ROHM Semiconductor激光价格_批发_代理商

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激光界面模块控制器输入设备旋钮和转盘硬件开关继电器气体放电管 - GDT 压敏电阻浪涌抑制器罩类、盒类及壳类产品端子白炽灯和支架电容器电阻器电感器、扼流圈与线圈音频信号变压器电池电池充电器函数发生器与合成器示波器环境检测设备面板表万用表与电压表温度保险丝散热片防静电控制产品工具扁平电缆同轴电缆连接线电线与电缆管理 ESD 抑制器 TVS 二极管电机与驱动器未分类连接器模块式连接器/以太网连接器化学物质胶带线性位移传感器流量传感器液位传感器传感器硬件与配件存储箱与外壳 EMI 滤波器 EMI 抑制电容触摸传感器汽车连接器 I O 连接器 IC 与器件插座编码器存储器 IC 无线与射频模块台式电源交流电源线电源管理 IC 直流电源连接器交流电源输入模块压敏电阻热敏电阻 - NTC 热敏电阻器断路器编码器磁性传感器运动与定位传感器光学传感器压力传感器背光元器件开发软件显示器集成电路 - IC 光学探测器和传感器显示模块光纤红外线数据通信超级电容器以太网和通信模块光耦合器光电耦合器频率控制器和定时装置导热接口产品照明连接器圆形连接器音频与视频连接器热敏电阻 - PTC 太阳能连接器光伏连接器温度保险丝电流传感器温度传感器近程传感器 LED保护设备接线端子测试设备配件音频视频测试设备校验设备数据记录与采集光纤测试频率计数器 LAN 电信电缆测试 RF 测试设备电池测试机十进盒元件测试仪绝缘测试器兆欧计驱动器晶闸管 USB连接器 IEEE 1394连接器射频互连信号调节工程工具音频模块 LED 照明开发工具视频模块传感器模块传感器开发工具能量采集模块电源管理IC开发工具电源管理模块变压器 LED发射器散热排 - LED 热基质 - MCPCB 天线射频无线开发工具模块配件衰减器 -互连测试设备电源线无线和射频半导体音频传感器数据转换模块其他模块电源排插 D-Sub连接器热成像摄像机多芯电缆存储器模块和存储卡电位器、微调器和变阻器液体分配器和瓶子嵌入式处理器和控制器交流电源插头和插座数据总线元器件接线系统温度传感器光学开关 FFC FPC跳线电缆编码器计算电路保护套件分立半导体音频设备环境传感器保险丝座断路器与附件热敏电阻器风扇与鼓风机电源功率调节光纤标准电气架类及柜类产品热电组件 Peltier热电模块电源连接器背板连接器卡缘连接器存储器连接器 FFC FPC 板对板与夹层连接器集管和线壳管脚和插座连接器 I O 模块打印机原型产品焊接工业继电器与电磁阀工业电源工业传感器工业开关工业接线端子块 LED灯泡与模块 LED照明电子器件 LED照明机械器件 LED照明光学器件 LED指示元件分析仪保险丝源测量单元—SMU 校准、保修与服务计划电缆组件自恢复保险丝—PPTC 逆变器 DC/DC转换器光纤连接器计时器计数器和转速计计数器和转速计计时器生物计量传感器标签和工业警告标志军用规格/军用类型电池座、卡扣和接头模拟与数字IC开发工具通信开发工具显示开发工具存储器 IC 开发工具可编程逻辑 IC 开发工具安全/ 验证开发工具嵌入式处理器开发套件嵌入式工具与配件光电开发工具传感器开发工具光纤开发工具力传感器与测压元件配件 LED发射器照明连接器铁氧体软件太阳能板和太阳能电池存储器存储器 IC 相机和配件滤波器直流电源线操纵杆

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ROHM Semiconductor Analog Devices Inc. Diode Laser Concepts Finisar IDEC MACOM Maxim Integrated Microchip Osram Opto Semiconductor Panasonic Qorvo Renesas Electronics Semtech Sharp Microelectronics TE Connectivity Texas Instruments TT Electronics

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
BU7673FV-E2	ROHM Semiconductor	激光	子类别:Driver ICs; 标准包装数量:2500; 产品类型:Laser Drivers; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光驱动器 CD-RRW LASER DRVR 3CH
RLD65MZT7-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:28 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.7 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:7 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 660NM RED SNGL MODE LASER
RLD78NZM5-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:20 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.55 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.8 V; 波长:780 nm; 输出功率:10 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 780NM INFRARED SNGL MODE LASER
RLD65NZX2-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.6 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:7 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 660NM RED SNGL MODE LASER
RLD78MZA6-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:35 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.35 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.9 V; 波长:780 nm; 输出功率:4.5 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 780NM INVISIBLE MULTI MODE LAS
RLD63NPC5-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.55 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 40 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.2 V; 波长:635 nm; 输出功率:6 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 635NM RED SINGLE MODE LASER
RLD65PZX2-01A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.6 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:7 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 660NM RED SNGL MODE LASER
RLD65NZX1-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:24 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.85 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:10 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 650NM RED SNGL MODE LASER
RLD65PZX3-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:42 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.6 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:650 nm; 输出功率:12 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 660NM RED SNGL MODE LASER
RLD78PZM7-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.65 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.8 V; 波长:780 nm; 输出功率:20 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 780NM INVISIBLE SNGL MODE LASE
RLD78MZM7-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.65 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.8 V; 波长:780 nm; 输出功率:20 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 780NM INFRARED SNGL MODE LASER
RLD78NZM7-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:33 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.65 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:1.8 V; 波长:780 nm; 输出功率:20 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 780NM INVISIBLE SNGL MODE LASE
RLD63NPC6-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:43 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.7 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.3 V; 波长:635 nm; 输出功率:12 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 635NM RED SNGL MODE LASER
RLD63NPC7-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:57 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.6 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.2 V; 波长:635 nm; 输出功率:17 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 635NM RED SNGL MODE LASER
RLD63NPC8-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:65 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.6 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 50 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.25 V; 波长:635 nm; 输出功率:24 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 635NM RED SNGL MODE LASER
RLD84NZJ2-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:250 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.95 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.4 V; 波长:840 nm; 输出功率:220 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 840NM INVISIBLE SNGL MODE LASE
RLD84PZJ2-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:250 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.95 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.4 V; 波长:840 nm; 输出功率:220 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 840NM INVISIBLE SNGL MODE LASE
RLD82NZJ1-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:255 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.95 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.4 V; 波长:820 nm; 输出功率:220 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 820NM INVISIBLE SNGL MODE LASE
RLD85PZJ4-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:250 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.95 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.4 V; 波长:850 nm; 输出功率:220 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 850NM INVISIBLE SNGL MODE LASE
RLD85NZJ4-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:250 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.95 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.4 V; 波长:850 nm; 输出功率:220 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 850NM INVISIBLE SNGL MODE LASE
RLD82PZJ1-00A	ROHM Semiconductor	激光	Vr - 反向电压 :2 V; 子类别:Lasers; 标准包装数量:500; 串联电阻:-; 上升时间:-; 产品类型:Laser Diodes; If - 正向电流:255 mA; 下降时间:-; 差分效率:0.95 W/A; 温度特性:-; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Tray; 最大工作温度:+ 60 C; 最小工作温度:- 10 C; Vf - 正向电压:2.4 V; 波长:820 nm; 输出功率:220 mW; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor;	激光二极管 820NM INVISIBLE SNGL MODE LASE

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