Taiwan Semiconductor光耦合器光电耦合器价格_批发_代理商

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型号/料号	品牌/制造商	类目	参数	说明
TPC817C C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:200 % to 400 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=80V, IF=50m, CTR:200~400% DC Input Phototransistor
TPC817B C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:130 % to 260 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 80V 50mA
TPC817A C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:80 % to 160 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=80V, IF=50m, CTR:80~160% DC Input Phototransistor
TPC817D C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:300 % to 600 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 80V 50mA
TPC817MC C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:200 % to 400 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=80V, IF=50m, CTR:200~400% DC Input Phototransistor
TPC817MB C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:130 % to 260 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=80V, IF=50m, CTR:130~260% DC Input Phototransistor
TPC816S1A RAG	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2000; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:80 % to 160 %; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:SOP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 70V 50mA
TPC816B C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:130 % to 260 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 70V 50mA
TPC816S1C RAG	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2000; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:200 % to 400 %; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:SOP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 70V 50mA
TPC816A C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:80 % to 160 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 70V 50mA
TPC816S1D RAG	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2000; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:300 % to 600 %; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:SOP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 70V 50mA
TPC816MB C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:130 % to 260 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Phototransistor DC Input 70v 50mA
TPC816MC C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:200 % to 400 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=70V, IF=50m, CTR:200~400% DC Input Phototransistor
TPC816MA C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:80 % to 160 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Phototransistor DC Input 70v 50mA
TPC816MD C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:300 % to 600 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Phototransistor DC Input 70v 50mA
TPC816C C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:200 % to 400 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 70V 50mA
TPC816D C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:300 % to 600 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 70V 50mA
TPC817MA C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:80 % to 160 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=80V, IF=50m, CTR:80~160% DC Input Phototransistor
TPC817S1A RAG	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2000; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:80 % to 160 %; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:SOP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=80V, IF=50m, CTR:80~160% DC Input Phototransistor
TPC817S1D RAG	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2000; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:300 % to 600 %; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:SOP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 4PINSOP PHOTOTRANSTR PHOTOCOUPLER
TPC817S1B RAG	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2000; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:130 % to 260 %; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:SOP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=80V, IF=50m, CTR:130~260% DC Input Phototransistor
TPC817S1C RAG	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2000; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:200 % to 400 %; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:SOP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=80V, IF=50m, CTR:200~400% DC Input Phototransistor
TPC816S1B RAG	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2000; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:130 % to 260 %; 安装风格:SMD/SMT; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 系列:TPC816MA; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.2 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:70 V; If - 正向电流:20 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:SOP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 Photocoupler DC input 70V 50mA
TPC817MD C9G	Taiwan Semiconductor	光耦合器光电耦合器	子类别:Optocouplers; 标准包装数量:2500; 上升时间:4 us; 产品类型:Transistor Output Optocouplers; 下降时间:3 us; 电流传递比:300 % to 600 %; 商标:Taiwan Semiconductor; 配置:1 Channel; 封装:Tube; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:200 mW; Vr - 反向电压 :6 V; Vf - 正向电压:1.2 V; 最大集电极/发射极饱和电压:0.1 V; 绝缘电压:5000 Vrms; 最大集电极电流:50 mA; 最大集电极/发射极电压:80 V; If - 正向电流:50 mA; 通道数量:1 Channel; 输出类型:Phototransistor; 封装 / 箱体:DIP-4; RoHS:Y; 制造商:Taiwan Semiconductor;	晶体管输出光电耦合器 VCEO=80V, IF=50m, CTR:300~600% DC Input Phototransistor

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