 产品:Quad Photodiodes; RoHS:E; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 Quadrant 4 X 11.78mm 7.8mm Active Area |
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QP50-6-18U-TO8 |
First Sensor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 响应率:0.4 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:10 uA; 商标:First Sensor; 宽度:15.3 mm; 类型:Quadrant Photodiode; 长度:15.3 mm; 高度:4.5 mm; 系列:QP Series 6; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:40 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:633 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-8; 产品:Quad Photodiodes; RoHS:E; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 Quadrant 7.98 Area w/0.018mm Gap |
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XUX5ANBNM12 |
Schneider Electric |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Schneider Electric; 宽度:30.5 mm; 系列:XUX; 长度:114 mm; 高度:87 mm; 特点:Hinged cover; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M12 Connector; 感应距离:3 m; 感应方式:Diffuse Reflective; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR COMPACT NPN XUX |
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XUX1ANANM12 |
Schneider Electric |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Schneider Electric; 宽度:18 mm; 系列:XUX; 长度:114 mm; 高度:87 mm; 特点:Hinged cover; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M12 Connector; 感应距离:20 m; 感应方式:Retroreflective; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR COMPACT NPN XUX |
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XUK8AKSNM12 |
Schneider Electric |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Telemecanique; 系列:XUK; 制造商:Schneider Electric; |
光电传感器 PHOTOELECTRIC SENSOR |
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3001034 |
First Sensor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:25; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 商标:First Sensor; 宽度:21 mm; 封装:Bulk; 长度:25 mm; 高度:2.1 mm; 系列:PSD Series 7; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 20 C; 上升时间:4000 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:80 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 Dual Axis 10x10mm |
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QSD124 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:12 deg; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:6.1 mm; 类型:Photo Transistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Black Transparent; 长度:6.1 mm; 高度:8.77 mm; 系列:QSD124; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:880 nm; 封装 / 箱体:T-1 3/4; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电晶体管 6mA PHOTO TRANS |
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KDT00030TR |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:1100 uA; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:0.8 mm; 波长:630 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:1.7 mm; 高度:0.6 mm; 系列:KDT00030; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:4.6 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:6 V; 峰值波长:630 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光电晶体管 Plastic Silicon Phototransistor |
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SFH 313 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2.5 mA; 半强度角度:10 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 3711 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:570 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1.5 mm x 1.35 mm x 0.95 mm; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
环境光传感器 PHOTOTRANSISTOR (ALS) SMT CHIPLED |
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LPT 80A |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:250 uA; 半强度角度:35 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2.54 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 封装:Bulk; 长度:4.57 mm; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 229 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:28 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.65E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:17 deg; 下降时间:10 ns; 上升时间:10 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:50 pA; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE T1 (3mm) |
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SFH 3710-3/4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:12.5 uA; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:1.35 mm; 波长:570 nm; 类型:Ambient Light Photo Sensor with Phototransistor Output; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.1 mm; 高度:0.9 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:-; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:100 mV; 集电极—射极击穿电压:5.5 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:5.5 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 峰值波长:570 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR (ALS) SMT CHIPLED |
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SFH 203 P |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:9.5 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:80 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5 mm; 长度:5.9 mm; 高度:5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:75 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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BPW 34 FAS |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:50 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:3.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.5 mm; 高度:1.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :16 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE SMT |
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SFH 2400 FA-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 响应率:0.65 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.2 uA; Pd-功率耗散:120 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.8E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:2 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.6 mm; 高度:1.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:DIL-SMT-3; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 235 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.63 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:50 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.1 mm; 封装:Bulk; 长度:5.1 mm; 高度:7.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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SFH 2270R |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 类型:High Precision Ambient Light Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; Vr - 反向电压 :2 V; 峰值波长:560 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 ALS Photodiode |
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SFH 206 K |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.62 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:800 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:4.2E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.1 mm; 长度:5.1 mm; 高度:6.9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:20 ns; 上升时间:20 ns; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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