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831-93-029-30-001000 |
Vishay |
集管和线壳 |
典型接通延迟时间:10 ns; 典型关闭延迟时间:25 ns; 子类别:MOSFETs; 标准包装数量:2500; 上升时间:12 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:10 ns; 正向跨导 - 最小值:24 S; 商标:Vishay Semiconductors; 晶体管类型:2 N-Channel; 系列:SI4; 配置:Dual; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 商标名:TrenchFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:3.7 W; 最大工作温度:+ 175 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:17 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:1 V; Vgs - 栅极-源极电压:10 V; Rds On-漏源导通电阻:41 mOhms; Id-连续漏极电流:6.5 A; Vds-漏源极击穿电压:60 V; 通道数量:2 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:SO-8; 安装风格:SMD/SMT; 技术:Si; RoHS:E; 制造商:Vishay; |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V |
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