| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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OP800WSL |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.84 mm; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 长度:5.84 mm; 高度:5.88 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
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OPL801 |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:120 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 55 C; 传播延迟时间:5 us; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; 工作电源电流:15 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Totem Pole, Inverter; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
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OP550A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:2.54 mm; 波长:930 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4.57 mm; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Sidelooker; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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OP506A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.08 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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OP505A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.08 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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OP535B |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:1.1 V; 集电极—射极击穿电压:15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V; 开启状态集电极最大电流:32 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photodarlington |
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OPL550 |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.25 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.45 mm; 波长:935 nm; 长度:2.34 mm; 高度:5.72 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:Side Looker; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:2.5 us; 下降时间:25 ns; 上升时间:25 ns; 高电平输出电流:1 uA; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V; 输出类型:Totem Pole - High; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Lateral |
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OP804SL |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.84 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 长度:5.84 mm; 高度:6.86 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:22 mA; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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OP598A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:10 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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OP644SL |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:400; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:1.57 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 长度:2.34 mm; 高度:2.92 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:50 mW; 下降时间:15 us; 上升时间:15 us; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 封装 / 箱体:Pill; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 NPN PHOTOTRANSISTOR |
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OP505B |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.08 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:5.95 mA; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Narrow Rcvng Angle 935nm |
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OPB100-SZ |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:300; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:880 nm; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 开启状态集电极最大电流:5 mA; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Infrared 890nm Sensor |
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OP805SL |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:5.84 mm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 长度:5.84 mm; 高度:6.86 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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OP830SL |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 65 C; Pd-功率耗散:250 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:1.2 V; 集电极—射极击穿电压:15 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photodarlington |
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OPL820 |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photo IC Sensors; Pd-功率耗散:200 mW; 低电平输出电压:0.4 V; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:4.75 mm; 波长:935 nm; 长度:4.75 mm; 高度:6.86 mm; 封装:Bulk; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-3; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 传播延迟时间:2.1 us; 下降时间:60 ns; 上升时间:60 ns; 工作电源电流:12 mA; 工作电源电压:4.5 V to 16 V; 输出类型:10 KOhms Pull-up, Buffer; 通道数量:1 Channel; 产品:Photo IC Sensors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光IC传感器 Photologic Sensor |
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OP593A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.84 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:250 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:4 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-18-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR TO-18 |
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OP599A |
TT Electronics |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:6.22 mm; 波长:890 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 长度:6.22 mm; 高度:8.89 mm; 系列:OP599; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:3.85 mA; 峰值波长:890 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-14-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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