近日，专注于3D NAND闪存和DRAM内存创新技术的NEO半导体公司宣布了一项名为3D X-DRAM的性能提升技术——浮体单元背门通道深度调制机制（BCM）。该公司创始人兼首席执行官Andy Hsu在韩国首尔举行的第16届IEEE国际存储器研讨会（IMW）上，通过技术CAD（TCAD）模拟结果，首次向外界展示了这一突破性技术。

不同于传统的二维浮体单元通过体效应改变单元电流的机制，NEO的BCM技术采用背门电压调控通道深度。这一专利技术显著提高了数据保持能力和感知窗口，理论上可以使数据保持量提升至40000倍，感知窗口扩大20倍。因此，这将直接导致DRAM运行更快、更可靠，并减少刷新频率从而节省电源。

Andy Hsu表示：“我们非常自豪能将DRAM行业带入3D新时代，同时解决当前2D DRAM所面临的容量扩展瓶颈问题。”

NEO半导体公司开发的3D X-DRAM采用了类似于今日3D NAND的DRAM单元阵列结构和浮体单元技术。该技术可利用现有成熟的3D NAND类似工艺进行生产。根据NEO半导体的估算，3D X-DRAM技术可以实现128 Gb密度，拥有300层结构，其密度是当今DRAM的8倍。同时，该技术也能够减少芯片的占地面积和功耗。

综上所述，NEO半导体的这一革命性发明，可能开启DRAM存储技术的新纪元，为全球的数据存储与处理提供更加高效和节能的解决方案。

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