| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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PY0576 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 产品类型:IR Detectors; 光敏感性:150000 V/W; 工作电源电压:2.7 V to 8 V; 噪声等效功率 - NEP:70 uVW/sqrt Hz; 元件大小:1 mm x 1 mm; 探测能力D-star (500, f, 1):3.5e8 cm*sqrt Hz/W; 商标:Pyreos; 响应时间:12 ms; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39 -3; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Analog Flame Detectors; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 human motion rejection (5.5m Longpass) |
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USEQFCSA448100 |
KEMET |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:50; 产品类型:IR Detectors; 光敏感性:150000 V/W; 工作电源电压:2.7 V to 8 V; 元件大小:1000 um x 1000 um; 探测能力D-star (500, f, 1):3.5e8 cm*sqrt Hz / W; 商标:KEMET; 响应时间:12 ms; 材料:PZT (Lead Zirconate Titanate); 封装:Tube; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-3; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Analog Flame Detectors; RoHS:Y; 制造商:KEMET; |
红外探测器 3.38um bandpass Analog |
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E3ZLT81D2M |
Omron |
光学传感器 |
电源电压-最小:12 V; 电源电压-最大:24 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; IP 等级:IP67; 商标:Omron Automation and Safety; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:PNP; 连接方法:Pre-Wired; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:60 m; 感应方式:Through Beam; 制造商:Omron; |
光电传感器 Laser Photo Electric Sensor |
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E3S-DCN21 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 10 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M12 Connector; 光源:LED; 感应距离:10 mm; 感应方式:Diffuse Reflective; 制造商:Omron; |
光电传感器 Omron |
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PC2-6B-T052-SI |
First Sensor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3; 响应率:0.37 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:-; 商标:First Sensor; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:-; 上升时间:12 ns; Vr - 反向电压 :5 V; 暗电流:0.1 nA; 峰值波长:550 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-52-3; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 |
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SFH 2200 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.7 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:8 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.026 pW/Hz 1/2; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.04 us; 上升时间:0.04 us; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-2; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PIN Photodiode SMT Package |
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SFH 2201 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.45 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:13 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:100 mA; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:0.04 us; 上升时间:0.04 us; Vr - 反向电压 :5 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:D5140; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电二极管 PIN Photodiode SMT Package |
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VEMD5080X01 |
Vishay |
光学传感器 |
Vf - 正向电压:900 mV; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:45 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD5080X01; 最大工作温度:+ 110 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:200 pA; 峰值波长:950 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 350-1100nm +/-65 deg |
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VEMD5510C |
Vishay |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:2.6 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:VEMD5510C; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; Vr - 反向电压 :20 V; 暗电流:0.2 nA; 峰值波长:550 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Top view 440-700nm +/-65 deg |
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BH1749NUC-E2 |
ROHM Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:ROHM Semiconductor; 类型:Color Sensors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:2.5 V; 封装 / 箱体:WSON-8; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
环境光传感器 Dig 16bit Clr Sensr 2.3-3.6V 80klx 190uA |
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OPT3002DNPT |
Texas Instruments |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.6 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:250; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 最大上升时间:300 ns; 最大下降时间:300 ns; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C; 商标:Texas Instruments; 系列:OPT3002; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:USON-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3.6 V; 最大工作频率:2.6 MHz; 数据总线宽度:23 bit; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
光学数位转换器 |
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EPR44252 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:1.75 V to 3.6 V; 元件大小:1 mm x 1 mm; 商标:Pyreos; 系列:ezPyro TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-3; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Digital Flame Detectors; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 ezPyro TO-39, 3+1, Digital Flame Sensor with Filter 4.48um/620nm |
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PY0235 |
Pyreos |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:2.7 V to 5 V; 元件大小:700 um x 325 um; 商标:Pyreos; 封装:Tube; 系列:Analog TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-8; 类型:Pyroelectric Detector; 产品:Analog Flame Detectors; RoHS:Y; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Quad Channel Sensor; Filters: CO2 (carbon dioxide) (4.26um/180nm); CO (carbon monoxide) (4.64um/180nm); CH4 (methane) (3.30um/160nm); Reference (3.91um/ 90nm) |
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E3NX-MA6 |
Omron |
光学传感器 |
电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:30 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Fiber Optic Sensors; 工作电源电压:10 V to 30 V; 最小工作温度:- 25 C; 最大工作温度:+ 55 C; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3NX-MA; 响应时间:1 ms; 感应方式:Light; 制造商:Omron; |
光纤传感器 2 Channel FOA, NPN connector |
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E3NX-MA8 |
Omron |
光学传感器 |
电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:30 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Fiber Optic Sensors; 工作电源电压:10 V to 30 V; 最小工作温度:- 25 C; 最大工作温度:+ 55 C; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3NX-MA; 响应时间:1 ms; 感应方式:Light; 制造商:Omron; |
光纤传感器 2 Channel FOA, PNP connector |
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E3NX-MA41 |
Omron |
光学传感器 |
电源电压-最小:10 V; 电源电压-最大:30 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Fiber Optic Sensors; 工作电源电压:10 V to 30 V; 最小工作温度:- 25 C; 最大工作温度:+ 55 C; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3NX-MA; 响应时间:1 ms; 感应方式:Light; 制造商:Omron; |
光纤传感器 2 Channel FOA, PNP prewired |
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MT9V136C12STC-DR1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:152; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/4 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:MT9V136; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:CLCC-48; 像素大小 - 宽x高:5.6 um x 5.6 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:VGA; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:RGB Bayer; 图象大小:640 H x 480 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 VGA 1/4 SOC |
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MT9V024IA7XTM-DR1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:260; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:MT9V024; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 工作电源电压:3.3 V; 封装 / 箱体:IBGA-52; 像素大小 - 宽x高:6 um x 6 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:WVGA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 颜色读出:Monochrome, RGB Bayer, RCCC; 图象大小:752 H x 480 V; 类型:CMOS Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 VGA 1/3 GS CIS |
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AR0132AT6C00XPEA0-DRBR1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:260; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:AR0132AT; 封装:Tray; 资格:AEC-Q100; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:IBGA-63; 像素大小 - 宽x高:3.75 um x 3.75 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:1.2 Megapixels; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 颜色读出:Color; 图象大小:1280 H x 960 V; 类型:CMOS Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1.2 MP 1/3 CMOS Image Sensor |
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1540601NBA500 |
Wurth Elektronik |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 波长:940 nm; 类型:Waterclear Chip Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:WL-STCW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:20 mA; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:0603 (1608 metric); 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-STCW SMT Phototransistor Chip |
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AFBR-S4N44C013 |
Broadcom Limited |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:240; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Broadcom / Avago; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 20 C; 暗电流:0.4 uA; 峰值波长:420 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:3.88 mm x 3.88 mm; 产品:Photodiode Arrays; RoHS:Y; 制造商:Broadcom Limited; |
光电二极管 SiPM CSP 4x4mm 30um NUVHD |
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MT9P031I12STM-DP1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:240; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:Aptina / ON Semiconductor; 系列:MT9P031; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:ILCC-48; 像素大小 - 宽x高:2.2 um x 2.2 um; 每秒帧数:14 fps; 分辨率:5 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:2592 H x 1944 V; 类型:CMOS Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 5 MP 1/3 CMOS Image Sensor |
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MT9M114EBLSTCZ-CR1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:3.1 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:480; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/6 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:MT9M114; 封装:Tray; 工作电源电压:1.7 V to 3.1 V; 像素大小 - 宽x高:1.9 um x 1.9 um; 每秒帧数:30 fps; 分辨率:1.26 Megapixels; 最大工作温度:+ 75 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Color; 图象大小:1280 H x 960 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1 MP 1/6" System- on-Chip |
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AFBR-S10PS010Z |
Broadcom Limited |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:100; 产品类型:Fiber Optic Sensors; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 85 C; 商标:Broadcom / Avago; 类型:Optical Point Sensor; 系列:AFBR-S; 安装:Panel; 感应距离:-; 感应方式:Light; RoHS:Y; 制造商:Broadcom Limited; |
光纤传感器 Point sensor for Optical Arc Flash Dt |
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ADPD188GG-ACEZR7 |
Analog Devices Inc. |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Analog Devices; 类型:Integrated Optical Module; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:ADPD188GG; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:1.8 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LGA-24; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
环境光传感器 Optical module for non-clinical VSM apps |
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AFBR-S4N66C013 |
Broadcom Limited |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:100; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Broadcom; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 暗电流:1.3 uA; 峰值波长:420 nm; 安装风格:SMD/SMT; RoHS:Y; 制造商:Broadcom Limited; |
光电二极管 SiPM CSP 6x6mm 30umNUVHD |
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AFBR-S4N44P163 |
Broadcom Limited |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:12; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Broadcom / Avago; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 20 C; 暗电流:0.4 uA; 峰值波长:420 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Photodiode Arrays; RoHS:Y; 制造商:Broadcom Limited; |
光电二极管 SiPM PCB 4x4 4mm 30um NUVHD |
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ADPD2140BCPZN-R7 |
Analog Devices Inc. |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:8 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:10 mA; 商标:Analog Devices; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ADPD2140; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:228 ns; 上升时间:227 ns; Vr - 反向电压 :0.2 V; 暗电流:1.74 pA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:LFCSP-8; 产品:Quad Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
光电二极管 Discrete Filtered Photodiode |
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AR0144CSSM00SUKA0-CPBR2 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/4 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tray; 封装 / 箱体:ODCSP-69; 像素大小 - 宽x高:3 um x 3 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:1 Megapixels; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:1280 H x 800 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1MP 1/4 CIS SO Image Sensor |
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F3SG-4RE0590P30 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Optical Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; |
安全光幕 Global Light Curtain, Economy |
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MT9V034C12STM-DP1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:152; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:MT9V034; 封装:Tray; 工作电源电压:3.3 V; 封装 / 箱体:CLCC-48; 像素大小 - 宽x高:6 um x 6 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:WVGA; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:752 H x 480 V; 类型:CMOS Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 VGA 1/3 GS CMOS Image Sensor |
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AR1335CSSC11SMKA0-CP2 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tray; 封装 / 箱体:ODCSP-63; 像素大小 - 宽x高:1.1 um x 1.1 um; 每秒帧数:30 fps; 分辨率:13 Megapixels; 颜色读出:RGB; 图象大小:4208 H x 3120 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 13MP 1/3 CIS SO Image Sensor |
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MT9P031I12STC-DR1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:240; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:MT9P031; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:ILCC-48; 像素大小 - 宽x高:2.2 um x 2.2 um; 每秒帧数:15 fps; 分辨率:5 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Color; 图象大小:2592 H x 1944 V; 类型:CMOS Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 5 MP 1/3 CMOS Image Sensor |
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AR0134CSSM00SPCA0-DPBR2 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:ILCC-48; 像素大小 - 宽x高:3.75 um x 3.75 um; 每秒帧数:54 fps; 分辨率:1.2 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:Monochrome; 图象大小:1280 H x 960 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1.2 MP 1/3 GS CIS Image Sensor |
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F3SG-4RA0430-30 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Optical Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; |
安全光幕 Global Light Curtain, Advanced |
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F3SG-4RE0750P30 |
Omron |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Optical Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 制造商:Omron; |
安全光幕 Global Light Curtain, Economy |
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AR0135CS2M00SUEA0-DPBR2 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tray; 封装 / 箱体:IBGA-63; 像素大小 - 宽x高:3.75 um x 3.75 um; 每秒帧数:54 fps; 分辨率:1.2 Megapixels; 颜色读出:Monochrome; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1MP 1/3 CIS SO Image Sensor |
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AR0135CS2C00SUEA0-DPBR1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.8 V; 电源电压-最大:2.8 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:260; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:AR0135CS; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V to 2.8 V; 封装 / 箱体:IBGA-63; 像素大小 - 宽x高:3.75 um x 3.75 um; 每秒帧数:54 fps; 分辨率:1.2 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:RGB; 图象大小:1280 H x 960 V; 类型:CMOS Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1MP 1/3 CIS SO |
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AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:IBGA-80; 像素大小 - 宽x高:3 um x 3 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:2.1 Megapixels; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:RGB; 图象大小:1928 H x 1088 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 2 MP 1/3 CIS Image Sensor |
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MLX75305KXD-AAA-000-RE |
Melexis |
光学传感器 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:5.5 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Optical Sensors; 工作电源电流:2 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Melexis; 系列:MLX75305; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 工作电源电压:3 V to 5.5 V; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 125 C; 峰值波长:850 nm; 响应率:70 mV/(uW/cm2); 产品:Light to Voltage Converters; RoHS:Y; 制造商:Melexis; |
光频率和光电压 Light to voltage converter |
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AR0130CSSC00SPBA0-DR1 |
ON Semiconductor |
光学传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.95 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:152; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:AR0130CS; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:PLCC-48; 像素大小 - 宽x高:3.75 um x 3.75 um; 每秒帧数:45 fps; 分辨率:1.2 Megapixels; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:RGB Bayer; 图象大小:1280 H x 960 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1.2 MP 1/3 CIS |
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LTR-329ALS-01 |
Lite-On |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2500; 上升时间:300 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:300 ns; 商标:Lite-On; 宽度:2 mm; 类型:Digital Ambient Light Sensor; 长度:2 mm; 高度:0.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:3 V; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:ChipLED-4; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
环境光传感器 Ambient Light Photo Sensor |
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APDS-9960 |
Broadcom Limited |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 上升时间:20 ns; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 下降时间:20 ns; 商标:Broadcom / Avago; 宽度:2.36 mm; 类型:Digital Proximity and Ambient Light Sensor; 长度:3.94 mm; 高度:1.35 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:APDS; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:850 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Color Sensors; RoHS:Y; 制造商:Broadcom Limited; |
环境光传感器 Intg Digital Gesture Color ALS PS |
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SFH 310-2/3 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2 mA; 半强度角度:25 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:880 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Bulk; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:4.8 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309-4/5 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:3.2 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:860 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:8 us; 上升时间:8 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:860 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 314 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2.5 mA; 半强度角度:40 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:6.9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 309 FA |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:5 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:-; 上升时间:-; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 300 FA-3/4 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 半强度角度:25 deg; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:880 nm; 类型:IR Chip; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:10 us; 上升时间:10 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:880 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 320 FA-3-Z |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:50 uA; 半强度角度:60 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:3 mm; 波长:980 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:3.4 mm; 高度:2.1 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:7 us; 上升时间:7 us; 暗电流:50 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:980 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:PLCC-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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SFH 313 FA-2/3 |
Osram Opto Semiconductor |
光学传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:12.5 mA; 半强度角度:10 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 波长:870 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:5.9 mm; 高度:9 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; 下降时间:12 us; 上升时间:12 us; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:150 mV; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:870 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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