ASML，这家全球领先的光刻机制造商，在imec的ITF World 2024会议上宣布了其High-NA EUV光刻机的最新成就，成功刷新了晶圆生产速度的纪录。这一突破性进展，让ASML的名字再次成为半导体行业的热门话题。

High-NA EUV光刻技术是ASML的最新研发成果，这种技术使得晶圆生产速度大大提升。根据ASML的前任总裁兼技术长，现任公司顾问的Martin van den Brink所述，新光刻机的生产速度已经达到每小时400至500片晶圆，相比于当前标准的EUV光刻机每小时200片晶圆的速度，提升了至少一倍以上。这不仅标志着产能的显著提升，也意味着成本的有效降低。

此外，ASML并未就此满足，他们已经在开发下一代的Hyper-NA EUV光刻机，以进一步扩大High-NA EUV光刻机的应用前景。通过这次更新，ASML已经成功地在其试验性质的High-NA EUV光刻机上打印出了8纳米线宽，这一成果超越了之前使用High-NA EUV光刻机创造的10纳米线宽记录，跻身半导体制造领域的前沿。

Martin van den Brink强调，ASML在微缩技术方面取得的进展远超预期。他们不仅将打印线宽降低到了8纳米，并且在精度和重复性方面也有了显著改进。ASML对High-NA EUV光刻技术的发展充满信心，预计在将来能够进一步突破技术限制。

值得注意的是，除了ASML自己对High-NA EUV光刻机进行测试外，全球半导体巨头英特尔也已经在其位于美国俄勒冈州的D1X工厂安装了这种光刻机，并开始在intel18A节点制程上进行技术研发和测试工作，计划之后将其应用于intel14A节点制程的批量生产中。

通过这次的技术进步，ASML再次证明了其在半导体光刻领域的领导地位，也为全球半导体行业的发展打开了新的可能性。

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