| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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DF2S14P2FU,H3F |
Toshiba |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; 商标:Toshiba; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:50 A; Cd - 二极管电容 :270 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 钳位电压:32 V; 击穿电压:12.9 V; 封装 / 箱体:USC-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:12.6 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:Toshiba; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 IPP 50A VESD +/-30kV Bi-Dir ESD Protectn |
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SMB6F10AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:184 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:21.7 V; 击穿电压:11.1 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F31AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:61 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:65 V; 击穿电压:34.2 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F24AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:80 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:50 V; 击穿电压:26.7 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F12AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:157 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:25.3 V; 击穿电压:13.3 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F14AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:136 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:29 V; 击穿电压:15.7 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F18AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:102 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:39.3 V; 击穿电压:20 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F30AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:62 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:64.3 V; 击穿电压:33.2 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F11AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:1665 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:24.2 V; 击穿电压:12.3 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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PESD1USB3B/CX |
Nexperia |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
Vf - 正向电压:0.8 V; 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:4500; 商标:Nexperia; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Ipp - 峰值脉冲电流:9.5 A; Cd - 二极管电容 :0.29 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:20 kV; Vesd - 静电放电电压触点:20 kV; 击穿电压:9 V; 封装 / 箱体:WLCSP-5; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Bidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:Nexperia; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 PESD1USB3B C NONE |
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VTVS14ASMF-M3-08 |
Vishay |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
Vf - 正向电压:1.8 V; 商标名:TransZorb; 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:30000; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VTVS SMF; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:17.16 A; Cd - 二极管电容 :752 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):400 W; 钳位电压:22.2 V; 击穿电压:15.4 V; 封装 / 箱体:DO-219AB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:13.8 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 400W -/+30kV -/+5% Vf1.8V Uni-dir N-Ch1 |
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SMB6F28AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:68 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:59 V; 击穿电压:31.1 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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VS6V3UC1QST18R |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:18000; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:45 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):660 W; 钳位电压:14.7 V; 击穿电压:6.7 V; 封装 / 箱体:SOD-882-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:6.3 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE HI-SURGE RESISTANCE |
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SMB6F16AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:115 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:34.7 V; 击穿电压:17.9 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F26AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:75 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:53.5 V; 击穿电压:28.9 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F15AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:123 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:32.5 V; 击穿电压:16.7 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F6.0AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:290 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:13.7 V; 击穿电压:6.7 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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TP5KP14A |
Littelfuse |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:800; Pd-功率耗散:8 W; 商标:Littelfuse; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:5KP; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:219.8 A; Vesd - 静电放电电压气隙:-; Vesd - 静电放电电压触点:-; 峰值脉冲功耗 (Pppm):5 kW; 钳位电压:23.2 V; 击穿电压:17.2 V; 封装 / 箱体:P600-2; 端接类型:Axial; 工作电压:14 V; 极性:Bidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:Littelfuse; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 14V 5kW UNI-DIR TP5KP AEC-Q101 |
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D5V0F1U2LPQ-7B |
Diodes Incorporated |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:10000; Pd-功率耗散:250 mW; 工作电源电压:5.5 V; 商标:Diodes Incorporated; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 65 C; Ipp - 峰值脉冲电流:1.5 A; Cd - 二极管电容 :0.5 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:20 kV; Vesd - 静电放电电压触点:15 kV; 钳位电压:12 V; 击穿电压:6 V; 封装 / 箱体:X1-DFN1006-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:5.5 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 Dataline Protection PP X1-DFN1006-2 T&R 10K |
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VCUT03E1-SD0HG4-08 |
Vishay |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
Vf - 正向电压:-; 商标名:eSMP; 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:15000; 工作电源电压:-; 商标:Vishay Semiconductors; 电流额定值:-; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:6 A; Cd - 二极管电容 :11 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 钳位电压:11 V; 击穿电压:8 V; 封装 / 箱体:CLP0603-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:3.3 V; 极性:Bidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 BiSy Single +/-30kV AEC-Q101 Qualified |
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VS3V3BN1HST15R |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:15000; Pd-功率耗散:100 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:3.5 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:20 kV; Vesd - 静电放电电压触点:20 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):66 W; 钳位电压:17 V; 击穿电压:6 V; 封装 / 箱体:SOD-962-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:3.3 V; 极性:Bidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE HI-SURGE RESISTANCE |
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MMBZ6V2ALT116 |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
Vf - 正向电压:0.9 V; 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:2.76 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):24 W; 击穿电压:5.89 V; 封装 / 箱体:SOT-23-3; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:3 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS FOR ESD PROTECTION |
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VS3V3BL1HST15R |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:15000; Pd-功率耗散:100 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:3.5 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:20 kV; Vesd - 静电放电电压触点:20 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):66 W; 钳位电压:17 A; 击穿电压:6 A; 封装 / 箱体:SOD-962-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:3.3 V; 极性:Bidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE HI-SURGE RESISTANCE |
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DRTR5V0U1LPQ-7B |
Diodes Incorporated |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
Vf - 正向电压:0.8 V; 子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:10000; Pd-功率耗散:250 mW; 工作电源电压:5.5 V; 商标:Diodes Incorporated; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:5 A; Cd - 二极管电容 :1 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:8 kV; 钳位电压:10 V; 击穿电压:6 V; 封装 / 箱体:X1-DFN1006-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:5.5 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:Diodes Incorporated; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 Dataline Protection PP X1-DFN1006-2 T&R 10K |
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VS5V0BL1HST15R |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:15000; Pd-功率耗散:100 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:2 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:11 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):36 W; 钳位电压:16 V; 击穿电压:6 V; 封装 / 箱体:SOD-962-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:5 V; 极性:Bidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE HI-SURGE RESISTANCE |
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SMF22VTR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:5.6 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:35.5 V; 击穿电压:24.4 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:22 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF28VTR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:4.4 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:45.4 V; 击穿电压:31.1 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:28 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF26VTR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:4.8 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:42.1 V; 击穿电压:28.9 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:26 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF6V0TR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:19.4 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:10.3 V; 击穿电压:6.67 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:6 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF6V5TR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:17.9 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:11.2 V; 击穿电压:7.72 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:6.5 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF14VTR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:8.6 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:23.2 V; 击穿电压:15.6 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:14 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF7V5TR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:15.5 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:12.9 V; 击穿电压:8.33 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:7.5 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF20VTR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:6.2 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:32.4 V; 击穿电压:22.2 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:20 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF11VTR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:11 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:18.2 V; 击穿电压:12.2 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:11 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF8V0TR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:14.7 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:13.6 V; 击穿电压:8.89 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:8 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF17VTR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:7.2 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:27.6 V; 击穿电压:18.9 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:17 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF7V0TR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:16.7 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:12 V; 击穿电压:7.78 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:7 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMF10VTR |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:1 W; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Ipp - 峰值脉冲电流:11.8 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):200 W; 钳位电压:17 V; 击穿电压:11.1 V; 封装 / 箱体:SOD-123F-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:10 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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UMZ6.8NUMTL |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:-; Ipp - 峰值脉冲电流:-; Cd - 二极管电容 :21 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:8 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):-; 钳位电压:-; 击穿电压:6.47 V; 封装 / 箱体:SOT-323FL-3; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:5 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS for Surge Prot UMD3F |
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UMZ16NUMTL |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:8 kV; 击穿电压:15.85 V; 封装 / 箱体:SOT-323F-3; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:13 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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UMZ5.1NUMTL |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:8 kV; 击穿电压:4.84 V; 封装 / 箱体:SOT-323F-3; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:3.5 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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UMZ30NUMTL |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:8 kV; 击穿电压:29.19 V; 封装 / 箱体:SOT-323F-3; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:27 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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UMZ18NUMTL |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:8 kV; 击穿电压:17.56 V; 封装 / 箱体:SOT-323F-3; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:16 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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VS5V0BL1QST18R |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:18000; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:1.8 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:15 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):30.6 W; 钳位电压:17 V; 击穿电压:7 V; 封装 / 箱体:SOD-882-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:5 V; 极性:Bidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE HI-SURGE RESISTANCE |
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UMZ12NUMTL |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:8 kV; 击穿电压:11 V; 封装 / 箱体:SOT-323F-3; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:10 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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UMZ36NUMTL |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:8 kV; 击穿电压:35.07 V; 封装 / 箱体:SOT-323F-3; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:33 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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UMZ27NUMTL |
ROHM Semiconductor |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:3000; Pd-功率耗散:200 mW; 商标:ROHM Semiconductor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 150 C; Vesd - 静电放电电压气隙:15 kV; Vesd - 静电放电电压触点:8 kV; 击穿电压:26.19 V; 封装 / 箱体:SOT-323F-3; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:24 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:TVS Diodes; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 TVS DIODE WITH SMALL MOLD PKG |
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SMA4F22A |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:10000; 商标:STMicroelectronics; 系列:SMA4F22A; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:11.2 A; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:25 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):400 W; 钳位电压:35.5 V; 击穿电压:25.7 V; 封装 / 箱体:DO-214AC-2 (SMA); 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:22 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMA4F26A |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:10000; 商标:STMicroelectronics; 系列:SMA4F26A; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:9.5 A; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:25 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):400 W; 钳位电压:42.1 V; 击穿电压:30.4 V; 封装 / 箱体:DO-214AC-2 (SMA); 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 工作电压:26 V; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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SMB6F6.5AY |
STMicroelectronics |
ESD 抑制器 TVS 二极管 |
子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes; 标准包装数量:5000; 商标:STMicroelectronics; 资格:AEC-Q101; 系列:SMA6F; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Ipp - 峰值脉冲电流:276 A; Cd - 二极管电容 :150 pF; Vesd - 静电放电电压气隙:30 kV; Vesd - 静电放电电压触点:30 kV; 峰值脉冲功耗 (Pppm):600 W; 钳位电压:14.5 V; 击穿电压:7.2 V; 封装 / 箱体:SMB-2; 端接类型:SMD/SMT; 通道数量:1 Channel; 极性:Unidirectional; 产品类型:ESD Suppressors; RoHS:Y; 制造商:STMicroelectronics; |
ESD 抑制器/TVS 二极管 DFD PROTECTION & FILTER |
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