揭秘未来存储:美光科技发布首款1γ DRAM - 闲芯交易网
揭秘未来存储:美光科技发布首款1γ DRAM

美光科技公司今日宣布,成为全球首家向生态系统伙伴和选定客户出货基于第六代(10纳米级)DRAM节点的1γ(1-伽玛)DDR5内存样品的企业。这一1γ DRAM的里程碑成就是继美光此前的1α(1-阿尔法)和1β(1-贝塔)DRAM节点之后的又一领导力量,致力于为从云计算、工业和消费应用到边缘人工智能设备如AI PC、智能手机和汽车等未来计算平台提供动力。美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5 DRAM产品,随着时间推移,这种高性能、节能内存方案将适用于美光全系列内存产品,以满足业界对AI内存解决方案不断增长的需求。该16Gb DDR5产品支持最高9200MT/s的速度性能,相比前代产品,速度提高了约15%,功耗降低了超过20%。

为什么这很重要:

随着人工智能在数据中心和边缘计算领域的应用逐渐增多,对内存的需求也达到前所未有的高度。美光转向1γ DRAM节点,有助于解决客户面临的关键挑战:

性能提升——基于美光1γ的DRAM将提供改进的性能,以支持从数据中心到边缘设备等不同内存产品的计算能力扩展,满足未来AI工作负载的需求。

节能——美光的1γ节点采用下一代高K金属栅CMOS技术配合设计优化,实现了超过20%的低功耗,带来了改善的热分布。

位密度输出增加——美光的1γ节点利用极紫外光刻技术、设计优化和工艺创新,实现了每片晶圆输出比上一代增加30%以上的位数,并能高效扩展内存供应。

美光的DRAM技术和多代产品制造策略的成功,促成了优化的1γ节点的诞生。1γ DRAM节点的创新有赖于CMOS进步,包括改进晶体管性能的下一代高K金属栅技术、设计优化和特征尺寸缩减,所有这些都为节能和性能扩展带来了益处。此外,美光将领先的极紫外(EUV)光刻技术、先进的高长宽比蚀刻技术和行业领先的设计创新得以最优化结合,从而让1γ节点在位密度上达到行业领先。

作为未来产品基础的1γ节点将被整合进美光的内存产品组合中:

数据中心——为数据中心提供的基于1γ的DDR5内存方案能够实现高达15%的性能提升,并提高能效,帮助数据中心在未来机架级电力和热设计内实现服务器性能的持续扩展。

边缘AI——1γ低功耗DRAM解决方案提供更好的节能和增加带宽,增强了边缘AI解决方案的用户体验。

AI PC——1γ DDR5 SODIMM通过减少20%的功耗,提升性能,延长电池寿命,并改善笔记本用户体验。

手机——1γ LPDDR5X能够在边缘提供卓越的AI体验,并继续保持美光在移动技术领域的领导地位。

汽车——基于1γ的LPDDR5X内存提高了容量、寿命和性能,同时实现了高达9600MT/s的速度。

推荐六款芯片品牌及型号:

三星 - K4ZAF325BM - 数据中心
SK海力士 - H5AN8G6NCJR - 笔记本电脑
美光 - MT40A1G16 - 高性能计算
英特尔 - Optane DC - 企业级存储
东芝 - TC58NVG2S0HBAI6 - 移动设备
西部数据 - WD Black SN750 - 游戏及高性能应用
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