器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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BPW17N |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:1 mA; 半强度角度:12 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.4 mm; 波长:825 nm; 类型:Chip; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Water Clear; 长度:3.3 mm; 高度:2.9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:32 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:825 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-.75 450 to 1040nm +/-12 deg |
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VEMT2023X01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:2.7 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:20 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Gullwing 790-970nm +/-35 deg |
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VEMT2020X01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:6 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:860 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:20 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:860 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Gullwing 790-970nm +/-15 deg |
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VEMT2520X01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:6 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:850 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:20 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 封装 / 箱体:Gull Wing; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Gullwing 470-1090nm +/-15 deg |
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VEMT2500X01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:6 mA; 半强度角度:15 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:850 nm; 类型:Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:20 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 封装 / 箱体:Reverse Gull Wing; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Reverse gullwing 470-1090nm +/-15 deg |
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BPV23F |
Vishay |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:63 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5 mm; 封装:Tube; 长度:4.5 mm; 高度:6 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 870-1050nm +/-60 deg |
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SFH 325 FA-4-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4.2 mm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:4.2 mm; 高度:3.8 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 暗电流:50 nA; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 封装 / 箱体:PLCC-2; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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VEMD2003X01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:35 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Reverse gullwing 750-1050nm +/-35 deg |
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VEMD2023X01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:35 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Gullwing 750-1050nm +/-35 deg |
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VEMD2523X01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:35 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Gullwing 350-1120nm +/-35 deg |
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VEMT2523SLX01 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:2.7 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:20 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Sideview 470-1090nm +/-35 deg |
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VEMT3700-GS08 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:0.5 mA; 半强度角度:60 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.8 mm; 类型:IR Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:1.65 mm; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 下降时间:6 us; 上升时间:6 us; 暗电流:200 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 60 Degree 100mW 70 Volt 50mA |
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SFH 2500 FA-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:70 uA; Pd-功率耗散:100 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:7.4 mm; 高度:4.6 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMR-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE, SMR |
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SFH 3204-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:60 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:140 mV; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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BPW41N |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:45 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3 mm; 封装:Bulk; 长度:5 mm; 高度:6.4 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 870-1050nm +/-65 deg |
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SFH 203 PFA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1.3 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 响应率:0.59 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6.2 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:80 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:5.9 mm; 高度:5 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:75 deg; 下降时间:5 ns; 上升时间:5 ns; Vr - 反向电压 :50 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PHOTODIODE |
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BPW83 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:45 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3 mm; 封装:Bulk; 长度:5 mm; 高度:6.4 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 790-1050nm +/-65 deg |
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BPW82 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:45 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3 mm; 封装:Bulk; 长度:5 mm; 高度:6.4 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 790-1050nm +/-65 deg |
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TCD1103GFG(8Z,AA) |
Toshiba |
光学传感器 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:4 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:120; 产品类型:Image Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Toshiba; 系列:TCD1103; 工作电源电压:3.3 V; 封装 / 箱体:GLCC-16; 像素大小 - 宽x高:5.5 um x 64 um; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 25 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:1500 H x 1 V; 类型:CCD Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
图像传感器 CCD Linear Sensor 1500 pixel 54mm |
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EPY22111 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro SMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-28; 产品:Motion Sensors; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro Digital SMD IR Sensor, Single Element, Aperture: 1.65mm, Filter: Motion 5.0um LP, for Gesture and motion |
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AR0330CM1C25SUD20 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 商标:ON Semiconductor; 系列:AR0330; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:-; 像素大小 - 宽x高:2.2 um x 2.2 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:3.5 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:RGB Bayer; 图象大小:2304 H x 1536 V; 类型:CMOS Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 3.5 MP 1/3 CMOS Image Sensor DIE |
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EPY22114 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro SMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-28; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro Digital SMD IR Sensor, 2x2 Array, Aperture: 1.65mm, Filter: 5.0um LP, for Gesture and motion |
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EPY21114 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro SMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-28; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro Digital SMD IR Sensor, 2x2 Array, Aperture: 0.9mm, Filter: 5.0um LP, for Gesture and motion |
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NOIP1SN0480A-STI1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:10; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:PYTHON480; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; 封装 / 箱体:CSP-67; 像素大小 - 宽x高:4.8 um x 4.8 um; 每秒帧数:120 fps; 分辨率:480 kilopixels; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:808 H x 608 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 PYTHON480 1/3.6in 0.48 MP SVGA |
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NOIP1SP0480A-STI |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V, 3.2 V; 电源电压-最大:1.9 V, 3.4 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:100; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3.6 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:PYTHON480; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; 封装 / 箱体:CSP-67; 像素大小 - 宽x高:4.8 um x 4.8 um; 每秒帧数:120 fps; 分辨率:0.48 Megapixels; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:808 H x 608 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 PYTHON480 1/3.6 BW_ CRA |
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NOIP1SE0480A-STI1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:10; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:PYTHON480; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; 封装 / 箱体:CSP-67; 像素大小 - 宽x高:4.8 um x 4.8 um; 每秒帧数:120 fps; 分辨率:480 kilopixels; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 颜色读出:Color; 图象大小:808 H x 608 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 PYTHON480 1/3.6in 0.48 MP SVGA |
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NOIP1SF0480A-STI1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:10; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ON Semiconductor; 系列:PYTHON480; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; 封装 / 箱体:CSP-67; 像素大小 - 宽x高:4.8 um x 4.8 um; 每秒帧数:120 fps; 分辨率:10 bit; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 颜色读出:RGB Bayer; 图象大小:808 H x 608 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 PYTHON480 1/3.6IN RG B_ CR |
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AR0135CS2M00SUD20 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 商标:ON Semiconductor; 系列:AR0135CS; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:Die; 像素大小 - 宽x高:3.75 um x 3.75 um; 每秒帧数:54 fps; 分辨率:1.2 Megapixels; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:1280 H x 960 V; 类型:CMOS Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1/3" 1.2 MP CMOS Image Sensor |
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EPY12231 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro SMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-28; 类型:Gas Sensor; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro Digital SMD IR Sensor, Single Element, Aperture: 1.65mm, Filter: CO2 (carbon dioxide) 4.26um/180nm |
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EPY12251 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 噪声等效功率 - NEP:2.7e-10 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 元件大小:0.64 mm x 0.64 mm; 探测能力D-star (500, f, 1):2.5e8 cm*sqrt Hz /W; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro SMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-28; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Digital Flame Detectors; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro Digital SMD IR Sensor, Single Element, Aperture: 1.65mm, Filter: Flame 4.48um/620nm |
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EPY12221 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro SMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-28; 类型:Gas Sensor; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro Digital SMD IR Sensor, Single Element, Aperture: 1.65mm, Filter: CH4 (methane) 3.30um/160nm |
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EPY12121 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 噪声等效功率 - NEP:2.7e-10 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 元件大小:0.64 mm x 0.64 mm; 探测能力D-star (500, f, 1):2.5e8 cm*sqrt Hz/W; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro SMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-28; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Digital Flame Detectors; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro Digital SMD IR Sensor, Single Element, Aperture: 1.65mm, Filter: 2.2um LP |
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EPY12261 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 湿度敏感性:Yes; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro SMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-28; 类型:Gas Sensor; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro Digital SMD IR Sensor, Single Element, Aperture: 1.65mm, Filter: NO (nitric oxide) 5.30um/180nm |
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EPY12241 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 噪声等效功率 - NEP:2.7e-10 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 元件大小:0.64 mm x 0.64 mm; 探测能力D-star (500, f, 1):2.5e8 cm*sqrt Hz /W; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro SMD; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-28; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Digital Flame Detectors; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro Digital SMD IR Sensor, Single Element, Aperture: 1.65mm, Filter: CO (carbon monoxide) 4.64um/180nm |
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NOIP1SF0480A-SDI-E |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.4 V; 子类别:Sensors; 产品类型:Image Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:PYTHON480; 工作电源电压:1.8 V, 3.3 V; 封装 / 箱体:CSP-67; 像素大小 - 宽x高:4.8 um x 4.8 um; 每秒帧数:120 fps; 分辨率:480 kilopixels; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 颜色读出:Color; 图象大小:800 H x 600 V; 类型:CMOS Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 PYTHON CMOS Image Sensor |
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PY1580 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:2.7 V to 8 V; 元件大小:1000 um x 1000 um; 商标:Pyreos; 封装:Tube; 系列:Analog TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-3; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Analog Flame Detectors; RoHS:Y; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Single Channel Sensor; Filter: Reference 3.375um / 190mn; Aperture: 5.2 mm x 4.2 mm |
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PY2572 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:2.7 V to 8 V; 元件大小:1 mm x 1 mm; 商标:Pyreos; 封装:Tube; 系列:Analog TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-4; 类型:Pyroelectric Detector; RoHS:Y; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Dual Channel Sensor; Filters: CO2 (carbon dioxide) (4.26um/180nm); Reference (4.90um/130nm) |
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PY2486 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:2.7 V to 8 V; 元件大小:1 mm x 1 mm; 商标:Pyreos; 封装:Tube; 系列:Analog TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-4; 类型:Pyroelectric Detector; RoHS:Y; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Dual Channel Sensor; Filters: HC (hydrocarbon) (3.33um/160nm); Reference (3.91um/90nm) |
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PY1839 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 商标:Pyreos; 系列:Analog TO; 类型:Particle Sensor; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Dual Channel Sensor; Filters: (5.0um Longpass), (5.0um Longpass) |
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PY2343 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:2.7 V to 8 V; 商标:Pyreos; 系列:Analog TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-4; 类型:Gas Sensor; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Dual CO2 Sensor; Filters: CO2 (carbon dioxide) (4.26um/180nm); Reference (3.7in0um/110nm) |
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ePR44282 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 元件大小:1 mm x 1 mm; 商标:Pyreos; 封装:Tube; 系列:ezPyro TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-3; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Digital Flame Detectors; RoHS:Y; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro TO-39, 3+1, digital flame sensor with filter 4.55um/420nm |
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PY2055 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:2.7 V to 8 V; 商标:Pyreos; 系列:Analog TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-4; 类型:Gas Sensor; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Dual Channel Sensor; Filters: NO2 (nitrogen dioxide) (6.2um/200nm, on tap); Reference (3.91um/90nm) |
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PY2544 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 商标:Pyreos; 封装:Tube; 系列:Analog TO; 安装风格:Through Hole; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Analog Flame Detectors; RoHS:Y; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Quad channel sensor for HC (hydrocarbon), CO (carbon monoxide) and CO2 (carbon dioxide), Filters: 3.375um/190nm, 3.91um/90nm, 4.26um/180nm, 4.64um/180nm |
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PY2213 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 元件大小:700 um x 325 um; 商标:Pyreos; 封装:Tube; 系列:Analog TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-8; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Analog Flame Detectors; RoHS:Y; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Quad channel sensor for anaesthetic gases, Filters: 3.90um/200nm, 3.90um/200nm, 4.26um/180nm, 8.416um/180nm |
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KAI-2001-AAA-CP-BA |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Image Sensors; 商标:ON Semiconductor; 系列:KAI-2001; 封装:Bulk; 类型:CCD Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 INTERLINE CCD IMAGE SENSO |
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SI1133-AA00-GM |
Silicon Laboratories |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 上升时间:300 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:30 deg; 下降时间:300 ns; 商标:Silicon Labs; 类型:UV Index and Ambient Light Sensor; 封装:Cut Tape; 系列:SI1133; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:1.62 V to 3.6 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:QFN-10; 产品:Ambient Light Sensors; 制造商:Silicon Laboratories; |
环境光传感器 UV sensor, improved performance |
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1541201NC3060 |
Wurth Elektronik |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 波长:940 nm; 类型:Reverse mount Black Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:WL-STRB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mA; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1206 (3216 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-STRB SMT Phototransistor Rev |
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1541201NEA400 |
Wurth Elektronik |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 波长:940 nm; 类型:Black Chip Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:WL-STCB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:1206 (3216 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-STCB SMT Phototransistor Chip |
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VEMT4700F-GS08 |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:7500; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 开启状态集电极最大电流:50 mA; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Photo trans PLCC3 DB Filter |
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BPV22F |
Vishay |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:80 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:4.5 mm; 高度:6 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 55 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 870-1050nm +/-60 deg |