近日，知名记忆体制造商美光科技公布了其最新的科技突破——一款具有12层堆叠结构的HBM3E高带宽记忆体，容量高达36GB。此次升级不仅将以往产品的容量提高了50%，还标志着美光在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）领域向前迈出了重要一步。特别是该产品还设计以支持著名的輝達H200以及B100/B200系列数据中心GPU，意味着它将在处理大规模AI模型等任务时大放异彩。

美光技术团队提到，通过将原有的8层增加到12层，不仅提升了存储容量，还有效降低了CPU读取记忆体的频繁性，减小了GPU之间的通讯延迟，进而加快了数据处理速度。在性能方面，新的HBM3E以超过1.2TB/s的惊人带宽和9.2Gb/s的数据传输速率站在了同类产品的前列。尽管容量和性能显著提升，但其功耗却相对前一代产品有所降低，体现了美光在产品研发上的综合考量和技术创新。

此外，为了确保产品能够迅速并可靠地投入市场，美光还为这款HBM3E集成了完全可编程的内置自我测试（MBIST）系统。这一配置不仅可以模拟系统级流量全速运行，还可以对新系统进行彻底测试，进一步缩短了产品验证周期。

美光与台积电的战略合作进一步加深了这一创新的市场竞争力。HBM3E芯片采用台积电CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）先进封装技术，确保了与輝達等主流数据中心GPU的高效兼容。台积电生态系统和联盟管理部门的负责人也表达了对双方合作的积极期待，相信美光的HBM3E将助力客户在AI领域实现更多创新。

经过严格测试和优化，美光已向主要合作伙伴派发了这款HBM3E样品，预计不久将在AI生态系统中展现它的强大性能。

结语中，美光的这一突破不仅再次证明了其在记忆体技术领域的领导地位，也为数据中心、AI和HPC领域的发展提供了新的动力。

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