| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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ONET4211LDRGET |
Texas Instruments |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:250; 产品类型:Laser Drivers; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:4 mm; 工作温度范围:- 40 C to + 85 C; 长度:4 mm; 高度:0.88 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-24; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:45 mA; 工作电源电压:3 V to 3.6 V; 数据速率:4.25 Gb/s; 系列:ONET4211LD; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
激光驱动器 155 Mbps - 4.25 Gbps Laser Driver |
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SY88922VKG |
Microchip |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:100; 串联电阻:0 Ohms to 50 Ohms; 产品类型:Laser Drivers; Pd-功率耗散:250 mW; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Microchip Technology / Micrel; 类型:Laser Diode Drivers; 封装:Tube; 封装 / 箱体:MSOP-10; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:25 mA; 工作电源电压:3.3 V, 5 V; 数据速率:2.5 Gb/s; 系列:SY88922V; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
激光驱动器 3.3V-5V 2.5 Gbps 25 mA LDD |
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DS1874T+ |
Maxim Integrated |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:60; 产品类型:Laser Drivers; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Maxim Integrated; 封装:Tube; 封装 / 箱体:TQFN-28; 最大工作温度:+ 95 C; 最小工作温度:- 40 C; 系列:DS1874T; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
激光驱动器 SFP+ Controller with Digital LDD Interface |
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SY88422LMG |
Microchip |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Laser Drivers; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Microchip Technology / Micrel; 类型:Laser Diode Drivers; 封装:Tube; 封装 / 箱体:QFN-16; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:35 mA; 工作电源电压:3.3 V; 数据速率:4.25 Gb/s; 系列:SY88422L; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
激光驱动器 4.25 Gbps LDD with Bias and Monitor Functions |
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SY88822VKG |
Microchip |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Laser Drivers; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Microchip Technology / Micrel; 封装:Tube; 封装 / 箱体:MSOP-10; 系列:SY88822V; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
激光驱动器 3.3V-5V 1.25 Gbps 25 mA LDD |
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SY88022ALMG |
Microchip |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Laser Drivers; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Microchip Technology / Micrel; 封装:Tube; 封装 / 箱体:QFN-16; 系列:SY88022AL; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
激光驱动器 10Gbps FP/DFB LDD w/ Bias |
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LTC5100EUF#PBF |
Analog Devices Inc. |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:91; 产品类型:Laser Drivers; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Analog Devices / Linear Technology; 类型:VCSEL Driver; 封装:Tube; 封装 / 箱体:QFN-16; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:54 mA; 工作电源电压:3.135 V to 3.465 V; 数据速率:3.2 Gb/s; 系列:LTC5100; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
激光驱动器 3.125Gbps VCSEL Laser Driver |
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OPV302 |
TT Electronics |
激光 |
Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:100; If - 正向电流:7 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 系列:OPV302; 封装 / 箱体:TO-46-3; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL Dome Lens |
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OPV332 |
TT Electronics |
激光 |
Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:200; If - 正向电流:7 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 封装 / 箱体:T-1 (3 mm); 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL |
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OPV314YAT |
TT Electronics |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:50; 串联电阻:55 Ohms; 上升时间:90 ps; If - 正向电流:7 mA; 下降时间:120 ps; 差分效率:60 uW/mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 封装 / 箱体:ST; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:600 uW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL |
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OPV315YBT |
TT Electronics |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:50; 上升时间:90 ps; If - 正向电流:7 mA; 下降时间:120 ps; 差分效率:20 uW/mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 系列:OPV315; 封装 / 箱体:ST-Tall; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:200 uW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL |
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OPV300 |
TT Electronics |
激光 |
Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:100; 上升时间:100 ps; If - 正向电流:7 mA; 下降时间:100 ps; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 系列:OPV310; 封装 / 箱体:TO-46-3; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL Flat Window |
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OPV314 |
TT Electronics |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:100; 串联电阻:55 Ohms; 上升时间:100 ps; If - 正向电流:7 mA; 下降时间:100 ps; 差分效率:0.6 mW/mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 系列:OPV314; 封装 / 箱体:TO-46; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:1.4 mW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL Microlens |
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OPV330 |
TT Electronics |
激光 |
Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:200; If - 正向电流:7 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 封装 / 箱体:T-1 (3 mm); 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL |
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OPV310 |
TT Electronics |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:100; 串联电阻:55 Ohms; 上升时间:100 ps; If - 正向电流:7 mA; 下降时间:100 ps; 差分效率:0.6 mW/mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 系列:OPV310; 封装 / 箱体:TO-46; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:1.5 mW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL Flat Lens |
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OPV382 |
TT Electronics |
激光 |
Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:200; If - 正向电流:12 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL |
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OPV322 |
TT Electronics |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:160; 串联电阻:55 Ohms; If - 正向电流:7 mA; 差分效率:0.28 mW/mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 封装 / 箱体:Pill; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:1.5 mW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL TO-46 MICROLENS W/PD |
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OPV310Y |
TT Electronics |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:100; 串联电阻:55 Ohms; 上升时间:100 ps; If - 正向电流:7 mA; 下降时间:100 ps; 差分效率:0.6 mW/mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 系列:OPV310; 封装 / 箱体:TO-46; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:1.5 mW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL Flat Lens |
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OPV380 |
TT Electronics |
激光 |
Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:200; If - 正向电流:7 mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL |
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OPV314AT |
TT Electronics |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:50; 串联电阻:55 Ohms; 上升时间:90 ps; If - 正向电流:7 mA; 下降时间:120 ps; 差分效率:60 uW/mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 封装 / 箱体:ST-Tall; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:600 uW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL |
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OPV314Y |
TT Electronics |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:100; 串联电阻:55 Ohms; 上升时间:100 ps; If - 正向电流:7 mA; 下降时间:100 ps; 差分效率:0.6 mW/mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 系列:OPV314; 封装 / 箱体:TO-46; 封装:Bulk; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:1.4 mW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL |
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OPV314YBT |
TT Electronics |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:50; 串联电阻:55 Ohms; 上升时间:90 ps; If - 正向电流:7 mA; 下降时间:120 ps; 差分效率:40 uW/mA; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:850 nm; 封装 / 箱体:ST-Tall; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:400 uW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
VCSEL激光器 VCSEL |
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PLPVQ 940A |
Osram Opto Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:2.2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:2500; 上升时间:1 ns; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:1 A; 下降时间:1 ns; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 波长:940 nm; 系列:BIDOS; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:0 C; 输出功率:600 mW; 产品类型:VCSEL; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
VCSEL激光器 Infrared VCSEL 940 nm |
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511322-0009 |
Diode Laser Concepts |
激光 |
子类别:Lasers; 标准包装数量:1; 产品类型:Industrial Lasers; 商标:Diode Laser Concepts; 封装:Bulk; 输出功率:5.2 mW; 制造商:Diode Laser Concepts; |
工业激光器 24VDC |
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511322-0017 |
Diode Laser Concepts |
激光 |
子类别:Lasers; 标准包装数量:1; 产品类型:Industrial Lasers; 商标:Diode Laser Concepts; 波长:635 nm; 输出功率:1.9 mW; 光束类型:Line; 制造商:Diode Laser Concepts; |
工业激光器 Ind. Module 635nm 45 Deg Line DC Conn |
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TQP5115 |
Qorvo |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:250; 产品类型:Laser Drivers; Pd-功率耗散:0.44 W; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Qorvo; 类型:EML Driver; 封装:Tray; 封装 / 箱体:QFN-24; 工作电源电流:135 mA; 工作电源电压:3.3 V; 数据速率:11.3 Gb/s; 系列:TQP; RoHS:Y; 制造商:Qorvo; |
激光驱动器 11.3 Gb/s EML Driver Rise/Fall 28psec |
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ONET1101LRGER |
Texas Instruments |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:3000; 产品类型:Laser Drivers; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Texas Instruments; 宽度:4 mm; 工作温度范围:- 25 C to + 100 C; 长度:4 mm; 高度:0.88 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:VQFN-24; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 25 C; 工作电源电流:118 mA; 工作电源电压:2.97 V to 3.63 V; 数据速率:11.3 Gb/s; 系列:ONET1101L; RoHS:Y; 制造商:Texas Instruments; |
激光驱动器 11.3Gbps Laser Diode Driver |
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MAX3946ETG+T |
Maxim Integrated |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:2500; 产品类型:Laser Drivers; Pd-功率耗散:2.2 W; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Maxim Integrated; 宽度:4 mm; 类型:Laser Driver; 长度:4 mm; 高度:0.73 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:68 mA; 工作电源电压:2.85 V to 3.63 V; 数据速率:11.3 Gb/s; 系列:MAX3946; RoHS:Y; 制造商:Maxim Integrated; |
激光驱动器 1Gbps to 11.3Gbps, SFP+ Laser Driver with Laser Impedance MismatchTolerance |
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SY84782UMG |
Microchip |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:100; 产品类型:Laser Drivers; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Microchip Technology / Micrel; 封装:Tube; 封装 / 箱体:QFN-16; 系列:SY84782U; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
激光驱动器 2.5V 1.25Gbps Laser Diode Driver |
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511322-0020 |
Diode Laser Concepts |
激光 |
子类别:Lasers; 标准包装数量:1; 产品类型:Industrial Lasers; 商标:Diode Laser Concepts; 封装:Bulk; 波长:635 nm; 输出功率:7 mW; 光束类型:Line; 制造商:Diode Laser Concepts; |
工业激光器 Ind. Module 635nm 90 Degree Line M12 |
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611322-0002 |
Diode Laser Concepts |
激光 |
子类别:Lasers; 标准包装数量:1; 产品类型:Industrial Lasers; 商标:Diode Laser Concepts; 封装:Bulk; 波长:635 nm; 输出功率:5 mW; 光束类型:Cross Hair; 制造商:Diode Laser Concepts; |
工业激光器 Module 635nm 60 Deg Crosshair DC Conn |
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581222-0001 |
Diode Laser Concepts |
激光 |
子类别:Lasers; 标准包装数量:1; 产品类型:Industrial Lasers; 商标:Diode Laser Concepts; 封装:Bulk; 波长:655 nm; 输出功率:1 mW; 光束类型:Round Spot; 制造商:Diode Laser Concepts; |
工业激光器 Ind. Module 655nm Round Spot M12 |
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581322-0002 |
Diode Laser Concepts |
激光 |
子类别:Lasers; 标准包装数量:1; 产品类型:Industrial Lasers; 商标:Diode Laser Concepts; 封装:Bulk; 波长:655 nm; 输出功率:2.7 mW; 光束类型:Line; 制造商:Diode Laser Concepts; |
工业激光器 Ind. Module 655nm 60 Deg Line M12 |
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511322-0014 |
Diode Laser Concepts |
激光 |
子类别:Lasers; 标准包装数量:1; 产品类型:Industrial Lasers; 商标:Diode Laser Concepts; 封装:Bulk; 波长:635 nm; 输出功率:2.4 mW; 光束类型:Line; 制造商:Diode Laser Concepts; |
工业激光器 Ind. Module 635nm 45 Deg Line M12 |
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511322-0037 |
Diode Laser Concepts |
激光 |
子类别:Lasers; 标准包装数量:1; 产品类型:Industrial Lasers; 商标:Diode Laser Concepts; 封装:Bulk; 波长:635 nm; 制造商:Diode Laser Concepts; |
工业激光器 Laser Module 0.75" 10 Deg Line 635nm |
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SPLPL90 |
Osram Opto Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :3 V; 电源电压-最小:-; 电源电压-最大:-; 子类别:Lasers; 标准包装数量:50; 上升时间:1 ns; 产品类型:Laser Diodes; 下降时间:1 ns; 差分效率:-; 温度特性:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.9 mm; 长度:5.9 mm; 高度:5 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vf - 正向电压:5.3 V; 波长:915 nm; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
激光二极管 25 W, 905 nm |
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ADN8831ACPZ-REEL7 |
Analog Devices Inc. |
激光 |
子类别:Driver ICs; 标准包装数量:1500; 产品类型:Laser Drivers; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Analog Devices; 宽度:5 mm; 类型:Thermoelectric Cooler (TEC) Controller; 长度:5 mm; 高度:0.83 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:LFCSP-32; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电流:8 mA; 工作电源电压:5.5 V; 系列:ADN8831; RoHS:Y; 制造商:Analog Devices Inc.; |
激光驱动器 HIGH PRECISION/EFFICIENCY TEC CONTROLLER |
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SPL PL90_3 |
Osram Opto Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :3 V; 电源电压-最小:-; 电源电压-最大:-; 子类别:Lasers; 标准包装数量:50; 串联电阻:-; 上升时间:1 ns; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:40 A; 下降时间:1 ns; 差分效率:-; 温度特性:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:5.1 mm; 类型:Pulsed Laser Diode in Plastic Package; 长度:5.9 mm; 高度:5 mm; 封装 / 箱体:T-1 3/4; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vf - 正向电压:9 V; 波长:905 nm; 输出功率:75 W; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
激光二极管 NANOSTACK 75 W 905 nm |
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PLT5 488 |
Osram Opto Semiconductor |
激光 |
子类别:Lasers; 标准包装数量:50; 产品类型:Laser Diodes; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
激光二极管 Laser Diode TO56 |
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RLD65MZT7-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:28 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.7 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:7 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 660NM RED SNGL MODE LASER |
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RLD78NZM5-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:20 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.55 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.8 V; 波长:780 nm; 输出功率:10 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 780NM INFRARED SNGL MODE LASER |
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RLD65NZX2-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.6 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:7 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 660NM RED SNGL MODE LASER |
|
RLD78MZA6-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:35 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.35 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.9 V; 波长:780 nm; 输出功率:4.5 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 780NM INVISIBLE MULTI MODE LAS |
 |
RLD63NPC5-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.55 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 40 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.2 V; 波长:635 nm; 输出功率:6 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 635NM RED SINGLE MODE LASER |
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RLD65PZX2-01A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.6 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:7 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 660NM RED SNGL MODE LASER |
|
RLD65NZX1-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:24 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.85 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:10 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 650NM RED SNGL MODE LASER |
|
RLD65PZX3-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:42 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.6 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:12 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 660NM RED SNGL MODE LASER |
|
RLD78PZM7-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.65 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.8 V; 波长:780 nm; 输出功率:20 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 780NM INVISIBLE SNGL MODE LASE |
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RLD78MZM7-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.65 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.8 V; 波长:780 nm; 输出功率:20 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 780NM INFRARED SNGL MODE LASER |
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RLD78NZM7-00A |
ROHM Semiconductor |
激光 |
Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.65 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.8 V; 波长:780 nm; 输出功率:20 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
激光二极管 780NM INVISIBLE SNGL MODE LASE |
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