器件图 |
型号/料号 |
品牌/制造商 |
类目 |
参数 |
说明 |
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G-TPCO-035 |
TE Connectivity |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:IR Detectors; 商标:Measurement Specialties; 封装:Tube; RoHS:Y; 制造商:TE Connectivity; |
红外探测器 THERMOPILE NDIR ELEMENT |
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BPW21R |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:9 uA; Pd-功率耗散:300 mW; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:9.1 mm; 封装:Bulk; 长度:9.1 mm; 高度:3.1 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; 半强度角度:50 deg; 下降时间:3 us; 上升时间:3.1 us; Vr - 反向电压 :10 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:565 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-5; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 50 Degree 300mW |
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TCD1304DG(8Z,AW) |
Toshiba |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:50; 产品类型:Image Sensors; 商标:Toshiba; 系列:TCD1304; 封装:Tray; 图象大小:3648 H x 1 V; 类型:CCD Image Sensor; 制造商:Toshiba; |
图像传感器 CCD Linear Sensor 3648 8x20 54mm |
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SFH 309 FA-5/6 |
Osram Opto Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:5 mA; 半强度角度:12 deg; 传播延迟—最大值:-; 商标:OSRAM Opto Semiconductors; 宽度:4 mm; 波长:900 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 输出电流:-; 透镜颜色/类型:Black; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 资格:AEC-Q101; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:165 mW; 下降时间:9 us; 上升时间:9 us; 暗电流:15 mA; 集电极—射极饱和电压:200 mV; 集电极—射极击穿电压:35 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:35 V; 开启状态集电极最大电流:15 mA; 工作电源电压:-; 峰值波长:900 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Osram Opto Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR |
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OP516A |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 封装:Bulk; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 Photo Transistor |
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TCS34003FNM |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 安装风格:SMD/SMT; 商标:ams; 系列:TCS3400; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:FN-6; RoHS:Y; 制造商:ams; |
光学数位转换器 Color light-to- digital converter |
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BPV23NF |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 响应率:0.6 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:65 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:5 mm; 封装:Bulk; 长度:4.5 mm; 高度:6 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 55 C; 半强度角度:60 deg; 下降时间:70 ns; 上升时间:70 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Sideview 790-1050nm +/-60 deg |
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ZTP-135H |
Amphenol |
光学探测器和传感器 |
商标名:THERMOMETRICS; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:IR Detectors; 光敏感性:58 V/W; 噪声等效功率 - NEP:0.55 nW/sqrt Hz; 元件大小:1.8 mm x 1.8 mm; 商标:Amphenol Advanced Sensors; 响应时间:25 ms; 工作温度范围:- 20 C to + 100 C; 系列:ZTP-135; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 20 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-5; 类型:Thermopile; 产品:Thermal Infrared Detectors; RoHS:Y; 制造商:Amphenol; |
红外探测器 13.2mm lead Thermopile IR Sensor |
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ZTP-135L |
Amphenol |
光学探测器和传感器 |
商标名:THERMOMETRICS; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:IR Detectors; 光敏感性:58 V/W; 噪声等效功率 - NEP:0.55 nW/sqrt Hz; 元件大小:1.8 mm x 1.8 mm; 商标:Amphenol Advanced Sensors; 响应时间:25 ms; 工作温度范围:- 20 C to + 100 C; 系列:ZTP-135; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 20 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-5; 类型:Thermopile; 产品:Thermal Infrared Detectors; RoHS:Y; 制造商:Amphenol; |
红外探测器 25.4mm lead Thermopile IR Sensor |
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BPW85A |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:5000; 产品类型:Phototransistors; 弱电流:2.5 mA; 半强度角度:25 deg; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.4 mm; 波长:850 nm; 类型:Chip; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 透镜颜色/类型:Clear; 长度:3.4 mm; 高度:4.5 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:200 nA; 集电极—射极饱和电压:0.3 V; 集电极—射极击穿电压:70 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:70 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 T-1 450 to 1080nm +/-25 deg |
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MT9M001C12STM-DP |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:96; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/2 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:MT9M001; 封装:Tray; 分辨率:1 Megapixels; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 1MP, 30 fps |
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VEMD2500X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:12 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:2.3 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.3 mm; 高度:2.77 mm; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMD; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:15 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:900 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Reverse gullwing 350-1120nm +/-15 deg |
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OP506B |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:Optek / TT Electronics; 波长:935 nm; 类型:NPN Silicon Phototransistor; 封装:Bulk; 透镜颜色/类型:Blue; 高度:5.08 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:30 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:5.95 mA; 峰值波长:935 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:T-1-2; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电晶体管 PHOTOSENSOR |
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MT9V024IA7XTM-DP2 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:3 V; 电源电压-最大:3.6 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tray; 工作电源电压:3.3 V; 封装 / 箱体:IBGA-52; 像素大小 - 宽x高:6 um x 6 um; 每秒帧数:60 fps; 分辨率:WVGA; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 颜色读出:Monochrome, RGB Bayer, RCCC; 图象大小:752 H x 480 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 VGA 1/3 GS CIS Image Sensor |
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ISL76671AROZ-T7 |
Renesas Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / Intersil; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:ISL76671; 最大工作温度:+ 105 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:550 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:ODFN-6; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
环境光传感器 AUTO SMALL LW PWR VAGE-OUTPUT AMBIENT |
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VEMT2503X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:6000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 弱电流:2.7 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 波长:850 nm; 类型:Silicon NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; 系列:VEMT; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:1 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:20 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V; 开启状态集电极最大电流:50 mA; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电晶体管 Reverse gullwing 470-1090nm +/-35 deg |
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ISL29038IROZ-T7 |
Renesas Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Renesas / Intersil; 系列:ISL29038; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; RoHS:Y; 制造商:Renesas Electronics; |
光学数位转换器 Low Power ALS and Proximity Sensor |
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NOIP1FN1300A-QTI |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:64; 产品类型:Image Sensors; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 系列:PYTHON1300; 封装:Tray; 封装 / 箱体:LCC-48; 颜色读出:NIR; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 PYTHON 1300 NIR LVDS |
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1540031NC6090 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Phototransistors; 商标:Wurth Elektronik; 波长:940 nm; 系列:WL-TTRB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:75 mW; 暗电流:300 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-TTRB THT Phototransistor Round Black |
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1540031EA4590 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:40 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Wurth Elektronik; 封装:Bulk; 系列:WL-TDRW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vr - 反向电压 :30 V; 暗电流:100 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电二极管 WL-TDRW THT Photodiode Round Waterclear |
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1541201NBA300 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Phototransistors; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 波长:940 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:WL-STCW; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Pd-功率耗散:150 mW; 暗电流:100 nA; 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V; 开启状态集电极最大电流:1 mA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电晶体管 WL-STCW SMT Phototransistor Chip Waterclear |
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1540801EEA300 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:4000; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:Wurth Elektronik; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:WL-SDCB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电二极管 WL-SDCB SMT Photodiode Chip Black |
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1540031EC4590 |
Wurth Elektronik |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Photodiodes; 光电流:30 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Wurth Elektronik; 封装:Bulk; 系列:WL-TDRB; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Wurth Elektronik; |
光电二极管 WL-TDRB THT Photodiode Round Black |
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VEMD4110X01 |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Vishay Semiconductors; 封装:Reel; 封装:Cut Tape; 资格:AEC-Q101; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 830-950nm Photo PIN Diode FAM-based |
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TSL2584TSVM |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Optical Sensors; 最大上升时间:300 ns; 最大下降时间:300 ns; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:I2C; 商标:ams; 分辨率:16 bit; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TSV-6; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 工作电源电流:175 uA; 最大工作频率:400 kHz; 峰值波长:850 nm; 数据总线宽度:-; RoHS:Y; 制造商:ams; |
光学数位转换器 33000 Max Lux I2C-1.8, 2.7V |
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AR0330CS1C12SPKA0-CP2 |
ON Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
电源电压-最小:1.7 V; 电源电压-最大:1.9 V; 子类别:Sensors; 标准包装数量:5; 产品类型:Image Sensors; 光学格式:1/3 in; 湿度敏感性:Yes; 商标:ON Semiconductor; 封装:Tray; 工作电源电压:1.8 V; 封装 / 箱体:ODCSP-61; 像素大小 - 宽x高:2.2 um x 2.2 um; 每秒帧数:30 fps; 分辨率:3.5 Megapixels; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 颜色读出:RGB; 图象大小:2304 H x 1296 V; 类型:Image Sensor; RoHS:Y; 制造商:ON Semiconductor; |
图像传感器 3 MP 1/3 CIS Image Sensor |
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PY0305 |
Pyreos |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:IR Detectors; 工作电源电压:2.7 V to 8 V; 商标:Pyreos; 系列:Analog TO; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-39-4; 类型:Gas Sensor; RoHS:E; 制造商:Pyreos; |
红外探测器 Dual Channel Sensor; Filters: CO (carbon monoxide) (4.64um/180nm); Reference (3.91um/90nm) |
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1202540067 |
Molex |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Molex; RoHS:Y; 制造商:Molex; |
光电传感器 4mm Dia Smth Hsg ThruBeam M8P3 |
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OPR5911 |
TT Electronics |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:256; 响应率:0.45 A/W; 产品类型:Photodiodes; 湿度敏感性:Yes; 商标:Optek / TT Electronics; 宽度:7.75 mm; 类型:Surface Mount Quad Photodiode; 封装:Bulk; 长度:7.75 mm; 高度:1.47 mm; 最大工作温度:+ 125 C; 最小工作温度:- 55 C; Vr - 反向电压 :14 V; 暗电流:30 nA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Quad Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:TT Electronics; |
光电二极管 Quad Photodiode |
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APS3227SP1C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Ambient Light Sensors; 湿度敏感性:Yes; 半强度角度:120 deg; 商标:Kingbright; 类型:NPN Phototransistor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:5 V; 峰值波长:580 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-4; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
环境光传感器 3.2x2.7mm AMBIENT LIGHT PHOTO SENSOR |
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APS5130PD7C-P22 |
Kingbright |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.33 A/W, 0.25 A/W, 0.18 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:0.039 uA, 0.042 uA, 0.022 uA; 湿度敏感性:Yes; 商标:Kingbright; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:120 deg; Vr - 反向电压 :5 V; 暗电流:10 nA; 峰值波长:620 nm, 550 nm, 470 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:SMD-4; 产品:Triple Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Kingbright; |
光电二极管 3.2x1.6mm RGB COLOR SENSOR |
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NJL7502L |
NJR |
光学探测器和传感器 |
商标名:NJL75; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 上升时间:10 us; 产品类型:Ambient Light Sensors; Pd-功率耗散:150 mW; 半强度角度:20 deg; 下降时间:10 us; 商标:NJR; 宽度:4 mm; 类型:Ambient Light Photo Sensor with Phototransistor Output; 长度:4 mm; 高度:5.2 mm; 封装:Bulk; 系列:NJL7502; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 峰值波长:560 nm; 封装 / 箱体:T-1; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:NJR; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor |
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HSDL-5420#031 |
Lite-On |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1500; 响应率:0.5 A/W; 产品类型:Photodiodes; 光电流:6 uA; Pd-功率耗散:150 mW; 噪声等效功率 - NEP:0.62E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; 商标:Lite-On; 宽度:2.16 mm; 类型:Infrared PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:2.34 mm; 高度:2.92 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:28 deg; 下降时间:7.5 ns; 上升时间:7.5 ns; Vr - 反向电压 :40 V; 暗电流:1 nA; 峰值波长:875 nm; 安装风格:SMD/SMT; 封装 / 箱体:2 mm x 2 mm; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Lite-On; |
光电二极管 Polyled Detector Z-bend |
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INL-5ANPD80 |
Inolux |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 产品类型:Photodiodes; Pd-功率耗散:150 mW; 商标:Inolux; 最大工作温度:+ 80 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:80 deg; 下降时间:45 uS; 上升时间:45 uS; Vr - 反向电压 :32 V; 暗电流:5 nA; 峰值波长:850 nm; 安装风格:Through Hole; 产品:Photodiodes; 制造商:Inolux; |
光电二极管 Through Hole / Standard 5mm T1 3/4 / Black Lens |
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TSL257-LF |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Optical Sensors; 商标:ams; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:SIP-3; 安装风格:Through Hole; 最小工作温度:0 C; 最大工作温度:+ 70 C; 峰值波长:645 nm; 产品:Light to Voltage Converters; RoHS:Y; 制造商:ams; |
光频率和光电压 Light to Voltage Precision |
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TSL2561T |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Optical Sensors; 湿度敏感性:Yes; 最大上升时间:300 ns; 最大下降时间:300 ns; 安装风格:SMD/SMT; 接口类型:2-Wire SMBus or I2C serial; 商标:ams; 分辨率:16 bit; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 封装 / 箱体:TMB-6; 最大工作温度:+ 70 C; 最小工作温度:- 30 C; 工作电源电压:3 V; 工作电源电流:600 uA; 最大工作频率:400 kHz; 峰值波长:640 nm; 数据总线宽度:16 bit; RoHS:Y; 制造商:ams; |
光学数位转换器 Light to Digital with I2C |
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TCS3200D-TR |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Optical Sensors; 工作电源电流:1.4 mA; 湿度敏感性:Yes; 商标:ams; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 工作电源电压:5 V; 封装 / 箱体:SOIC-8; 安装风格:SMD/SMT; 最大频率:600 kHz; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 70 C; 峰值波长:470 nm to 640 nm; 产品:Light to Frequency Converters, Programmable; RoHS:Y; 制造商:ams; |
光频率和光电压 TriColor Sensor LTF Low Power |
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BH1751FVI-TR |
ROHM Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Ambient Light Sensors; Pd-功率耗散:260 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:ROHM Semiconductor; 类型:Ambient Light Sensor; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BH1751FVI; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:560 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
环境光传感器 AMBIENT LIGHT SENSOR IC 6PIN WSOF |
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BH1715FVC-TR |
ROHM Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:3000; 产品类型:Ambient Light Sensors; Pd-功率耗散:260 mW; 湿度敏感性:Yes; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.8 mm; 类型:Digital 16-bit Serial Output Ambient Light Sensors IC; 长度:3 mm; 高度:0.75 mm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 系列:BH1715FVC; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 40 C; 工作电源电压:3 V; 峰值波长:560 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Ambient Light Sensors; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
环境光传感器 Ambient Light Sensor Digital 16Bit Serial |
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TSL237S-LF |
ams |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:500; 产品类型:Optical Sensors; 商标:ams; 系列:TSL237; 封装:Bulk; 封装 / 箱体:SIP-3; 安装风格:Through Hole; 最小工作温度:- 40 C; 最大工作温度:+ 70 C; 峰值波长:700 nm; 产品:Light to Frequency Converters; RoHS:Y; 制造商:ams; |
光频率和光电压 Light to Frequency High Responsivity |
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PS1.0-5B-TO52S1.3 |
First Sensor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:25; 响应率:0.23 A/W; 产品类型:Photodiodes; 噪声等效功率 - NEP:0.8E-14 W/sqrt Hz; 商标:First Sensor; 宽度:5.4 mm; 类型:High Speed Epitaxial P-I-N Photodiodes; 长度:5.4 mm; 高度:3.6 mm; 系列:PIN Series 5b; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 上升时间:1.3 ns; Vr - 反向电压 :40 V; 暗电流:0.01 nA; 峰值波长:405 nm; 安装风格:Through Hole; 封装 / 箱体:TO-52; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:First Sensor; |
光电二极管 1000x1000um act area H/S Ept Pin Phtdiode |
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E3Z-G81 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:40 mm; 系列:E3Z; 长度:50 mm; 高度:11 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 感应距离:25 mm; RoHS:N; 制造商:Omron; |
光电传感器 1 AXIS PNP PRE-WIRED |
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SCM-014TBT86 |
ROHM Semiconductor |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:2000; 产品类型:Phototransistors; 商标:ROHM Semiconductor; 宽度:1.5 mm; 波长:800 nm; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:3 mm; 高度:2.2 mm; 最大工作温度:+ 85 C; 最小工作温度:- 30 C; Pd-功率耗散:100 mW; 暗电流:500 nA; 集电极—射极饱和电压:0.4 V; 集电极—射极击穿电压:32 V; 集电极—发射极最大电压 VCEO:32 V; 开启状态集电极最大电流:30 mA; 安装风格:SMD/SMT; 产品:Phototransistors; RoHS:Y; 制造商:ROHM Semiconductor; |
光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR SMD |
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VBP104S |
Vishay |
光学探测器和传感器 |
Vf - 正向电压:1 V; 子类别:Optical Detectors and Sensors; 标准包装数量:1000; 产品类型:Photodiodes; 光电流:35 uA; Pd-功率耗散:215 mW; 噪声等效功率 - NEP:4E-14 W/sqrt Hz; 湿度敏感性:Yes; If - 正向电流:50 mA; 商标:Vishay Semiconductors; 宽度:3.9 mm; 类型:Silicon PIN Photodiode; 封装:Reel; 封装:MouseReel; 封装:Cut Tape; 长度:6.4 mm; 高度:1.2 mm; 最大工作温度:+ 100 C; 最小工作温度:- 40 C; 半强度角度:65 deg; 下降时间:100 ns; 上升时间:100 ns; Vr - 反向电压 :60 V; 暗电流:2 nA; 峰值波长:940 nm; 安装风格:SMD/SMT; 产品:PIN Photodiodes; RoHS:Y; 制造商:Vishay; |
光电二极管 Gullwing 430-1100nm +/-65 deg |
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E3T-FT14 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3T; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Photo Mini Flat Thru PNP DO |
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E3Z-R66 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:10.8 mm; 系列:E3Z; 长度:43.5 mm; 高度:20 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN; 连接方法:M8 Connector; 放大器类型:Built In; 光源:Red LED; 感应距离:4000 mm; 感应方式:Retroreflective; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Retro Polar NPN Connector |
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E3S-LS10XB4 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 商标:Omron Automation and Safety; 系列:E3S; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 Photoelectric Sensor |
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E3S-AD37 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:12.4 mm; 系列:E3S-A; 长度:50 mm; 高度:22.3 mm; 特点:Light ON / Dark ON; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:PNP; 感应距离:700 mm; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 70CM DIF PNP W/ CONN HOR |
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E3S-CT11 |
Omron |
光学探测器和传感器 |
子类别:Sensors; 标准包装数量:1; 产品类型:Photoelectric Sensors; 工作电源电压:24 V; 商标:Omron Automation and Safety; 宽度:40.4 mm; 系列:E3S-C; 长度:50 mm; 高度:29.5 mm; 特点:Mutual interference protection; 主体类型:Rectangular; 最大工作温度:+ 55 C; 最小工作温度:- 25 C; 输出配置:NPN or PNP; 连接方法:Prewired Cable; 光源:Infrared LED; 感应距离:30 m; 感应方式:Through Beam; RoHS:Y; 制造商:Omron; |
光电传感器 THROUGH BEAM |
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I2C-COLOR |
Gravitech |
光学探测器和传感器 |
子类别:Optical Detectors and Sensors; 产品类型:Ambient Light Sensors; 商标:Gravitech; 宽度:0.7 in; 类型:Color Sensors; 长度:0.7 in; 高度:0.1 in; 工作电源电压:3 V; 产品:Color Sensors; RoHS:Y; 制造商:Gravitech; |
环境光传感器 12C 16-BIT color level sensor RGBC |