| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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GC84004-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.007 in; 宽度:0.015 in; 长度:0.015 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:3838; 外壳代码 - in:015015; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:4 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 CAPACITOR |
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GC84005-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.007 in; 宽度:0.015 in; 长度:0.015 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:3838; 外壳代码 - in:015015; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:5 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC84100-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.07 in; 宽度:0.025 in; 长度:0.03 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:0808; 外壳代码 - in:0303; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:100 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 CAPACITOR |
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GC84080-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.07 in; 宽度:0.025 in; 长度:0.03 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:0808; 外壳代码 - in:0303; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:80 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC85111-00 |
Microchip |
电容器 |
子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 |
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GC84010-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.007 in; 宽度:0.015 in; 长度:0.015 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:3838; 外壳代码 - in:015015; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:10 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC84050-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.007 in; 宽度:0.025 in; 长度:0.025 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:6363; 外壳代码 - in:025025; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:50 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC84030-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.07 in; 宽度:0.02 in; 长度:0.02 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:0606; 外壳代码 - in:0202; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:30 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC84002-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.007 in; 宽度:0.015 in; 长度:0.015 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:3838; 外壳代码 - in:015015; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:2 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC83101-00 |
Microchip |
电容器 |
子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MNS Chip Capacitor |
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GC84020-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.07 in; 宽度:0.02 in; 长度:0.02 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:0606; 外壳代码 - in:0202; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:20 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC84001-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.007 in; 宽度:0.01 in; 长度:0.01 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:0303; 外壳代码 - in:0101; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:1 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC84015-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.007 in; 宽度:0.015 in; 长度:0.015 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:3838; 外壳代码 - in:015015; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:15 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MNS CAP |
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GC84200-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.007 in; 宽度:0.04 in; 长度:0.04 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:1010; 外壳代码 - in:0404; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:200 pF; RoHS:Y; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC84300-00 |
Microchip |
电容器 |
温度系数/代码:190 PPM / C; 子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 端接类型:SMD/SMT; 产品:Silicon Capacitors; 封装:Waffle; 高度:0.007 in; 宽度:0.05 in; 长度:0.05 in; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; 外壳代码 - mm:1212; 外壳代码 - in:0505; 容差:10 %; 电压额定值:100 V; 电容:300 pF; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 MNS CAP |
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GC80408-00 |
Microchip |
电容器 |
子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 CAPACITOR |
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GC85128-00 |
Microchip |
电容器 |
子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 |
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GC83004-00 |
Microchip |
电容器 |
子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Waffle; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 MNS CAPACITOR |
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GC83001-00 |
Microchip |
电容器 |
子类别:Capacitors; 标准包装数量:1; 产品类型:Silicon RF Capacitors / Thin Film; 商标:Microchip / Microsemi; 封装:Waffle; RoHS:N; 制造商:Microchip; |
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200 CAPACITOR |
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