| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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SI8271GBD-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:96; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8271; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Single; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 3 V UVLO single isolated driver with deglitch |
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SI8273AB-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8273; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:High Side/Low Side; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 5 V UVLO HS/LS isolated driver |
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Si8271BBD-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:96; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8271; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Single; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 5 V UVLO single isolated driver with deglitch |
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Si823H8BB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 封装:Tube; 系列:Si823; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV High Side/Low Side Drivers in NB SOIC-16 Package |
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Si823H7BB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 封装:Tube; 系列:Si823; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV Dual Drivers in NB SOIC-16 Package |
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Si823H4BB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 封装:Tube; 系列:Si823; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV High Side/Low Side Drivers in NB SOIC-16 Package |
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SI8274AB4D-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:105 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8274; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:High Side/Low Side; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 5 V UVLO PWM input isolated driver with deglitch |
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SI8271DBD-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:96; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8271; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Single; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 12 V UVLO single isolated driver with deglitch |
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SI8275ABD-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 5 V UVLO Dual isolated driver with deglitch |
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SI8274GB1-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:105 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8274; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:High Side/Low Side; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 3 V UVLO PWM input isolated driver |
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Si823H5BB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 封装:Tube; 系列:Si823; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV Dual Drivers in NB SOIC-16 Package |
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SI8275AB-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 5 V UVLO dual isolated driver |
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Si823H3BB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 封装:Tube; 系列:Si823; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV High Side/Low Side Drivers in NB SOIC-16 Package |
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SI8274GB4D-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:105 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8274; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:High Side/Low Side; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 3 V UVLO PWM input isolated driver with deglitch |
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Si823H2BB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 封装:Tube; 系列:Si823; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV High Side/Low Side Drivers in NB SOIC-16 Package |
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SI8274DB4D-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:105 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8274; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:High Side/Low Side; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 8 V UVLO PWM input isolated driver with deglitch |
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SI8273ABD-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8273; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:High Side/Low Side; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 5 V UVLO HS/LS isolated driver with deglitch |
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SI8275DBD-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 12 V UVLO dual isolated driver with deglitch |
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SI8275BB-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 8 V UVLO Dual isolated driver |
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Si823H1BB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 封装:Tube; 系列:Si823; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV High Side/Low Side Drivers in NB SOIC-16 Package |
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Si823H6BB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 封装:Tube; 系列:Si823; 配置:Dual; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV Dual Drivers in NB SOIC-16 Package |
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SI8275GB-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 3 V UVLO Dual isolated driver |
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SI8275DA-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 12 V UVLO Dual isolated driver |
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SI8275DAD-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 12 V UVLO Dual isolated driver with deglitch |
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SI8275DB-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 12 V UVLO Dual isolated driver |
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SI8275DBD-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 12 V UVLO Dual isolated driver with deglitch |
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SI8275BBD-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 8 V UVLO Dual isolated driver with deglitch |
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SI8275ABD-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 5 V UVLO Dual isolated driver with deglitch |
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SI8275GBD-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电流:8 mA; 湿度敏感性:Yes; 关闭:Shutdown; 传播延迟—最大值:75 ns; 逻辑类型:TTL; 商标:Silicon Labs; 技术:SiC; 输出电压:4.2 V to 30 V; 封装:Tube; 系列:Si8275; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:13.3 ns; 上升时间:10.5 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.5 V; 输出电流:10 mA; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:QFN-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Hi CMTI 2.5 kV 3 V UVLO Dual isolated driver with deglitch |
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SI82398BB4-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:10 V to 24 V; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:135 ns, 95 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:2500 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 8 V UVLO HS/LS isolated gate driver |
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SI82398CD4-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:46; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:12.8 V to 24 V; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:135 ns, 95 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:5000 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 12 V UVLO HS/LS isolated gate driver |
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SI8233AD-D-IS3 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:46; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:6.5 V to 24 V; 工作电源电流:3.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:60 ns, 60 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:5000 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si823x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 类型:High Side, Low Side; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 5 kV 5 V UVLO HS/LS isolated gate driver, 8 mm creepage |
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SI8286CC-ISR |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:1250; Rds On-漏源导通电阻:2.48 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:900 mW; 工作电源电流:5.2 mA; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:50 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 输出电压:30 V; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:Si8286; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:8.5 ns; 上升时间:5.5 ns; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:2.8 V; 输出电流:4 A; 输出端数量:1 Output; 激励器数量:1 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 类型:Half-Bridge; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 |
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SI82396AB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:6.5 V to 24 V; 传播延迟—最大值:40 ns, 40 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:2500 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 6 V UVLO dual isolated gate driver |
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SI82398AD4-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:46; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:6.5 V to 24 V; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:135 ns, 95 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:5000 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 6 V UVLO HS/LS isolated gate driver |
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SI82394BD4-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:46; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:10 V to 24 V; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:135 ns, 95 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:5000 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 8 V UVLO HS/LS isolated gate driver |
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SI8233BD-D-IS3 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:46; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:6.5 V to 24 V; 工作电源电流:3.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:60 ns, 60 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:5000 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si823x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 类型:High Side, Low Side; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 5 kV 8 V UVLO HS/LS isolated gate driver, 8 mm creepage |
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SI8235AD-D-IS3 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:46; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:6.5 V to 24 V; 工作电源电流:3.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:60 ns, 60 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:5000 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si823x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-16; 安装风格:SMD/SMT; 类型:High Side, Low Side; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 5 kV 5 V UVLO dual isolated gate driver, 8 mm creepage |
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SI8752AB-ISR |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2500; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Isolated FET driver with diode emulation |
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SI8751AB-ISR |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:2500; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Isolated FET driver with pin control |
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SI8752AB-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:96; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 封装 / 箱体:SOIC-8; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 Isolated FET driver with digital input |
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SI8233AB-D-IM |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; 产品类型:Gate Drivers; Pd-功率耗散:1.2 W; 工作电源电压:6.5 V to 24 V; 工作电源电流:3.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 最大开启延迟时间:60 ns; 最大关闭延迟时间:60 ns; 关闭:Yes; 传播延迟—最大值:60 ns, 60 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:2500 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si823x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 输出端数量:2 Output; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:LGA-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:High Side, Low Side; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 5 V UVLO HS/LS isolated gate driver |
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Si823H9AC-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:Si823Hx; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 3.75 kV Single Driver in NB SOIC-8 Package |
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SI82391AB-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:6.5 V to 24 V; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:40 ns, 40 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:2500 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 6 V UVLO dual isolated gate driver |
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SI82398CB4-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:12.8 V to 24 V; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:135 ns, 95 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:2500 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 12 V UVLO HS/LS isolated gate driver |
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SI8235BB-D-IM1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:60; Rds On-漏源导通电阻:2.7 Ohms; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:6.5 V to 24 V; 工作电源电流:3.5 mA; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:60 ns, 60 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:2500 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si823x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 配置:Dual; 电源电压-最大:5.5 V; 电源电压-最小:4.5 V; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:LGA-14; 安装风格:SMD/SMT; 类型:High Side, Low Side; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 8 V UVLO dual isolated gate driver |
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Si823H9BC-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 湿度敏感性:Yes; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 封装:Tube; 系列:Si823Hx; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 3.75 kV Single Driver in NB SOIC-8 Package |
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SI82394AD4-IS |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:46; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:6.5 V to 24 V; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:135 ns, 95 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:5000 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Wide-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 6 V UVLO HS/LS isolated gate driver |
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SI82394BB4-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:10 V to 24 V; 传播延迟—最大值:135 ns, 95 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:2500 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 8 V UVLO HS/LS isolated gate driver |
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SI82394CB4-IS1 |
Silicon Laboratories |
电源管理 IC |
子类别:PMIC - Power Management ICs; 标准包装数量:48; 产品类型:Gate Drivers; 工作电源电压:12.8 V to 24 V; 湿度敏感性:Yes; 传播延迟—最大值:135 ns, 95 ns; 商标:Silicon Labs; 技术:Si; 绝缘电压:2500 Vrms; 封装:Tube; 资格:AEC-Q100; 系列:Si8239x; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 40 C; 下降时间:12 ns; 上升时间:12 ns; 输出电流:4 A; 激励器数量:2 Driver; 封装 / 箱体:SOIC-Narrow-16; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Isolated Gate Drivers; RoHS:Y; 制造商:Silicon Laboratories; |
门驱动器 2.5 kV 12 V UVLO HS/LS isolated gate driver |
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