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BOR4 |
ON Semiconductor |
继电器 |
子类别:MOSFETs; 标准包装数量:800; 上升时间:50 ns; 产品类型:MOSFET; 下降时间:45 ns; 正向跨导 - 最小值:12 S; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:4.7 mm; 晶体管类型:1 N-Channel; 系列:FDP12N50NZ; 长度:10.67 mm; 高度:16.3 mm; 配置:Single; 封装:Tube; 商标名:UniFET; 通道模式:Enhancement; Pd-功率耗散:170 W; 最大工作温度:+ 150 C; 最小工作温度:- 55 C; Qg-栅极电荷:23 nC; Vgs th-栅源极阈值电压:5 V; Vgs - 栅极-源极电压:25 V; Rds On-漏源导通电阻:460 mOhms; Id-连续漏极电流:11.5 A; Vds-漏源极击穿电压:500 V; 通道数量:1 Channel; 晶体管极性:N-Channel; 封装 / 箱体:TO-220-3; 安装风格:Through Hole; 技术:Si; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II |
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