| 器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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QRE1113GR |
ON Semiconductor |
光学开关 |
子类别:Optical Switches; 标准包装数量:1000; 上升时间:20 us; 产品类型:Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output; Pd-功率耗散:75 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:20 mA; 下降时间:20 us; 通道数量:1 Channel; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.9 mm; 波长:940 nm; 感应方式:Reflective; 封装 / 箱体:SMD-4 Gull Wing; 输出类型:Phototransistor; 长度:3.6 mm; 高度:1.7 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:QRE1113; 安装风格:SMD/SMT; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 25 C; Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极电流:20 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 感应距离:1 mm; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor |
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QRD1113 |
ON Semiconductor |
光学开关 |
子类别:Optical Switches; 标准包装数量:100; 上升时间:10 us; 产品类型:Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:20 mA; 下降时间:50 us; 通道数量:1 Channel; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:4.39 mm; 波长:940 nm; 感应方式:Reflective; 输出类型:Phototransistor; 长度:6.1 mm; 高度:4.65 mm; 封装:Bulk; 系列:QRD1113; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:1.7 V; 最大集电极电流:0.3 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 感应距离:1.27 mm; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光学开关（反射型，光电晶体管输出） REFL OBJECT SENSOR |
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QRE1113 |
ON Semiconductor |
光学开关 |
子类别:Optical Switches; 标准包装数量:1600; 上升时间:20 us; 产品类型:Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output; Pd-功率耗散:75 mW; If - 正向电流:20 mA; 下降时间:20 us; 通道数量:1 Channel; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:2.9 mm; 波长:940 nm; 感应方式:Reflective; 输出类型:Phototransistor; 长度:3.6 mm; 高度:1.7 mm; 封装:Tube; 系列:QRE1113; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极电流:20 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 感应距离:1 mm; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Object Sensor |
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QRD1114 |
ON Semiconductor |
光学开关 |
子类别:Optical Switches; 标准包装数量:100; 上升时间:10 us; 产品类型:Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output; Pd-功率耗散:100 mW; If - 正向电流:20 mA; 下降时间:50 us; 通道数量:1 Channel; 商标:ON Semiconductor / Fairchild; 宽度:4.39 mm; 波长:940 nm; 感应方式:Reflective; 输出类型:Phototransistor; 长度:6.1 mm; 高度:4.65 mm; 封装:Bulk; 系列:QRD1114; 安装风格:Through Hole; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vr - 反向电压 :5 V; Vf - 正向电压:1.7 V; 最大集电极电流:1 mA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 感应距离:1.27 mm; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
光学开关（反射型，光电晶体管输出） PHOTO TRANS |
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